The invention discloses a system and method for removing carbon on the surface of silicon carbide wafer. The system includes the removal of silicon carbide wafer surface precipitation of carbon: a vacuum container, an oxygen input device and a radio frequency generator; the vacuum container needs to be built in machining SiC wafers and plasma electrode; the oxygen input device for oxygen input into the vacuum container; the RF generator to the plasma electrode the RF signal with preset power; the plasma generating electrode for the ionization vacuum container oxygen plasma is formed by the plasma removal of the silicon carbide wafer surface carbon precipitation. The present invention eliminates the precipitated carbon on the surface of silicon carbide wafer by plasma, so as to avoid the influence of the precipitated carbon on the leakage and pressure resistance performance of the silicon carbide device, and effectively improve the yield and reliability of the silicon carbide wafer.
【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶体晶圆表面析出碳的去除系统及方法
本专利技术涉及半导体
,具体涉及一种碳化硅晶圆表面析出碳的去除系统及方法。
技术介绍
在碳化硅器件的生产过程中,不可避免的要经过一步或多步的高温过程,而高温将会造成碳化硅晶圆表面出现碳析出的现象,进而恶化碳化硅器件的漏电和耐压等电学参数的性能,从而降低产品的良率和可靠性,提高了碳化硅器件的生产成本。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷,本专利技术提供了一种碳化硅晶圆表面析出碳的去除系统及方法,通过等离子体去除碳化硅晶圆表面的析出碳,能有效地提高碳化硅晶圆的生产良率和可靠性。本专利技术提出了一种碳化硅晶圆表面析出碳的去除系统,包括真空容器、氧气输入装置和射频发生器;所述真空容器内置有待加工碳化硅晶圆和等离子体发生电极;所述氧气输入装置,用于向所述真空容器内输入氧气;所述射频发生器,用于向所述等离子体发生电极施加预设功率的射频信号;所述等离子体发生电极,用于电离所述真空容器内的氧气形成等离子体,以通过所述等离子体去除所述碳化硅晶圆表面的析出碳。优选地,该系统还包括:清洗装置;所述清洗装置,用于采用氢氟酸溶液对去除析出碳之后的碳化硅晶圆进行清洗。优选地,所述氢氟酸溶液的浓度为0.5%-10%。优选地,清洗处理的时间为30秒-10分钟。优选地,所述等离子体发生电极包括至少一组极板;每组极板包括两个正对设置的极板,所述两个正对设置的极板之间的距离为0.5-3厘米。优选地,所述等离子体发生电极电离工作的时间在600秒之内。优选地,在等离子体去除析出碳的过程中,所述真空容器内的腔体压力为10-800毫托。优选地,所述预设功 ...
【技术保护点】
一种碳化硅晶圆表面析出碳的去除系统,其特征在于,包括真空容器、氧气输入装置和射频发生器;所述真空容器内置有待加工碳化硅晶圆和等离子体发生电极;所述氧气输入装置,用于向所述真空容器内输入氧气;所述射频发生器,用于向所述等离子体发生电极施加预设功率的射频信号;所述等离子体发生电极,用于电离所述真空容器内的氧气形成等离子体,以通过所述等离子体去除所述碳化硅晶圆表面的析出碳。
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶圆表面析出碳的去除系统,其特征在于,包括真空容器、氧气输入装置和射频发生器;所述真空容器内置有待加工碳化硅晶圆和等离子体发生电极;所述氧气输入装置,用于向所述真空容器内输入氧气;所述射频发生器,用于向所述等离子体发生电极施加预设功率的射频信号;所述等离子体发生电极,用于电离所述真空容器内的氧气形成等离子体,以通过所述等离子体去除所述碳化硅晶圆表面的析出碳。2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,该系统还包括:清洗装置;所述清洗装置,用于采用氢氟酸溶液对去除析出碳之后的碳化硅晶圆进行清洗。3.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,所述氢氟酸溶液的浓度为0.5%-10%。4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,清洗处理的时间为30秒-10分钟。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述等离子体发生电极包括至少一组极板;...
【专利技术属性】
技术研发人员:贺冠中,
申请(专利权)人:北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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