半导体器件的制作方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制作方法，包括：在半导体基底上形成栅氧化层；在所述栅氧化层上形成栅材料层；采用干法刻蚀工艺刻蚀所述栅材料层形成栅极，并在形成所述栅极的过程中对栅材料层进行去离子处理。根据本发明专利技术，在采用干法刻蚀工艺刻蚀栅材料层形成栅极的过程中，对栅材料层进行去离子处理，以避免过多的离子积累在栅材料层而导致栅氧化层发生击穿损伤，进而能够保证半导体器件的整体性能。

Fabrication methods of semiconductor devices

The invention provides a method of manufacturing a semiconductor device includes a gate oxide layer is formed on a semiconductor substrate; forming a gate material layer on the gate oxide layer; forming a gate gate material layer by etching the etching process, and deionized treatment on the gate material layer in the process of forming the gate. According to the invention, in the process of forming a gate layer by etching the etching process of gate material, gate material layer for deionization, to avoid excessive accumulation of ions in the gate material layer and lead to gate oxide breakdown damage, and to ensure the overall performance of semiconductor devices.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制作方法
本专利技术涉及半导体技术，尤其涉及一种半导体器件的制作方法。
技术介绍
半导体(semiconductor)是指在常温下，导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体的导电性是可控的，范围可从绝缘体至几个欧姆之间。现如今，大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是录音机中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联，其在各种电子设备上都有着广泛的应用。现有技术中制作半导体的方法如下所示：如图1A所示，在半导体衬底101上形成栅氧化层102。该半导体衬底101可以是硅衬底。如图1B所示，在栅氧化层102上形成栅材料层103。该栅材料层103的材料具体是多晶硅。如图1C所示，在栅材料层103上形成具有图案的光刻胶层104。如图1D所示，以光刻胶层104为掩膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀栅材料层103，以形成栅极105。上述过程中，干法刻蚀工艺是采用气体进行离子刻蚀，气体中的离子会在栅材料层103上积累，当积累到一定程度时，会导致栅氧化层102发生击穿损伤，例如在图1D中所示的区域P发生击穿损伤，进而损坏半导体器件的整体性能。
技术实现思路
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【技术保护点】
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：在半导体基底上形成栅氧化层；在所述栅氧化层上形成栅材料层；采用干法刻蚀工艺刻蚀所述栅材料层形成栅极，并在形成所述栅极的过程中对栅材料层进行去离子处理。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：在半导体基底上形成栅氧化层；在所述栅氧化层上形成栅材料层；采用干法刻蚀工艺刻蚀所述栅材料层形成栅极，并在形成所述栅极的过程中对栅材料层进行去离子处理。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述采用干法刻蚀工艺刻蚀所述栅材料层形成栅极，并在形成所述栅极的过程中对栅材料层进行去离子处理包括：对所述栅材料层至少进行两次干法刻蚀工艺，直至露出所述栅氧化层，以形成栅极，且每两次干法刻蚀工艺之间对所述栅材料层进行去离子处理。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，每次刻蚀所述栅材料层的深度相等。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，每次刻蚀所述栅材料层的深度为所述栅材料层的原始厚度的1/5-1/2。5.根据权利要求1-4中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述对栅材料层进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：马万里，赵圣哲，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11