碳化硅晶圆片的制备方法和碳化硅晶圆片技术

本发明专利技术提供了一种碳化硅晶圆片的制备方法和碳化硅晶圆片，其中，制备方法包括：在碳化硅基板的背面形成不透明的结构层，其中，所述不透明的结构层包括不透明的硅化物层、金属层和硅层中的至少一种。通过本发明专利技术的技术方案，有效地解决了碳化硅晶圆片兼容于标准集成电路工艺的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅晶圆片的制备方法和碳化硅晶圆片
本专利技术涉及半导体芯片制造
，具体而言，涉及一种碳化硅晶圆片的制备方法和一种碳化硅晶圆片。
技术介绍
相关技术中，碳化硅(SIC)作为新一代的宽禁带半导体材料，在功率半导体领域具有极其优异的性能表现，是功率半导体器件发展的前沿和未来方向。但是，在碳化硅器件的生产过程中，不可避免的希望使用现有硅晶圆生产线的生产设备和工艺，必然会遇到碳化硅晶圆生产制造与硅晶圆生产制造兼容的问题，其中最突出的兼容性问题是：碳化硅晶圆透明的特点，但是机台中的晶圆片位置传感器都是光学传感器而无法识别透明的碳化硅晶圆片而造成的无法用来生产制造碳化硅晶圆片的问题。这会造成极大的生产资源的浪费，极大的提高了碳化硅晶圆片生产制造的成本。因此，如何设计一种新的碳化硅晶圆片以提高工艺兼容性成为亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术正是基于上述技术问题至少之一，提出了一种碳化硅晶圆片的制备方法的方案，通过在碳化硅基板的背面形成不透明的结构层，有效地解决了碳化硅晶圆片的生产制造与硅晶圆生产制造兼容问题，从而极大的节约了生产资源和生产成本，极大的降低了碳化硅晶圆片的生产成本，提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳化硅晶圆片的制备方法，其特征在于，包括：在碳化硅基板的背面形成不透明的结构层，其中，所述不透明的结构层包括不透明的硅化物层、金属层和硅层中的至少一种。

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶圆片的制备方法，其特征在于，包括：在碳化硅基板的背面形成不透明的结构层，其中，所述不透明的结构层包括不透明的硅化物层、金属层和硅层中的至少一种。2.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆片的制备方法，其特征在于，所述在碳化硅基板的背面形成不透明的结构层，其中，所述不透明的结构层包括不透明的硅化物层、金属层和硅层中的至少一种，具体包括以下步骤：采用化学气相淀积工艺在所述碳化硅基板的两面形成氧化层；在形成所述氧化层后，采用化学气相淀积工艺在所述碳化硅基板的两面形成氮化硅层；对所述碳化硅基板的正面形成的所述氮化硅层进行干法刻蚀处理；在去除所述碳化硅基板的正面形成的所述氮化硅层后，采用干法刻蚀和/或湿法刻蚀工艺去除所述碳化硅基板的正面形成的所述氧化层。3.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆片的制备方法，其特征在于，所述在碳化硅基板的背面形成不透明的结构层，其中，所述不透明的结构层包括不透明的硅化物层、金属层和硅层中的至少一种，具体包括以下步骤：采用化学气相淀积工艺在所述碳化硅基板的两面形成氧化层；在形成所述氧化层后，采用化学气相淀积工艺在所述碳化硅基板的两面形成多晶硅层；对所述碳化硅基板的正面形成的所述多晶硅层进行干法刻蚀处理；在去除所述碳化硅基板的正面形成的所述多晶硅层后，采用干法刻蚀和/或湿法刻蚀工艺去除所述碳化硅基板的正面形成的所述氧化层。4.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆片的制备方法，其特征在于，所述在碳化硅基板的背面形成不透明的结构层，其中，所述不透明的结构层包括不透明的硅化物层、金属层和硅层中的至少一种，具体包括以下步骤：采用化学气相淀积工艺在所述碳化硅基板的两面形成氧化层；在形成所述氧化层后，采用金属溅射工艺在所述碳化硅基板的背面形成所述金属层；在所述碳化硅基板的背面形成的所述金属层后，采用干法刻蚀和/或湿法刻蚀工艺去除所述碳...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺冠中，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11