用于晶圆加工的激光改质焦深控制方法及设备技术

本发明专利技术提供一种用于晶圆加工的激光改质焦深控制方法及设备，应用于半导体加工设备领域，所述方法包括：获取激光改质参数，包括晶锭表面与激光改质层的理论距离H、晶锭折射率n、所述晶锭表面的激光入射点的间距；根据所述激光改质参数和所述理论距离的误差范围，确定待加工晶锭表面相对于水平面的倾角范围，所述倾角范围用于指示待加工晶锭表面相对于水平面的实际倾角，通过控制所述实际倾角保持在所述倾角范围内，使得待加工晶锭表面与激光改质层的实际距离在所述误差范围内。可确保改质层精度符合预期，从而有效避免聚焦改质层分层的现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体加工设备领域，具体涉及一种用于晶圆加工的激光改质焦深控制方法及设备。

技术介绍

1、目前，碳化硅、金刚石等硬脆性第三代半导体材料被广泛应用，但是，这些硬脆性材料晶锭的切片仍旧存在较多的问题，如目前常用的金刚石线锯切割硬脆性材料晶锭存在耗费时间长、材料损耗大、刀具磨损大、面型精度差等问题，并且切割后会产生大量的废液。因此，相关技术中可以通过超快激光改质切割硬脆性材料晶锭的方法，该方法通过将激光聚焦于硬脆性材料晶锭内部，在晶锭内部形成激光改质层，然后使用拉应力剥片或者冷裂剥片的方式进行机械裂片，形成初始的晶圆。

2、激光改质过程中，由于晶锭所处的台面倾斜或晶锭盘片表面高度不一导致，可导致激光改质设备的入射光线角度倾斜，造成亚表面聚焦深度不一致，进而出现聚焦改质层分层的现象。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提供一种用于晶圆加工的激光改质焦深控制方法，包括：

2、获取激光改质参数，包括晶锭表面与激光改质层的理论距离h、晶锭折射率、所述晶锭表面的激光入射点的间距；

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【技术保护点】

1.一种改质用于晶圆加工的激光改质焦深控制方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定待加工晶锭表面相对于水平面的倾角范围，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述激光改质参数的关系为

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对激光入射角与激光入射角作差进而减去二者的均值，得到待加工晶锭表面相对于水平面的倾角误差，基于预定倾角和倾角误差得到所述倾角范围。

5.一种改质用于晶圆加工的激光改质焦深控制方法，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，确定晶锭折射率的浮动范...

【技术特征摘要】

1.一种改质用于晶圆加工的激光改质焦深控制方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定待加工晶锭表面相对于水平面的倾角范围，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述激光改质参数的关系为

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对激光入射角与激光入射角作差进而减去二者的均值，得到待加工晶锭表面相对于水平面的倾角误差，基于预定倾角和倾角误差得到所述倾角范围。

5.一种改质用于晶圆加工的激光改质焦深控制方法，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟炜涛，孙昕宇，周惠言，蒋继乐，
申请(专利权)人：北京特思迪半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：