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漂移层(20)由宽带隙半导体形成。第1阱区域(30)设置在漂移层(20)上。源极区域(40)设置在第1阱区域(30)的每一个之上。栅极绝缘膜(50)设置在第1阱区域(30)上。第1电极(80)与源极区域(40)相接，具有能够在第1阱区域(3...
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