半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸
Manufacturing methods of semiconductor devices and semiconductor devices
The drift layer (20) is formed by a wideband gap semiconductor. The first well area (30) is set on the drift layer (20). The source region (40) is set on each of the first well area (30). The gate insulating film (50) is set on the first well area (30). The first electrode (80) is connected to the source region (40), and has a diode characteristic that can be electrically charged to the drift layer (20) between the first well region (30). The second well area (31) is set on the drift layer (20). The second electrode (81) is connected to the second well area (31), and is separated from the gate electrode (82) and the first electrode (80).
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法，特别涉及使用宽带隙半导体的半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
已知当正向电流持续流向使用碳化硅(SiC)的pn二极管时正向电压增加(例如，参照下述非专利文献1)。这被认为是由于通过pn二极管被注入的少数载流子与多数载流子复合时的复合能量以存在于碳化硅基板的基底面位错等为起点而作为面缺陷的三角层叠缺陷(还称为肖克利型层叠缺陷(shockleytypestackingfaults))在晶体中扩张的缘故(例如，参照下述非专利文献2)。pn二极管的正向电压的增加被认为是因为三角层叠缺陷阻碍电流的流动。正向电压的该增加可能引起可靠性的劣化。关于这样的正向电压偏移，有报告称即使在使用碳化硅的MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)中也同样地产生(例如，参照下述非专利文献3)。MOSFET构造在源极与漏极间具有寄生pn二极管(体二极管)，当正向电流流到该体二极管时，引起与pn二极管同样的可...
【技术保护点】
一种半导体装置(101～106、106a～106c)，具备：具有第1导电类型的半导体基板(10)；具有所述第1导电类型的漂移层(20)，设置在所述半导体基板上，由宽带隙半导体形成；具有与所述第1导电类型不同的第2导电类型的多个第1阱区域(30)，设置在所述漂移层上；具有所述第1导电类型的源极区域(40)，设置在所述第1阱区域的每一个之上，利用所述第1阱区域与所述漂移层分离；栅极绝缘膜(50)，设置在所述第1阱区域上；栅极电极(82)，设置在所述栅极绝缘膜上；第1电极(80)，与所述源极区域相接，具有能够在所述第1阱区域之间向所述漂移层进行单极通电的二极管特性；具有所述第2导...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.22 JP 2015-0872521.一种半导体装置(101～106、106a～106c)，具备：具有第1导电类型的半导体基板(10)；具有所述第1导电类型的漂移层(20)，设置在所述半导体基板上，由宽带隙半导体形成；具有与所述第1导电类型不同的第2导电类型的多个第1阱区域(30)，设置在所述漂移层上；具有所述第1导电类型的源极区域(40)，设置在所述第1阱区域的每一个之上，利用所述第1阱区域与所述漂移层分离；栅极绝缘膜(50)，设置在所述第1阱区域上；栅极电极(82)，设置在所述栅极绝缘膜上；第1电极(80)，与所述源极区域相接，具有能够在所述第1阱区域之间向所述漂移层进行单极通电的二极管特性；具有所述第2导电类型的至少一个第2阱区域(31)，设置在所述漂移层上；第2电极(81)，与所述第2阱区域相接，与所述栅极电极以及所述第1电极分离；以及第3电极(85)，电连接于所述半导体基板。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第2电极具有电极焊盘(81P)。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述电极焊盘具有探针痕迹(81M)。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还具备布线部(89)，该布线部(89)在所述第1电极以及所述第2电极的上方使所述第1电极以及所述第2电极电气短路。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其中，所述第1电极具有第1欧姆接触部(71)，该第1欧姆接触部(71)与所述第2阱区域欧姆连接，所述第2电极具有第2欧姆接触部(72)，该第2欧姆接触部(72)与所述第2阱区域欧姆连接。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还具备比所述栅极绝缘膜厚的场绝缘膜(52)，该场绝缘膜(52)与所述第1阱区域分离而设置在所述第2阱区域上，所述第1欧姆接触部以及第2欧姆接触部中的至少任意一个配置在设置于所述场绝缘膜的接触孔内。7.根据权利要求5或者6所述的半导体装置，其中，所述至少一个第2阱区域包括多个第2阱区域，所述多个第2阱区域中的所述第1欧姆接触部所欧姆连接的第2阱区域与所述多个第2阱区域中的所述第2欧姆接触部所欧姆连接的第2阱区域不同。8.根据权利要求5或者6所述的半导体装置，其中，所述至少一个第2阱区域包括具有与所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：贞松康史，日野史郎，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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