半导体抛光设备的晶圆压头制造技术

本申请公开一种半导体抛光设备的晶圆压头，包括：陶瓷基板，包括背离面以及与晶圆接触的工作面；内圈加压结构，与所述陶瓷基板同轴设置并与所述背离面连接；用于为内圈加压结构加压的第一气路管，设置于所述内圈加压结构的中心部分。外圈加压结构，所述内圈加压结构设置于外圈加压结构与所述陶瓷基板之间，所述背离面的边缘部分与所述外圈加压结构接触，所述外圈加压结构中心部分形成有供所述第一气路管通过的外圈通道。实现对陶瓷基板区域加压的同时，防止气路管排布造成的气路管弯折。防止气路管排布造成的气路管弯折。防止气路管排布造成的气路管弯折。

【技术实现步骤摘要】
半导体抛光设备的晶圆压头


[0001]本申请涉及扁平工件加工
，具体涉及一种半导体抛光设备的晶圆压头。

技术介绍

[0002]半导体抛光设备中的晶圆压头为关键部件之一。晶圆吸附在陶瓷盘上，并在压头的压力作用下进行抛光加工，实际加工过程中难以保证晶圆表面压力的均匀分布，导致晶圆不同位置的加工质量不一致，从而影响晶圆表面的平整度。
[0003]现有的内圈与外圈的分区域加压常常采用在内圈与外圈的加压设备上分别单独设置加压气囊，通过供气管向气囊内供气以实现气囊的加压，从而完成对陶瓷基板的内圈与外圈的分别加压。但在实际的运用中，分别向外圈加压气囊以及内圈加压气囊供气时，因结构问题气囊的供气路并不能全为直线，会存在因避让其他结构而设置为弯曲的气路，随着使用的时间的增长以及外部运动的影响，弯曲的气路逐渐弯折形成直角，对进气造成阻碍，影响加压气囊的正常使用。

技术实现思路

[0004]为此，本申请的目的在于提供一种半导体抛光设备的晶圆压头，包括：陶瓷基板，包括背离面以及与晶圆接触的工作面；内圈加压结构，与所述陶瓷基板同轴设置并与所述背本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体抛光设备的晶圆压头，其特征在于，包括：陶瓷基板(1)，包括背离面以及与晶圆接触的工作面；内圈加压结构(2)，与所述陶瓷基板(1)同轴设置并与所述背离面连接；用于为内圈加压结构(2)加压的第一气路管(41)，设置于所述内圈加压结构(2)的中心部分；外圈加压结构(3)，所述内圈加压结构(2)设置于外圈加压结构(3)与所述陶瓷基板(1)之间，所述背离面的边缘部分与所述外圈加压结构(3)接触，所述外圈加压结构(3)中心部分形成有供所述第一气路管(41)通过的外圈通道。2.根据权利要求1所述的半导体抛光设备的晶圆压头，其特征在于，所述内圈加压结构(2)包括：内圈加压气囊(21)，所述内圈加压气囊(21)设置于所述内圈加压结构(2)的中心部分，所述第一气路管(41)与所述内圈加压气囊(21)连通；加压内圈(22)，设置于所述内圈加压气囊(21)与所述陶瓷基板(1)之间，与所述陶瓷基板(1)的背离面接触。3.根据权利要求2所述的半导体抛光设备的晶圆压头，其特征在于，所述外圈加压结构(3)包括：加压外圈，与所述陶瓷基板(1)同轴设置并部分与所述陶瓷基板(1)的背离面接触；用于为所述外圈加压结构(3)加压的环状凸台(31)，与所述加压外圈同轴连接。4.根据权利要求3所述的半导体抛光设...

【专利技术属性】
技术研发人员：寇明虎，
申请(专利权)人：北京特思迪半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：