本发明提供了一种底板组件及数字印刷设备，底板组件包括：基板；底板，贴合在基板的上板面上，其中，底板的第一端与基板的一端可转动地连接；调节件，可转动地安装在基板的另一端，其中，调节件与底板配合，可使底板在基板上旋转至任一位置；锁紧件，与调...

本发明提供了一种底板组件及数字印刷设备，数字印刷设备包括承印物，其中，底板组件包括：滑轨，滑轨包括第一滑轨和第二滑轨；底板，底板的一端与第一滑轨连接，底板的另一端与第二滑轨连接；调节组件，安装在滑轨上，并与底板连接，其中，调节调节组件，...

本发明提供了一种电连接结构的制备方法和集成电路芯片，其中，制备方法包括：依次在基板上形成多个载流子区和载流子区上方覆盖的绝缘掩膜结构后，在绝缘掩膜结构中形成接触孔；在接触孔中形成离子掺杂的多晶硅接触块；在离子掺杂的多晶硅接触块上方形成金...

本发明实施例提供一种沟槽肖特基器件的制作方法。该方法包括：对硅衬底的预设区域进行刻蚀形成沟槽；在剩余硅衬底的表面和所述沟槽中填充旋涂玻璃；对所述旋涂玻璃进行回刻，去掉除沟槽内部的旋涂玻璃之外的旋涂玻璃，以露出所述硅衬底；对所述硅衬底进行...

本发明提供一种PCB层间互联的制作方法及PCB。该方法包括：从PCB的顶层到所述PCB内的导通层制作盲孔；从所述盲孔的底部到所述PCB的底层制作通孔，所述通孔的孔径小于所述盲孔的孔径；在所述盲孔和所述通孔的内壁上镀金属层；去除所述通孔内...

本发明提供一种焊盘加工方法及使用该方法的PCB板生产方法，所述焊盘加工方法包括如下步骤：在铺设有金属箔的基板板面上形成阻焊层；对金属箔的用于形成焊盘的焊盘区域进行遮挡，并使遮挡区域完全遮挡焊盘区域，且遮挡区域的边缘超出焊盘区域的边缘一定...

本发明提供了一种阶梯电路板及其制作方法，且该制作方法包括以下步骤：制作至少两个子线路板，子线路板包括基板和形成于基板的两个表面上的线路图形，且至少一个子线路板的线路图形上设置有阶梯槽区域；将各子线路板逐个进行粘合处理，形成母线路板；切割...

本发明提供了一种功率二极管的制备方法和功率二极管，其中，制备方法包括：在N型衬底上依次形成N型外延层和N型外延层的预设区域的N型结区；在形成N型结区后，在N型外延层上依次形成场氧化层、多晶硅层和绝缘层掩膜结构，绝缘层掩膜结构与N型结区在...

本发明提供了一种超势垒二极管的制备方法和超势垒二极管，其中，制备方法包括：在N型衬底上依次形成N型外延层、场氧化层、P型多晶硅层和绝缘层；在绝缘层上形成图形化掩膜层后，对绝缘层进行各向同性刻蚀，以形成绝缘层掩膜结构；以绝缘层掩膜结构为掩...

本发明的实施例提供了一种超高压横向双扩散金属氧化物半导体结构及方法，该超高压横向双扩散金属氧化物半导体结构包括：漏极，漏极包括手指区域和直道区域，手指区域内的金属层的第一场板的第一长度，与直道区域内的金属层的第二场板的第二长度不同。本发...

本发明提供了一种金属氧化物半导体的制备方法和金属氧化物半导体，金属氧化物半导体的制备方法包括：在P型衬底上依次形成N型肼区和P型肼区；在N型肼区的中心区域进行N型离子注入，以形成N型漂移区；在N型漂移区的边界区域形成场氧化层，以暴露出N...

本发明提供了一种肖特基二极管的制备方法和肖特基二极管，其中，制备方法包括：在N型衬底上依次形成N型外延层和第一介质层；依次对第一介质层和N型外延层进行刻蚀，以分别形成N型外延层上的介质层台阶和N型外延层的沟槽；以介质层台阶为掩膜对N型外...

本发明提供了一种二极管的金属电极、制备方法和二极管，其中，制备方法包括：在完成二极管的半导体功能层的制备后，在所述半导体功能层的正侧形成合金层；对所述合金层进行退火处理，以形成所述半导体功能层和所述合金层之间的金属硅化物层；在形成所述金...

本发明实施例提供一种电路板成型方法，通过获取待成型电路板，所述待成型电路板包括多个相互分离的电路板单元，所述待成型电路板中除所述多个相互分离的电路板单元之外的区域是待切割区域；根据成型定位系统，在待成型电路板中任意两个相邻的电路板单元间...

本发明提供一种场氧化层的平坦化方法。本发明的场氧化层的平坦化方法，包括如下顺序进行的步骤：在硅衬底上依次形成氧化层和氮化硅层；光刻、刻蚀，在所述氮化硅层上形成场氧化层图形；在所述场氧化层图形上形成场氧化层；刻蚀部分场氧化层和全部氮化硅层...

本发明公开了一种数据处理方法、装置及喷墨印刷机，其方法包括：将一线图像点阵数据按照预设喷嘴排布规律拆分为n组图像点阵数据；其中，预设喷嘴排布规律中所有喷嘴划分为多个虚拟排，n为所包括多个虚拟排的排数；将n组图像点阵数据按照第一预设地址规...

本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构包括：衬底；形成于所述衬底中的具有第一掺杂类型的第一阱区、具有第二掺杂类型的第二阱区和具有第一掺杂类型的第三阱区；第二阱区设置在第一阱区和第三阱区之间；形成于第一阱区中的源极引出区，...

本发明提供了一种过滤组件和液体分析装置，该过滤组件包括本体、过滤网和第一端盖，本体内设有贯穿本体的通道，通道的通道出口与取样管的取样入口相连接；过滤网设置在通道的通道入口端，并封盖通道入口；第一端盖套设在本体上设有过滤网的一端，并与本体...

本发明涉及一种双队列半色调网点生成方法和装置，通过根据预设规则，对用于生成网点的阈值矩阵进行区域划分，得到划分后的若干第一网点区域，确定第一网点区域中心点，将相邻四个第一网点区域中心点相连，形成第二网点区域；确定每个像素点与第一网点区域...

本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：在半导体基底上形成栅氧化层；在所述栅氧化层上形成栅材料层；采用干法刻蚀工艺刻蚀所述栅材料层形成栅极，并在形成所述栅极的过程中对栅材料层进行去离子处理。根据本发明，在采用干法刻蚀工艺刻蚀栅材料层形...