北大方正集团有限公司专利技术

北大方正集团有限公司共有3991项专利

  • 免疫抑制剂依维莫司的分析方法
    本发明涉及免疫抑制剂依维莫司的分析方法,该方法采用高效液相色谱法;其中,固定相为反相硅胶;流动相由水相和有机相组成,所述有机相为乙腈和甲醇的混合液。本发明所提供的依维莫司分析方法,具有实用可靠、准确稳定、操作简单、分析时间短等优点,并且...
  • 碳化硅晶圆片的制备方法和碳化硅晶圆片
    本发明提供了一种碳化硅晶圆片的制备方法和碳化硅晶圆片,其中,制备方法包括:在碳化硅基板的背面形成不透明的结构层,其中,所述不透明的结构层包括不透明的硅化物层、金属层和硅层中的至少一种。通过本发明的技术方案,有效地解决了碳化硅晶圆片兼容于...
  • 多层电路板和多层电路板的制备方法
    本发明提供了一种多层电路板和多层电路板的制备方法,其中,多层电路板包括:至少两个光学对位标,通过蚀刻设置于芯板上,用于对至少两个芯板进行对位;至少两个熔合加热区域,设置于芯板的板边上,用于将至少两个芯板在完成对位后,进行熔合。通过本发明...
  • 数据生成方法和数据生成装置
    本发明提出了一种数据生成方法和一种数据生成装置,其中,数据生成方法包括:根据待处理信息的数量,创建多个线程;根据数据生成回调函数,分别处理所述多个线程中的每个线程分得的待处理信息,得到初步数据;将所述每个线程的所述初步数据发送至所述每个...
  • 用户关系抽取方法和用户关系抽取系统
    本发明提出了一种用户关系抽取方法和一种用户关系抽取系统,其中,用户关系抽取方法包括:获取第一用户的第一发布数据和第二用户的第二发布数据;通过LDA算法在第一发布数据和第二发布数据中分别抽取第一发布数据中的话题特征词和第二发布数据中的话题...
  • 多晶硅回刻处理方法
    本发明的多晶硅回刻处理方法,通过在形成了沟槽的半导体衬底上形成栅氧化层和多晶硅层,并在该多晶硅层上形成一层第一氧化层,通过清洗该第一氧化层,再对去除了该第一氧化层后剩余的多晶硅层进行刻蚀。从而实现多晶硅回刻之前,采用氧化工艺和清洗工艺,...
  • XML树的结构维护方法、XML树的结构维护系统和终端
    本发明提供了一种XML树的结构维护方法、XML树的结构维护系统和终端,其中,XML树的结构维护方法包括:用户对XML树中的XML元素的进行操作;判断操作指令是否具有执行权限;如判定操作指令具有执行权限,对XML元素的版面对象执行操作指令...
  • 排版方法、排版系统和终端
    本发明提供了一种排版方法、排版系统和终端,其中,包括:获取用户请求进行排版的版面模板,以及用户确定用于排版的XML元素;根据用户确定用于排版的XML元素、版面模板、版面模板的版式参数与XML元素之间的映射关系创建对应的排版文件。通过本发...
  • 本发明涉及一种纯化谷胱甘肽的方法,包括以下步骤:将谷胱甘肽粗品溶解在水中,加热条件下滴加十二烷基磺酸盐的低级醇或酮溶液,降温结晶,分离结晶后洗涤、干燥,即得。本发明提供的方法创造性地提出利用十二烷基磺酸盐的低级醇或酮溶液改变杂质的溶解性...
  • 本发明涉及一种纯化妥布霉素的方法,包括以下步骤:将妥布霉素粗品溶解在水中,加热条件下滴加(S)‑(+)‑乳酸盐的低级醇溶液,降温结晶,分离结晶后洗涤、干燥,即得。本发明提供的方法应用(S)‑(+)‑乳酸盐增加溶剂环境对杂质的溶解度,从而...
  • 本发明提供一种纽莫康定B0的纯化方法,该方法先从发酵液菌渣中萃取纽莫康定B0粗品,粗品经膜过滤处理后,向过滤液中加入吸附剂以形成吸附有纽莫康定B0的固形物,并对固形物进行CO2超临界流体萃取,再向所得萃取液中加入溶剂析晶,最后以HILI...
  • 本发明涉及一种妥布霉素的纯化方法,该方法采用纳滤结晶方式对经过水解、脱色、膜过滤后的妥布霉素溶液进行处理,然后对结晶得到的晶体采用制备色谱柱进行柱层析分离,采用此种方法得到的妥布霉素的HPLC纯度达99.4%以上,且采用纳滤结晶方式,避...
  • 用于扫描的智能柜、扫描方法、扫描装置和智能柜
    本发明提供了一种用于扫描的智能柜、扫描方法、扫描装置和智能柜,其中,用于扫描的智能柜包括:控制模块,设置于柜体内;RFID扫描模块,设置于柜体内,并连接至控制模块,用于在接收到控制模块的扫描指令时扫描电子标签的编码信息;至少一个隔板,设...
  • 网络信息的发布方法和网络信息的发布装置
    本发明提出了一种网络信息的发布方法和网络信息的发布装置,其中,所述网络信息的发布方法包括:接收发布网络信息的请求,其中,所述请求包括:发布所述网络信息的网站和网页链接、登录所述网站的用户名和密码、以及所述网络信息的内容;根据所述网站的信...
  • 横向扩散金属氧化物半导体及其制备方法
    本发明提供了一种横向扩散金属氧化物半导体及其制备方法,其中,横向扩散金属氧化物半导体的制备方法包括:在P型衬底上依次形成P型阱区和N型阱区;在N型阱区的指定结深位置形成P型埋区;在P型埋区上方的N型阱区中形成N型离子掺杂区;在N型离子掺...
  • 信息采集方法和信息采集装置
    本发明提出了一种信息采集方法和信息采集装置,其中,所述信息采集方法包括:在登录网页版的应用之后,获取所述应用的Cookie、和使用目标账号在所述应用上发布的数据的列表页链接;根据所述Cookie和所述列表页链接获取列表页,并获取所述列表...
  • 图书审校信息的传输方法和传输系统
    本发明提出了一种图书审校信息的传输方法和图书审校信息的传输系统,其中,所述图书审校信息的传输方法包括:为样本图书的多个页面中的每一页面生成识别码;在所述每一页面上打印有其对应的所述识别码,以供审校人员在打印有所述识别码的页面上进行批注;...
  • 一种高压金属氧化物半导体及其制作方法
    本发明提供了一种高压金属氧化物半导体及其制作方法,其中,制作方法包括:在P型衬底上制作相邻的P井区和N井区;在N井区的表面形成两个相间隔的场氧区,并在P井区的表面和部分N井区的表面形成第一有源区,其中,两个相间隔的场氧区之间的区域为第二...
  • 一种电子红包的分配方法及装置
    本发明涉及一种电子红包的分配方法及装置统,该方法包括:接收客户端发送的红包分配请求,所述红包分配请求中携带有预分配的电子红包的总金额和红包个数信息;提取所述红包分配请求中携带的电子红包的总金额和红包个数信息,并根据所述电子红包的总金额和...
  • 分压环的制备方法、分压环和功率晶体管
    本发明提供了一种分压环的制备方法、分压环和功率晶体管,其中,制备方法包括:将有源区和划片区之间的区域确定为分压区,在分压区的N型衬底上形成有N型外延层后,对N型外延层进行光刻处理,以形成靠近有源区的多个注入窗口,以及形成靠近划片区的一个...