【技术实现步骤摘要】
用于晶圆薄膜磨削的厚度在线检测方法及设备
[0001]本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种用于晶圆薄膜磨削的厚度在线检测方法及设备。
技术介绍
[0002]随着半导体产业的迅速发展，集成电路特征尺寸不断趋于微细化，半导体晶片不断地朝小体积、高电路密集度、快速、低耗电方向发展，集成电路现已进入ULSI亚微米级的技术阶段。伴随着硅晶片直径的逐渐增大，元件内刻线宽度逐步缩小，金属层数的增多，因此半导体薄膜表面的高抛光对器件的高性能、低成本、高成品率有着重要的影响，因此硅晶片表面平整度要求将日趋严格。
[0003]化学机械抛光（Chemical Mechanical Planarization，CMP）是一种全局表面平坦化技术，在半导体制造过程中用以减小基板厚度变化和表面形貌的影响。由于CMP可精确并均匀地把基板平坦化为需要的厚度和平坦度，已经成为半导体制造过程中应用最广泛的一种表面平坦化技术。目前主流的技术为在线终点检测，在线终点检测能够更好地控制晶圆薄膜的厚度变化，减少重复操作，实现CMP的自动化操作，从而提高抛光设备...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆薄膜磨削的厚度在线检测方法，其特征在于，包括：在对晶圆薄膜进行磨削过程中，获取晶圆薄膜的反射率与波长关系的实测光谱曲线；在所述实测光谱曲线中分别根据两个预设波长范围选取第一波段和第二波段；计算所述第一波段与所述第二波段的实测积分面积比；根据所述实测积分面积比和参考积分面积比与厚度的对应关系曲线确定所述晶圆薄膜的当前厚度，其中所述对应关系曲线是根据不同厚度的所述晶圆薄膜的参考光谱中，两个预设波长范围下的第一波段和第二波段所计算出的参考积分面积比而预先构建的曲线数据。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述两个预设波长范围是根据所述不同厚度下的反射率与波长关系的参考光谱曲线所呈现出的厚度与反射率的关系所确定的两段预设波长范围，其中第一预设波长范围中的各个曲线呈现出厚度与反射率正相关、第二预设波长范围中的各个曲线呈现出厚度与反射率负相关。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述参考光谱曲线是根据所述晶圆薄膜的折射率、预检测膜厚范围计算出的理论反射率和波长关系的理论光谱曲线。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在根据所述实测积分面积比和参考积分面积比与厚度的对应关系曲线确定所述晶圆薄膜的当前厚度之前，还包括：根据各个厚度下的参考光谱曲线确定转折波段，所述转折波段中厚度与反射率的关系呈现转变；基于所述转折波段确定所述第一预设波长范围和所述第二预设波长范围；在所述参考光谱曲线中分别根据两个预设波长范围选取第一波段和第二波段；计算所述第一波段和所述第二波段的参考积分面积比；根据所述各个厚度下的参考光谱曲线的所述参考积分...
【专利技术属性】
技术研发人员：孟炜涛，蒋继乐，
申请(专利权)人：北京特思迪半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。