【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工设备领域，具体涉及一种用于晶圆加工的激光改质焦深控制方法及设备。
技术介绍
1、目前，碳化硅、金刚石等硬脆性第三代半导体材料被广泛应用，但是，这些硬脆性材料晶锭的切片仍旧存在较多的问题，如目前常用的金刚石线锯切割硬脆性材料晶锭存在耗费时间长、材料损耗大、刀具磨损大、面型精度差等问题，并且切割后会产生大量的废液。因此，相关技术中可以通过超快激光改质切割硬脆性材料晶锭的方法，该方法通过将激光聚焦于硬脆性材料晶锭内部，在晶锭内部形成激光改质层，然后使用拉应力剥片或者冷裂剥片的方式进行机械裂片，形成初始的晶圆。
2、激光改质过程中，由于晶锭所处的台面倾斜或晶锭盘片表面高度不一导致，可导致激光改质设备的入射光线角度倾斜，造成亚表面聚焦深度不一致，进而出现聚焦改质层分层的现象。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种用于晶圆加工的激光改质焦深控制方法，包括：
2、获取激光改质参数，包括晶锭表面与激光改质层的理论距离h、晶锭折射率、所述晶锭表面的激光入射点的间距；
3、根据所述激光改质参数和所述理论距离的误差范围，确定待加工晶锭表面相对于水平面的倾角范围，所述倾角范围用于指示待加工晶锭表面相对于水平面的实际倾角，通过控制所述实际倾角保持在所述倾角范围内，使得待加工晶锭表面与激光改质层的实际距离在所述误差范围内。
4、可选地，确定待加工晶锭表面相对于水平面的倾角范围，包括：
5、基于所述误差范围的上限和下限以及
6、根据激光入射角和所述激光入射角确定所述倾角范围。
7、可选地，所述激光改质参数的关系为
8、，
9、其中为所述间距的二分之一，为激光入射角；
10、h取值为所述上限，计算出对应于所述上限的激光入射角；
11、h取值为所述下限，计算出对应于所述上限的激光入射角。
12、可选地，对激光入射角与激光入射角作差进而减去二者的均值，得到待加工晶锭表面相对于水平面的倾角误差，基于预定倾角和倾角误差得到所述倾角范围。
13、相应的，本申请还提供一种改质用于晶圆加工的激光改质焦深控制设备，包括：处理器以及与所述处理器连接的存储器；其中，所述存储器存储有可被所述处理器执行的指令，所述指令被所述处理器执行，以使所述处理器执行上述改质用于晶圆加工的激光改质焦深控制方法。
14、根据本申请提供的激光改质焦深控制方法及设备，在对晶锭进行激光改质前，根据加工要求确定相关的激光改质参数，同时确定晶锭表面与激光改质层之间距离的允许误差范围，根据该误差范围和相关的激光改质参数，可以计算出相应的晶锭表面相对于水平面的倾角范围，在对晶锭进行激光改质的过程中，通过控制实际的倾角使其保持在计算出的倾角范围内，即可确保改质精度符合预期，从而有效避免聚焦改质层分层的现象。
15、本申请还提供另一种改质用于晶圆加工的激光改质焦深控制方法，包括：
16、获取激光改质参数，包括晶锭表面与激光改质层的理论距离h、所述晶锭表面的激光入射角、所述晶锭表面的激光入射点的间距；
17、根据所述激光改质参数和所述理论距离的误差范围，确定晶锭折射率的浮动范围；
18、根据所述折射率的浮动范围确定温度范围，所述温度范围用于指示晶锭加工环境温度，通过控制环境温度保持在所述温度范围内，使得待加工晶锭表面与激光改质层的实际距离在所述误差范围内。
19、可选地，确定晶锭折射率的浮动范围，包括：
20、基于所述误差范围的上限和下限以及所述激光改质参数的关系，确定对应于所述上限的晶锭折射率、对应于所述下限的晶锭折射率；
21、根据所述晶锭折射率和所述晶锭折射率确定所述浮动范围。
22、可选地，所述激光改质参数的关系为
23、，
24、其中为所述间距的二分之一；
25、h取值为所述上限，计算出对应于所述上限的晶锭折射率；
26、h取值为所述下限，计算出对应于所述上限的晶锭折射率。
27、可选地，对晶锭折射率与晶锭折射率作差进而减去二者的均值，得到晶锭折射率误差，基于预定折射率和晶锭折射率误差得到所述浮动范围。
28、相应地，本申请还提供一种改质用于晶圆加工的激光改质焦深控制设备，包括：处理器以及与所述处理器连接的存储器；其中，所述存储器存储有可被所述处理器执行的指令，所述指令被所述处理器执行，以使所述处理器执行上述改质用于晶圆加工的激光改质焦深控制方法。
29、根据本申请提供的激光改质焦深控制方法及设备，在对晶锭进行激光改质前，根据加工要求确定相关的激光改质参数，同时确定晶锭表面与激光改质层之间距离的允许误差范围，根据该误差范围和相关的激光改质参数，可以计算出相应的晶锭折射率范围，进而计算出相应的工作温度范围，在对晶锭进行激光改质的过程中，通过控制工作温度使其保持在计算出的温度范围内，即可确保改质层精度符合预期，从而有效避免聚焦改质层分层的现象。
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1.一种改质用于晶圆加工的激光改质焦深控制方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定待加工晶锭表面相对于水平面的倾角范围，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述激光改质参数的关系为
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对激光入射角与激光入射角作差进而减去二者的均值，得到待加工晶锭表面相对于水平面的倾角误差，基于预定倾角和倾角误差得到所述倾角范围。
5.一种改质用于晶圆加工的激光改质焦深控制方法，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，确定晶锭折射率的浮动范围，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述激光改质参数的关系为
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，对晶锭折射率与晶锭折射率作差进而减去二者的均值，得到晶锭折射率误差，基于预定折射率和晶锭折射率误差得到所述浮动范围。
9.一种改质用于晶圆加工的激光改质焦深控制设备，其特征在于，包括：处理器以及与所述处理器连接的存储器；其中，所述存储器存储有
...【技术特征摘要】
1.一种改质用于晶圆加工的激光改质焦深控制方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定待加工晶锭表面相对于水平面的倾角范围，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述激光改质参数的关系为
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对激光入射角与激光入射角作差进而减去二者的均值，得到待加工晶锭表面相对于水平面的倾角误差，基于预定倾角和倾角误差得到所述倾角范围。
5.一种改质用于晶圆加工的激光改质焦深控制方法，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：孟炜涛，孙昕宇，周惠言，蒋继乐，
申请(专利权)人：北京特思迪半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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