本申请涉及存储器装置中的双单层级单元编程。存储器装置中的控制逻辑使通过电压施加到所述存储器装置的存储器阵列的块的多个字线，所述块包括多个子块，且所述通过电压将所述多个子块中的每一个的通道电位升压到升压电压。所述控制逻辑进一步根据表示待编程到所述多个子块的相应存储器单元的位序列的数据模式从所述多个子块中的一或多个选择性地对所述升压电压进行放电。另外，控制逻辑使单个编程脉冲施加到所述块的所述多个字线中的所选择字线以根据所述数据模式对所述多个子块的相应存储器单元进行编程。的相应存储器单元进行编程。的相应存储器单元进行编程。
【技术实现步骤摘要】
存储器装置中的双单层级单元编程
[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体地说，涉及存储器子系统的存储器装置中的双单层级单元(SLC)编程。
技术介绍
[0002]存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统将数据存储在存储器装置处且从存储器装置检索数据。
技术实现思路
[0003]本公开的一方面提供一种存储器装置，其包括：存储器阵列；及控制逻辑，其以操作方式与所述存储器阵列耦合，以执行包括以下各项的操作：使通过电压施加到所述存储器阵列的块的多个字线，所述块包括多个子块，且所述通过电压将所述多个子块中的每一个的通道电位升压到升压电压；根据表示待编程到所述多个子块的相应存储器单元的位序列的数据模式从所述多个子块中的一或多个选择性地对所述升压电压进行放电；及使单个编程脉冲施加到所述块的所述多个字线中的所选择字线以根据所述数据模式对所述多个子块的所述相应存储器单元进行编程。
[0004]本公开的另一方面提供一种方法，其包括：使通过电压施加到存储器装置的存储器阵列的块的多个字线，所述块包括多个子块，且所述通过电压将所述多个子块中的每一个的通道电位升压到升压电压；根据表示待编程到所述多个子块的相应存储器单元的位序列的数据模式从所述多个子块中的一或多个选择性地对所述升压电压进行放电；及使单个编程脉冲施加到所述块的所述多个字线中的所选择字线以根据所述数据模式对所述多个子块的所述相应存储器单元进行编程。
[0005]本公开的另一方面提供一种存储器装置，其包括：存储器阵列；及控制逻辑，其以操作方式与所述存储器阵列耦合，以执行包括以下各项的操作：在所述存储器阵列上起始编程操作，所述编程操作包括编程阶段和编程验证阶段；使具有编程电压电平的单个编程脉冲在所述编程阶段期间施加到所述存储器阵列的所选择字线以对与所述所选择字线相关联且安置于所述存储器阵列的单独子块中的两个或更多个存储器单元进行编程；及使具有编程验证电压电平的一或多个验证脉冲在所述编程验证阶段期间施加到所述存储器阵列的所述所选择字线以验证所述两个或更多个存储器单元在所述编程操作的所述编程阶段期间编程到至少所述编程验证电压电平。
附图说明
[0006]根据下文给出的详细描述且根据本公开的各种实施例的随附图式将更加充分地理解本公开。
[0007]图1A说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
[0008]图1B为根据本公开的一些实施例的与存储器子系统的存储器子系统控制器通信的存储器装置的框图。
[0009]图2为根据本公开的一些实施例的如可用于参考图1B所描述的类型的存储器中的存储器单元阵列的部分的示意图。
[0010]图3为根据本公开的一些实施例的实施双单层级单元(SLC)编程的存储器单元阵列的部分的示意图。
[0011]图4A至4C为说明根据本公开的一些实施例的在双单层级单元(SLC)编程操作期间施加到存储器阵列的各种信号的信号图。
[0012]图5为根据本公开的一些实施例的在存储器子系统的存储器装置中进行双单层级单元(SLC)编程的实例方法的流程图。
[0013]图6为其中本公开的实施例可操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0014]本公开的方面针对存储器子系统的存储器装置中的双单层级单元(SLC)编程。存储器子系统可为存储装置、存储器模块或存储装置与存储器模块的混合。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含一或多个组件(例如存储数据的存储器装置)的存储器子系统。主机系统可提供待存储在存储器子系统处的数据且可请求待从存储器子系统检索的数据。
[0015]存储器子系统可包含高密度非易失性存储器装置，其中当没有电力供应到存储器装置时需要保持数据。举例来说，例如3D快闪NAND存储器的NAND存储器以紧凑的高密度配置的形式提供存储。非易失性存储器装置为一或多个裸片的封装，每一裸片包含一或多个平面。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，NAND存储器)，每一平面包含物理块集合。每一块包含页集合。每一页包含存储器单元(“单元”)集合。单元为存储信息的电子电路。取决于单元类型，单元可存储二进制信息的一或多个位，且具有与所存储的位数目相关的各种逻辑状态。逻辑状态可由例如“0”和“1”或此类值的组合的二进制值表示。
[0016]存储器装置可由按二维或三维网格布置的位组成。存储器单元以列(下文也称为位线)和行(下文也称为字线)的阵列的形式蚀刻到硅晶片上。字线可指存储器装置的存储器单元的一或多个行，所述一或多个行与一或多个位线一起使用以产生存储器单元中的每一个的地址。位线与字线的相交点构成存储器单元的地址。下文中，块是指存储器装置的用于存储数据的单元，且可包含存储器单元群组、字线群组、字线或个别存储器单元。可将一或多个块分组在一起以形成存储器装置的单独分区(例如，平面)，以便允许在每一平面上进行并发操作。
