本发明提供了一种圆钢的轧制方法。包括：将坯材加热至第一设定温度范围；对坯材进行至少两组的有效高温轧制：以第一压下比对坯材进行第一组有效高温轧制；以第二压下比对坯材进行第二组有效高温轧制；相邻两个道次有效高温轧制作用的坯材的表面不同；对坯...

本发明公开了集成超高压电阻的集成电路器件及其制作方法，方法包括：在衬底中形成N型阱区和P型阱区，在N型阱区及P型阱区表面部分区域形成场氧化层；在场氧化层上预制作高压电阻的区域形成氮化硅层和覆盖该氮化硅层的氧化硅层；在衬底未被场氧化层覆盖...

本发明提供了一种场效应管MOS器件，包括：P型衬底、设置于P型衬底上的第一P阱区和多晶硅层，其中多晶硅层形成为沿第一方向的第一中心线相对称的结构；相对于第一中心线，多晶硅层包括位于第一中心线两侧的第一部分、第二部分以及位于第一部分和第二...

本发明提供一种掩膜结构及掩膜结构的制作方法，包括：位于衬底上的氧化层和位于所述氧化层上的绝缘层，在所述氧化层上设有氧化层沟槽，在所述绝缘层上设有与氧化层沟槽贯穿的绝缘层沟槽，氧化层沟槽的宽度大于绝缘层沟槽的宽度。一种的掩膜结构的制作方法...

本发明涉及一种基于版面组版的版面标引方法，包括以下步骤：网络组版装置登录数据服务器，选择要组版的预见报版次，使用版心创建版面；将属于所述版面的数据服务器的稿件按设定布局排入版面中；完成组版后提交点样，提交点样成功后自动跳转至网络标引装置...

本发明提供了一种波导槽的制作方法，该方法包括：在PCB板上开设凹槽；将PCB板浸没在电镀铜液中进行电镀，在凹槽的侧壁和底部均形成镀铜层；将形成镀铜层的PCB板浸没在电镀锡液中进行电镀，在镀铜层上形成镀锡层；采用高精度电脑数控设备刮除凹槽...

本发明提供了一种高压横向扩散金属氧化物半导体LDMOS，涉及半导体技术领域，解决现有高压LDMOS由于电场集中以及尖端放电导致器件失效的问题。该高压LDMOS包括：P型衬底；形成于P型衬底上的高压N阱区；高压N阱区包括沿第一方向依次排列...

本发明提供一种超高压横向双扩散金属氧化物半导体及其制造方法。该方法包括：在P型衬底上形成P阱PW区域和高压N型阱HVNW区域；在HVNW区域表面选择性氧化，形成氧化层；在PW区域、HVNW区域和氧化层上形成多区域多晶硅poly层，多区域...

本发明涉及一种快恢复二极管的制造方法及快恢复二极管。该方法包括：在半导体衬底的第一表面形成外延层；在所述外延层上形成P型区域；在所述P型区域上制备Pt层，并加热进行Pt扩散；在形成的层结构的正面注入N型离子；在形成的层结构的正面注入P型...

本发明提供一种双向沟槽TVS二极管及制作方法，包括：一P型衬底层；在P型衬底层上的一P型外延层；在P型外延层上的三道第一沟槽，其槽底深入P型衬底层内；填充于第一沟槽内的氧化物；在P型外延层上的两道第二沟槽，且第二沟槽位于相邻第一沟槽之间...

本实用新型提供了一种电路板的排版结构，包括子板，子板包括偶数个电路板单元，偶数个电路板单元被分为第一组电路板单元和第二组电路板单元，每组电路板单元中电路板单元的数量为一个或多个，每一电路板单元的电路层数为多层，且两组电路板单元关于第一对...

本发明公开了一种提升半色调图像层次的抖动序列生成方法和装置，其中方法包括：根据抖动空间矩阵对应生成第一初始分化序列和第二初始分化序列，将第一初始分化序列中序列元素大于预设阈值的序列元素初始化为零，将第二初始分化序列中序列元素小于或等于预...

本发明提供一种栅极结构及其制造方法。本发明的栅极结构的制造方法，包括如下顺序进行的步骤：在硅衬底上依次形成栅氧化层和第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层上形成金属层；在所述金属层上形成第二多晶硅层；热处理，使所述金属层分别与所述第一多晶硅层...

本发明提供了一种多晶硅栅极的制造方法及多晶硅栅极，其中，多晶硅栅极的制造方法包括：在衬底上依次生成栅氧化层、多晶硅层和氮化硅层；对所述氮化硅层和所述多晶硅层进行光刻和刻蚀，且所述多晶硅层上被刻蚀的位置保留预设厚度的余量；对外露的所述多晶...

本发明提供一种收货地址管理方法及装置，其中方法包括：获取用户预先设置的多个收货地址；确定用户当前所在地理位置信息；根据各收货地址与所述地理位置信息之间的距离，对所述多个所述收货地址进行排序。本发明提供的收货地址管理方法及装置，通过获取用...

本发明涉及一种双侧墙VDMOS器件及其制作方法，该方法包括：在N+衬底上形成N‑外延层；在N‑外延层上依次形成第一栅绝缘层、栅极层和第二栅绝缘层；在N‑外延层上的源区内注入P‑离子和N+离子；形成覆盖所述栅极层侧壁的绝缘隔离墙；在形成了...

本发明提供一种热点专题发布方法及装置，其中方法包括：确定用于生成热点专题界面的关键词；抓取网络中与关键词相关的多个数据信息；根据各数据信息的热度，对抓取到的多个数据信息进行排序，获取热点数据信息；根据预设的界面模板以及热点数据信息，生成...

本发明实施例提供了一种VDMOS芯片的测试装置及方法，所述装置包括：并排设置的至少两个针卡；其中，所述至少两个针卡之间通过导线连接，且相邻两个针卡之间的间距与晶圆的第一方向上相邻两个垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管VDMOS芯片...

本发明的实施例提供了一种横向双扩散金属氧化物半导体结构，该横向双扩散金属氧化物半导体结构的源极区域和/或漏极区域内设置有至少两个场板；其中，在源极区域中，第二场板与场氧层之间的距离小于第四场板与场氧层之间的距离时，在源极到漏极方向上，第...

本发明提供了一种横向扩散金属氧化物半导体LDMOS器件及版图，该LDMOS器件包括：P型衬底；形成于P型衬底上的耗尽区；耗尽区包括沿第一方向依次排列的至少两个直道区域和在直道区域的一端连接两个直道区域的过渡区域；两个直道区域包括：第一直...