一种超高压横向双扩散金属氧化物半导体结构及方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种超高压横向双扩散金属氧化物半导体结构及方法，该超高压横向双扩散金属氧化物半导体结构包括：漏极，漏极包括手指区域和直道区域，手指区域内的金属层的第一场板的第一长度，与直道区域内的金属层的第二场板的第二长度不同。本发明专利技术的实施例能弱化超高压横向双扩散金属氧化物半导体漏极手指区域的尖端放电以及电场集中效应，提升超高压横向双扩散金属氧化物半导体的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种超高压横向双扩散金属氧化物半导体结构及方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种超高压横向双扩散金属氧化物半导体结构及方法。
技术介绍
超高压横向双扩散金属氧化物半导体(UHVLDMOS)经常用于电源管理芯片，输入端通常为220伏市电，因此需要器件可以耐高压。而硅半导体器件想得到高耐压就需要长的耗尽区，耗尽区的长度又直接影响器件的导通电阻。其中，耗尽区的长度越长，导通电阻越大，进而功耗就越大。而理想器件是指能耐高压又有低的导通电阻的器件。目前，为了使生产的UHVLDMOS为理想器件，通常的解决办法是在含有UHVLDMOS的BCD工艺中增加UHVLDMOS的沟道宽度，这样就能得到设计需要的导通电阻(Rdson)，通常需要的沟道宽度都比较大，一般都要大于5000微米，但是对于700伏耐压器件的耗尽区一般在65微米，如此大的比例差距在版图上通常通过布局手指区域101(即手指状的区域)实现，但如图1～图2所示，由于手指区域101内金属层2的第三场板5的长度，与直道区域102内金属层2的第四场板6的长度相同，导致在手指区域101的尖端(即手指头的地方)就会遇到电场集中以及尖端放电的问本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超高压横向双扩散金属氧化物半导体结构，包括漏极(1)，其特征在于，所述漏极(1)包括手指区域(101)和直道区域(102)，所述手指区域(101)内的金属层(2)的第一场板(3)的第一长度，与所述直道区域(102)内的金属层(2)的第二场板(4)的第二长度不同。

【技术特征摘要】
1.一种超高压横向双扩散金属氧化物半导体结构，包括漏极(1)，其特征在于，所述漏极(1)包括手指区域(101)和直道区域(102)，所述手指区域(101)内的金属层(2)的第一场板(3)的第一长度，与所述直道区域(102)内的金属层(2)的第二场板(4)的第二长度不同。2.如权利要求1所述的超高压横向双扩散金属氧化物半导体结构，其特征在于，所述第一长度大于所述第二长度。3.如权利要求1所述的超高压横向双扩散金属氧化物半导体结构，其特征在于，所述第一长度小于所述手指区域(101)内相邻有源区间距的一半。4.如权利要求1所述的超高压横向双扩散金属氧化物半导体结构，其特征在于，所述手指区域(101)内相邻有源区间距为所述第一长度的4倍。5.如权利要求1所述的超高压横向双扩散金属氧化物半导体结构，其特征在于，所述手指区域(101)内的金属层(2)的第一场板(3)为半椭圆形。6.一种制备如权利要求1～5任一项所述的超高压横向双扩散金属氧化物半导体结构的方法，其特征在于，所述方法包括：在P型衬底上形成高压N型阱HVNW区域和P阱PW区域；在所述HVNW区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜蕾，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11