[0017]在非易失性存储器装置上的编程操作期间，可能遇到某些阶段，包含编程和编程验证。举例来说，可在编程阶段期间将高编程电压施加到存储器装置的块的所选择字线，接着是其中将验证电压施加到所选择字线的编程验证阶段。某些编程操作可为单个编程操作，其中在每一操作中编程一个子块。在此单个编程操作中，从临时存储位置(例如，页缓冲器)读取数据模式以确定与所选择字线相关联且位于一个子块中的存储器单元是否待编程，且可在编程验证阶段发生之前施加单个编程脉冲。接着可针对待编程的每一剩余子块重复此相同过程。其它编程操作可为双编程操作，例如，其中在一个操作中对两个子块进行
编程。在此双编程操作中，可在编程验证阶段发生之前对两个子块进行编程(即，可施加两个单独编程脉冲)。取决于实施方案，某些存储器装置可在后续编程验证阶段期间利用双重验证操作或无缝验证操作。在任一情况下，对多个子块进行编程涉及使多个单独编程脉冲施加到所选择字线。存在与每一编程脉冲相关联的时延，包含使编程电压斜升和斜降多次。这些时延增加编程操作的长度，这在高优先级和时间敏感操作(例如单层级单元(SLC)编程操作)中可能尤其有影响。
[0018]本公开的方面通过实施存储器子系统的存储器装置中的双单层级单元(SLC)编程来解决以上和其它缺陷。在双SLC编程操作中，存储器装置中的控制逻辑可使用施加到于所选择字线的单个编程脉冲来对两个或更多个单独子块中的存储器单元进行编程。在一个实施例中，作为编程操作的部分，控制逻辑使通过电压施加到存储器装置的块中的每一字线，包含所选择字线(即，与待编程的存储器单元相关联的字线)和未选择字线。在编程操作的此阶段期间，通过电压将存储器装置的每一子块中的存储器导柱通道电压升压到较高升压电压。一旦每一导柱通道电压升压，控制逻辑便可在编程操作期间根据待编程到块的位的数据模式选择性地对一或多个子块的导柱进行放电。举例来说，如果将对与所选择字线相关本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：存储器阵列；及控制逻辑，其以操作方式与所述存储器阵列耦合，以执行包括以下各项的操作：使通过电压施加到所述存储器阵列的块的多个字线，所述块包括多个子块，且所述通过电压将所述多个子块中的每一个的通道电位升压到升压电压；根据表示待编程到所述多个子块的相应存储器单元的位序列的数据模式从所述多个子块中的一或多个选择性地对所述升压电压进行放电；及使单个编程脉冲施加到所述块的所述多个字线中的所选择字线以根据所述数据模式对所述多个子块的所述相应存储器单元进行编程。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述多个字线中的每一字线耦合到所述块中的相应存储器单元集合，且其中来自每一相应存储器单元集合的一个存储器单元与所述块的所述多个子块中的一个相关联。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述多个子块中的每一个包括共享通道材料的导柱的存储器单元串，且其中所述存储器单元串中的每一存储器单元与所述多个字线中的相应字线相关联。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述多个子块包括相应选择栅极装置以将所述存储器单元串耦合到位线。5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中根据所述数据模式从所述多个子块中的一或多个选择性地对所述升压电压进行放电包括：激活对应于一或多个第一子块的所述相应选择栅极装置中的一或多个，所述相应存储器单元将针对所述第一子块进行编程以使所述一或多个第一子块的所述通道电位减小到接地电位；及不激活对应于一或多个第二子块的所述相应选择栅极装置中的一或多个，所述相应存储器单元将不针对所述第二子块进行编程以使所述一或多个第二子块的所述通道电位保持在升压电压。6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中施加到所述块的所述多个字线中的所述所选择字线的所述单个编程脉冲将对所述一或多个第一子块的所述相应存储器单元进行编程且不对所述一或多个第二子块的所述相应存储器单元进行编程。7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中当将所述单个编程脉冲施加到所述所选择字线时，对应于所述一或多个第一子块的所述相应选择栅极装置中的所述一或多个保持激活。8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制逻辑将执行进一步包括以下各项的操作：在使所述通过电压施加到所述多个字线之前，根据所述数据模式使所述多个子块中的至少一个的所述通道电位增加到所述升压电压。9.一种方法，其包括：使通过电压施加到存储器装置的存储器阵列的块的多个字线，所述块包括多个子块，且所述通过电压将所述多个子块中的每一个的通道电位升压到升压电压；根据表示待编程到所述多个子块的相应存储器单元的位序列的数据模式从所述多个
子块中的一或多个选择性地对所述升压电压进行放电；及使单个编程脉冲施加到所述块的所述多个字线中的所选择字线以根据所述数据模式对所述多个子块的所述相应存储器单元进行编程。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述多个字线中的每一字线耦合到所述块中的相应存储器单元集合，且其中来自每一相应存储器单元集合的一个存储器单元与所述块...
【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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