本发明涉及半导体领域，具体涉及一种用于晶圆薄膜磨削的厚度在线检测方法及设备，该方法包括在对晶圆薄膜进行磨削过程中，获取晶圆薄膜的反射率与波长关系的实测光谱曲线；在所述实测光谱曲线中分别根据两个预设波长范围选取第一波段和第二波段；计算所述...

本申请公开了一种晶圆压头及半导体抛光设备，包括压头过渡座，压头过渡座上形成有气路通道以及容纳腔；压头组件；弹性胶膜，设于压头组件和压头过渡座之间，弹性胶膜包括胶膜外圈部、胶膜中圈部和胶膜内圈部；胶膜外圈部与压头过渡座的外圈固定连接，胶膜...

本发明涉及半导体领域，具体涉及一种用于晶圆薄膜磨削的终点检测方法及设备，该方法包括：在对晶圆薄膜进行磨削过程中，获取晶圆薄膜的反射率与波长关系的实测光谱曲线；在实测光谱曲线中确定多个特征点；基于多个特征点的波长值，分别在各个参考光谱曲线...

本申请提供的用于加热晶圆的烘箱及下蜡机，烘箱包括：支撑架，设置在所述加热腔内部，并位于所述箱体入口的两侧；纵向传递机构，对应安装在所述支撑架上，所述纵向传递机构包括若干承载部，所述纵向传递机构相邻的一侧形成承托区，所述承载部用以在所述承...

本发明提供的晶圆清洗机构及晶圆清洗系统，属于集成电路设备技术领域，其中，晶圆清洗机构包括：传送带、晶圆夹持组件、调节组件和限位组件，传送带具有平行间隔设置的两条，通过传送带对晶圆进行输送时，晶圆水平架设在相邻两条传送带之间，调节组件与传...

本发明提供一种减薄机砂轮主轴输出功率不确定度的确定方法及设备，所述方法包括：获取砂轮扭矩和砂轮转速的测量数据；利用所述测量数据，确定砂轮扭矩和转速的相关系数和砂轮转速扭矩共同作用的相对测量不确定度；计算砂轮扭矩相对测量不确定度和砂轮转速...

本发明涉及半导体加工设备领域，具体涉及一种晶圆激光改制中改制深度测量不确定度的确定方法及设备，该方法根据晶圆激光改制装置及改制深度测量设备，确定需计算的改制槽晶圆改制深度测量不确定度的分量，包括静态不确定度分量和动态不确定度分量；计算所...

本发明提供一种晶圆抛光设备，通过传力件、传动组件以及第二驱动装置的组合，使得第二驱动装置可以放置在传力件的下方部位，当需要带动驱动环进行转动时，第二驱动装置将动力从机壳的下方通过传动组件传递到传力件上，传力件进一步带动驱动环进行转动，外...

本发明提供的晶圆夹持装置以及晶圆清洗系统，属于集成电路技术领域，其中，晶圆夹持装置包括：第一夹持臂、第二夹持臂、传动件和驱动件，第一夹持臂和第二夹持臂相互平行滑动地设置；第二夹持臂和传动件具有相对远离的第一位置和相对靠近的第二位置；弹性...

本发明提供一种减薄机晶圆厚度测量不确定度的确定方法及设备，其中所述方法包括：根据晶圆减薄机中与减薄及厚度测量相关的子系统，确定需计算的设备不确定度分量；利用所述子系统的性能参数、已知误差和目标厚度计算相应的设备不确定度分量；根据晶圆参数...

本申请公开一种用于加工扁平工件的压盘结构、设备及其面型控制方法，其中，压盘结构包括：环形压盘，为形变盘，设置为可在驱动装置驱动下绕其自身中轴旋转，环形压盘设有抛光盘面和与抛光盘面相背离的背离面，抛光盘面用于对扁平工件进行加工；面型控制腔...

本申请公开一种用于加工扁平工件的压盘结构、设备及其姿态控制方法，其中压盘结构包括支撑座、形变压盘和形变装置，通过在环形变形间隙内设置形变装置，以及通过形变装置内侧和/或外侧发生形变以局部改变环形变形间隙的间距，进而改变环形压盘的抛光盘面...

本实用新型涉及一种用于减薄半导体基板的装置及其清洗机构，其包括：清洗件；升降件，其固定端固定在壳体上，活动端与所述清洗件连接，以改变所述清洗件的升降位置；承力件，其第一端与所述清洗件连接，第二端与受力件的第一端活动连接，所述承力件将承接...

本发明涉及一种用于晶圆批量抛光的柔性气囊结构及下压力精确控制方法，其包括：壳体，可绕自身轴线进行旋转；气囊，设置在壳体内部，包括上气囊与下气囊；上气囊与下气囊分别固定在壳体的上部和下部，且上气囊与下气囊同轴线设置；摆动盘设置在上气囊与下...

本发明涉及一种根据膜厚检测分辨率判断反射谱分辨率极限的方法及系统，其包括：获取被测膜的厚度在对应波长下的反射率，建立在设定的波长范围内的波长与反射率的对应关系，得到该波长范围内的第一反射率曲线；设定被测膜的膜厚改变量为膜厚检测分辨率，获...

本发明涉及一种材料摩擦系数的不确定度的计算方法及应用，其包括：获取待测材料的摩擦力F的测量值及法向力N的测量值，以计算摩擦系数μ；分别获取摩擦力F的标准不确定度u

本发明涉及一种液涨控制的压盘及其用于基材抛光的面型控制方法，其包括第一表面、面型控制腔和第二表面；面型控制腔设置在第一表面和第二表面之间，第一表面用于挤压半导体基材，面型控制腔的一端用于连通液压油控制装置，以使液压油控制装置调节面型控制...

本发明涉及一种半导体基材双面抛光中的平面控制方法及系统，其包括：根据压盘的变形来源将压盘的变形分为加载前变形和加载后变形；分别获取加载前变形的压盘的变形量以及加载后变形的压盘的变形量，并将获取的变形量叠加，得到压盘的总变形量，以对压盘进...

本发明涉及一种半导体基材抛光设备中晶圆压头及其设计方法，其包括：主体加压外壳，其下部中心位置处设置有气囊安装座；外圈加压结构，设置在所述主体加压外壳的下部，沿所述气囊安装座周向设置，用于为晶圆提供周向压力；内圈加压结构，设置在所述气囊安...

本发明涉及一种基于柔性气囊的下压力不确定度计算方法，其包括：根据预先建立的基于柔性气囊下压结构的物理模型，确定下压力计算公式；根据下压力计算公式以及下压力的传递链条，获得下压力不确定度的各个分量；对传递链条中各环节进行相关性分析，确定各...