二极管的金属电极、制备方法和二极管技术

本发明专利技术提供了一种二极管的金属电极、制备方法和二极管，其中，制备方法包括：在完成二极管的半导体功能层的制备后，在所述半导体功能层的正侧形成合金层；对所述合金层进行退火处理，以形成所述半导体功能层和所述合金层之间的金属硅化物层；在形成所述金属硅化物层后，在所述半导体功能层的背侧形成金属层。通过本发明专利技术技术方案，减小了少子寿命，减小了反向恢复时间，降低了器件的通态压降。

【技术实现步骤摘要】
二极管的金属电极、制备方法和二极管
本专利技术涉及半导体制造
，具体而言，涉及一种二极管的金属电极的制备方法、一种二极管的金属电极和一种二极管。
技术介绍
现代电力电子电路中的主回路不论是采用换流关断的晶闸管，还是采用有自关断能力的新型电力电子器件，如GTO(GateTurn-offThyristor，门极关断晶体管)、MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)等，都需要一个与之并联的功率快恢复二极管，以通过负载中的无功电流，减小主开关器件电容的充电时间，同时抑制因负载电流瞬时反向时由寄生电感感应产生的高电压。随着功率半导体器件制造技术的不断进步，电力电子电路中的主开关器件如VDMOS、IGBT等新型功率半导体器件的设计与制造取得了巨大的进步，频率性能不断提高，这对与之配套使用的功率快恢复二极管提出了更高的要求。所以，该二极管必须具有短的反向恢复时间、低的通态压降和耐高压特性。相关技术中，为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二极管的金属电极的制备方法，其特征在于，包括：在完成二极管的半导体功能层的制备后，在所述半导体功能层的正侧形成合金层；对所述合金层进行退火处理，以形成所述半导体功能层和所述合金层之间的金属硅化物层；在形成所述金属硅化物层后，在所述半导体功能层的背侧形成金属层。

【技术特征摘要】
1.一种二极管的金属电极的制备方法，其特征在于，包括：在完成二极管的半导体功能层的制备后，在所述半导体功能层的正侧形成合金层；对所述合金层进行退火处理，以形成所述半导体功能层和所述合金层之间的金属硅化物层；在形成所述金属硅化物层后，在所述半导体功能层的背侧形成金属层。2.根据权利要求1所述的二极管的金属电极的制备方法，其特征在于，所述在完成二极管的半导体功能层的制备后，在所述半导体功能层的正侧形成合金层，具体包括以下步骤：在完成二极管的半导体功能层的制备后，在所述半导体功能层的正侧进行多种金属的蒸镀处理，以形成所述合金层。3.根据权利要求1所述的二极管的金属电极的制备方法，其特征在于，所述在完成二极管的半导体功能层的制备后，在所述半导体功能层的正侧形成合金层，具体还包括以下步骤：在完成二极管的半导体功能层的制备后，在所述半导体功能层的正侧进行多种金属的金属溅射处理，以形成所述合金层。4.根据权利要求1所述的二极管的金属电极的制备方法，其特征在于，所述对所述合金层进行退火处理，以形成所述半导体功能层和所述合金层之间的金属硅化物层，具体包括以下步骤：所述退火处理包括第一阶段退火，所述第一阶段退火的温度范围为900～950℃，退火时间的范围为20～30分钟，所述第一阶段退火的升温速率小于或等于30℃/分钟...

【专利技术属性】
技术研发人员：李理，赵圣哲，姜春亮，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11