【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆加工领域，具体涉及一种液体膜厚度测量、减薄厚度确定和控制方法及设备。
技术介绍
1、晶圆背磨（或称晶圆减薄）是半导体制造工艺的关键步骤之一，目的在于减薄晶圆厚度，去除残余材料，以提高热传导性能，改善散热；降低封装成本，提高加工精度，有利于满足微缩化需求，这对于生产紧凑型电子设备中制造多层和高密度封装的超薄晶圆至关重要。
2、在晶圆减薄的过程中，实时的厚度测量能提供反馈机制，便于加工过程中参数的变更，以更好地实现减薄厚度等目标，如果没有精确地在线测量就没法实现减薄工艺的过程控制，影响最终的加工精度。目前主流的技术是接触式减薄测量方案如马波斯ipg方案，该接触式测量方案在加工过程中会对晶圆衬底时刻产生一圈探测圈划痕，影响整体的表面质量。而非接触方案常使用基于光学原理的厚度位移监测方案，如使用光谱共焦位移光谱共焦位移传感器、ncg红外干涉光谱共焦位移传感器、激光干涉仪等设备进行检测。与其他测量方法相比，使用光谱共焦检测法时，由于设备不需要与被测件接触，使得对被测件表面的损伤降到最低，而且探头整体尺寸较小，便于模块...
【技术保护点】
1.一种液体膜厚度测量方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述光谱中的峰值数量和峰值位置在时间维度上的变化判断所述光谱中是否包括对应于液体膜上表面位置的第一峰值和对应于液体膜下表面位置的第二峰值，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，若所述光谱不包含三个峰值，检测所述光谱是否包含两个峰值；
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，若所述光谱包含三个峰值，还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述理想液体膜厚度计算折射状态下的实际液体膜厚度，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种液体膜厚度测量方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述光谱中的峰值数量和峰值位置在时间维度上的变化判断所述光谱中是否包括对应于液体膜上表面位置的第一峰值和对应于液体膜下表面位置的第二峰值，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，若所述光谱不包含三个峰值，检测所述光谱是否包含两个峰值；
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，若所述光谱包含三个峰值，还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述理想液体膜厚度计算折射状态下的实际液体膜厚度，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，根据所述理想液体膜厚度、液体膜下表面聚焦光的第一出射角、液体膜下表面聚焦光的第二出射角计算折射状态下的实际液体膜厚度，包括：
7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述光谱包括用于表达峰值位置的波长或像素，以及用于表达峰值大小的光强度。
8.一种减薄厚度确定方法，其特征在于，包括：
9. 根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法按照预定时间间隔计算所述晶圆表面位置， 当能够计算出所述实际液体膜厚度时，对应的晶圆表面位置为有...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙昕宇，孟炜涛，周慧言，孙占帅，蒋继乐，
申请(专利权)人：北京特思迪半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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