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本发明提供一种用于晶圆加工的激光改质焦深控制方法及设备，应用于半导体加工设备领域，所述方法包括：获取激光改质参数，包括晶锭表面与激光改质层的理论距离H、晶锭折射率n、所述晶锭表面的激光入射点的间距；根据所述激光改质参数和所述理论距离的误差范...
该专利属于北京特思迪半导体设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京特思迪半导体设备有限公司授权不得商用。

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