本发明提供一种快恢复二极管的制造方法及快恢复二极管，其中快恢复二极管的制造方法包括：提供一衬底，在衬底的表面上形成N型区域层，在N型区域层上形成P型区域层，在P型区域层上形成铂结构，在衬底的底面形成用于吸收铂的硼磷硅玻璃，对P型区域层上...

本发明提供一种车道通行控制系统。该车道通行控制系统包括：第一栏杆、第一传感器及第二传感器，第一传感器设置在第一车道上，第二传感器设置在单车道上，第一栏杆设置在第一车道上，位于第一传感器和第二传感器之间；第二栏杆、第三传感器及第四传感器，...

本发明提供一种文件打印方法及系统。该方法包括：接收用户通过网络发送的待打印文件，获取用户对应的安全策略；从待打印文件中提取文本信息，并将提取的文本信息与用户对应的安全策略进行匹配，获得决策结果；根据决策结果，控制待打印文件的打印过程。本...

本发明提供了一种BCD工艺中寄生型NPN三极管的制作方法，该制作方法包括：在BCD板上制作P型衬底以及位于P型衬底内的深N阱区；在深N阱区内进行P阱光刻，形成第一P阱区域和第二P阱区域，其中，第一P阱区域为寄生型N PN三极管的P阱区域...

本发明公开了一种碳化硅晶圆表面析出碳的去除系统及方法。该碳化硅晶圆表面析出碳的去除系统包括：真空容器、氧气输入装置和射频发生器；所述真空容器内置有待加工碳化硅晶圆和等离子体发生电极；所述氧气输入装置，用于向所述真空容器内输入氧气；所述射...

本发明提供了一种半导体场效应晶体管及其制作方法，该半导体场效应晶体管的制作方法，包括：在硅片的沟槽中形成第一氧化硅层；在所述第一氧化硅层上覆盖第一多晶硅层，且所述第一多晶硅层填满所述沟槽；对所述第一氧化硅层和所述第一多晶硅层进行刻蚀，保...

本发明提供一种应用于高频三极管中L型侧墙的制作方法，包括：在N型外延层上形成Ploy层，在Ploy层上进行P+注入形成P+Ploy层并在其上形成第一LP TEOS层；依次对第一LP TEOS层和P+Ploy层进行刻蚀；在N型外延层上且在...

本发明提供了一种纸媒广告的监测方法，包括：扫描纸媒的各个版面以得到各个图片；从各个图片中识别出符合预定规则的图像；提供界面以从图像中人工筛选广告以广告的图像的像素面积以及在图片中的位置，确定广告的信息。本发明还提供了一种纸媒广告的监测装...

本发明提供一种金属氧化物半导体MOS器件及其制作方法，解决现有通过减少接触孔的面积来减小芯片面积的方法，会对高频或高精度集成电路造成很大的不良影响的问题。本发明的MOS器件包括：半导体衬底层，半导体衬底层内形成有源极注入区，源极注入区包...

本发明提供了一种结终端扩展结构的制备方法、一种结终端扩展结构和一种VDMOS功率器件，其中，所述结终端扩展结构的制备方法包括：在衬底结构的第一外延层上形成掩膜层；在所述掩膜层上形成光刻层，所述光刻层包括具有预设宽度的第一沟槽；根据所述第...

本发明提供了一种垂直双扩散MOS器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，用以解决现有技术在VDMOS器件的源极和漏极之间加压时，容易造成源漏之间漏电的问题。本发明实施例的制作方法包括：在N型衬底层的表面形成N型外延层；在所述N型外延层内形...

本发明提供了一种VDMOS功率器件的制备方法和一种VDMOS功率器件，其中，所述制备方法包括：在形成有外延层的衬底上依次生长栅氧层和多晶栅极，并对所述多晶栅极进行氧化处理，以形成氧化层；在所述氧化层上生成一层氮化硅层，以形成目标衬底结构...

本发明提供了一种超结功率器件的制备方法和一种超结功率器件，其中，所述制备方法包括：在制备有衬底结构的第一外延层上形成掩膜层，并对所述掩膜层进行刻蚀处理；对所述第一外延层进行浅槽刻蚀处理，以形成与所述第一外延层接触的第一沟槽；对所述第一沟...

本发明提供一种超结功率器件及其制造方法，涉及半导体芯片制造技术领域。该方法包括：在N型衬底经外延生成的N型外延层，注入形成第一P型区域和N型截止区域；在所述第一P型区域和所述N型截止区域之间的所述N型外延层上，形成一凹槽结构的P型注入窗...

本发明提供了一种瞬变电压抑制二极管的制备方法和瞬变电压抑制二极管，上述制备方法包括：在N型衬底上形成P型外延层，以完成光电二极管的制备；在所述P型外延层上形成隔离槽，以每个所述隔离槽划分所述光电二极管为两个光电二极管单元；在所述光电二极...

本发明实施例提供一种超结功率器件的制作方法，该方法包括：提供衬底，并在所述衬底的表面上生长外延层；在所述外延层上制作第一P型柱和第二P型柱；在所述第一P型柱和所述第二P型柱的表面上进行离子注入，以降低所述第一P型柱和所述第二P型柱表面上...

本发明提供了一种VDMOS器件的制作方法，包括：在基底上形成初始氧化层；对初始氧化层进行光刻、刻蚀，生成由相距预设间距、具有预设宽度的多块初始氧化层定义的有源区窗口，该预设间距和该预设宽度小于预设倍数的体区横向宽度；进行有源区离子注入，...

本发明提供了一种二极管的制备方法和二极管，其中，二极管的制备方法包括：在形成N型外延层的N型衬底上，依次形成栅氧化层、多晶硅层和隔离氧化层；采用各向同性腐蚀工艺对隔离氧化层进行刻蚀；基于图形化掩膜依次对多晶硅层和栅氧化层进行各向异性刻蚀...

本发明提供了一种二极管的制备方法和二极管，其中，二极管的制备方法包括：对N型外延层进行N型离子注入；在N型注入层上依次形成栅氧化层、多晶硅层和隔离氧化层；采用各向同性腐蚀工艺对隔离氧化层进行刻蚀；基于图形化掩膜依次对多晶硅层和栅氧化层进...

本发明提供一种沟槽型肖特基二极管的制备方法，包括：对表面依次设置了氧化硅层、氮化硅层的半导体硅基底进行光刻和刻蚀，以形成刻蚀窗口；通过刻蚀窗口，对半导体硅基底的N型外延层进行刻蚀，形成硅沟槽；去除氮化硅层，在整个器件的表面上形成栅极氧化...