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本发明提供了一种碳化硅晶圆片的制备方法和碳化硅晶圆片，其中，制备方法包括：在碳化硅基板的背面形成不透明的结构层，其中，所述不透明的结构层包括不透明的硅化物层、金属层和硅层中的至少一种。通过本发明的技术方案，有效地解决了碳化硅晶圆片兼容于标准...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。