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北京特思迪半导体设备有限公司专利技术
北京特思迪半导体设备有限公司共有64项专利
液体膜厚度测量、减薄厚度确定和控制方法及设备技术
本发明提供一种液体膜厚度测量、减薄厚度确定和控制方法及设备,所述方法包括采集光谱共焦位移传感器对于液体膜和晶圆的光谱;根据所述光谱中的峰值数量和峰值位置在时间维度上的变化判断所述光谱中是否包括对应于液体膜上表面位置的第一峰值和对应于液体...
用于晶圆加工的激光改质焦深控制方法及设备技术
本发明提供一种用于晶圆加工的激光改质焦深控制方法及设备,应用于半导体加工设备领域,所述方法包括:获取激光改质参数,包括晶锭表面与激光改质层的理论距离H、晶锭折射率n、所述晶锭表面的激光入射点的间距;根据所述激光改质参数和所述理论距离的误...
一种锑化镓晶片的抛光方法及所制备的锑化镓抛光片技术
本发明提供一种锑化镓晶片的抛光方法及所制备的锑化镓抛光片,一种锑化镓晶片的抛光方法包括如下步骤:(1)对锑化镓晶片进行减薄,去除锑化镓晶片表面的损伤与高点等不平整区域;(2)对步骤(1)减薄后的锑化镓晶片采用抛光布配合中抛抛光液进行中抛...
用于抛光机的偏心驱动机构和抛光机制造技术
本发明提供一种用于抛光机的偏心驱动机构和抛光机,属于半导体设备技术领域,其中,偏心驱动机构包括:旋转套、第一转轴、第二转轴、第三转轴、第一驱动齿轮、第一连接板、第二连接板、第二驱动齿轮和第三驱动齿轮;本发明的偏心驱动机构,第一驱动齿轮与...
偏心驱动机构的偏心距精确调节方法技术
本申请提供一种偏心驱动机构的偏心距精确调节方法,通过获取连接板的实际长度偏差、第一连接板和第二连接板之间的实际角度偏差,并至少利用实际长度偏差、第一连接板和第二连接板之间的实际角度偏差,精确计算所述偏心距的实际距离偏差,由此确定给定参数...
晶圆无蜡抛光上料设备及其柔性吸盘制造技术
本申请公开了一种晶圆无蜡抛光上料设备及其柔性吸盘,其中,柔性吸盘包括柔性骨架和柔性密封扩口件;柔性骨架固设于柔性密封扩口件的外侧以支撑柔性密封扩口件,柔性密封扩口件的刚度小于柔性骨架的刚度和晶圆的刚度,且柔性密封扩口件和柔性骨架的合成刚...
晶圆贴片装置及晶圆无蜡抛光上料设备制造方法及图纸
本发明公开了一种晶圆贴片装置及晶圆无蜡抛光上料设备,包括:传送机构,用于传送陶瓷盘,传送机构包括依次分布的陶瓷盘上料工位、晶圆贴片工位和陶瓷盘下料工位;升降旋转机构,与晶圆贴片工位对应,用于将位于晶圆贴片工位的陶瓷盘抬升以及旋转;定位机...
晶圆无蜡抛光预处理机构及上料设备制造技术
本申请公开了一种晶圆无蜡抛光预处理机构及上料设备,包括升降传送机构、第一翻转机构、清洗机构和第二翻转机构;升降传送机构包括升降部和传送部;第一翻转机构,用于将陶瓷盘翻转,以使陶瓷盘上设置有凹槽和无蜡垫的端面朝下设置,其中无蜡垫贴合在凹槽...
一种双疏涂层的制备方法、所制备的双疏涂层及应用技术
本发明提出了一种双疏涂层的制备方法、所制备的双疏涂层及应用。一种双疏涂层的制备方法,包括如下步骤:(1)将巯基聚硅氧烷、含C=C的全氟烃基化合物、固化剂、引发剂和溶剂混合,得到涂敷料;(2)将涂覆料涂覆于基材表面,光照,固化后得到双疏涂...
抛光机的动态联动控制方法技术
本发明提供一种抛光机的动态联动控制方法,包括:获取所述两个偏心驱动机构的幅度偏差分量
偏心驱动机构和抛光机制造技术
本发明提供一种偏心驱动机构和抛光机,属于半导体设备技术领域,其中,偏心驱动机构包括:固定轴
偏心驱动机构的精确控制方法技术
本发明提供一种偏心驱动机构的精确控制方法,包括:获取连杆的理论尺寸
用于晶圆批量抛光设备制造技术
本发明提供一种用于晶圆批量抛光设备
半导体抛光设备的晶圆压头制造技术
本申请公开一种半导体抛光设备的晶圆压头,包括:陶瓷基板,包括背离面以及与晶圆接触的工作面;内圈加压结构,与所述陶瓷基板同轴设置并与所述背离面连接;用于为内圈加压结构加压的第一气路管,设置于所述内圈加压结构的中心部分。外圈加压结构,所述内...
用于减薄半导体基板的装置及其对刀仪防水结构制造方法及图纸
本实用新型涉及一种用于减薄半导体基板的装置及其对刀仪防水结构,其包括:防水壳,封装在底座上,防水壳内具有腔室,防水壳上端设有与该腔室连通的开口;第一防水盖,滑动连接在开口的一侧,第二防水盖密封在开口的另一侧;驱动机构和对刀仪,均固定在底...
晶圆上料组件及下蜡机制造技术
本申请提供一种晶圆上料组件及下蜡机,支架上设置有适于卡塞盒升降的升降通道;升降组件设置在支架上,用以带动卡塞盒在升降通道进行升降;翻转传送机构设置在支架上,其上设置有传送部,翻转传送机构具有翻转状态以及非翻转状态,在翻转状态,传送部转动...
用于晶圆薄膜磨削的厚度在线检测方法及设备技术
本发明涉及半导体领域,具体涉及一种用于晶圆薄膜磨削的厚度在线检测方法及设备,该方法包括在对晶圆薄膜进行磨削过程中,获取晶圆薄膜的反射率与波长关系的实测光谱曲线;在所述实测光谱曲线中分别根据两个预设波长范围选取第一波段和第二波段;计算所述...
晶圆压头及半导体抛光设备制造技术
本申请公开了一种晶圆压头及半导体抛光设备,包括压头过渡座,压头过渡座上形成有气路通道以及容纳腔;压头组件;弹性胶膜,设于压头组件和压头过渡座之间,弹性胶膜包括胶膜外圈部、胶膜中圈部和胶膜内圈部;胶膜外圈部与压头过渡座的外圈固定连接,胶膜...
用于晶圆薄膜磨削的终点检测方法及设备技术
本发明涉及半导体领域,具体涉及一种用于晶圆薄膜磨削的终点检测方法及设备,该方法包括:在对晶圆薄膜进行磨削过程中,获取晶圆薄膜的反射率与波长关系的实测光谱曲线;在实测光谱曲线中确定多个特征点;基于多个特征点的波长值,分别在各个参考光谱曲线...
用于加热晶圆的烘箱以及下蜡机制造技术
本申请提供的用于加热晶圆的烘箱及下蜡机,烘箱包括:支撑架,设置在所述加热腔内部,并位于所述箱体入口的两侧;纵向传递机构,对应安装在所述支撑架上,所述纵向传递机构包括若干承载部,所述纵向传递机构相邻的一侧形成承托区,所述承载部用以在所述承...
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