结终端扩展结构制备方法及结终端扩展结构、VDMOS功率器件技术

本发明专利技术提供了一种结终端扩展结构的制备方法、一种结终端扩展结构和一种VDMOS功率器件，其中，所述结终端扩展结构的制备方法包括：在衬底结构的第一外延层上形成掩膜层；在所述掩膜层上形成光刻层，所述光刻层包括具有预设宽度的第一沟槽；根据所述第一沟槽对所述掩膜层和所述第一外延层进行刻蚀处理，以形成与所述第一外延层接触的第二沟槽；在所述第二沟槽中填充第二外延层，以用于形成结终端扩展结构。通过本发明专利技术的技术方案，可以有效地避免由于注入以及高温驱入过程使结终端扩展结构杂质浓度分布不均，提高生产工艺的稳定性以及功率器件的耐压性能，从而提升产品良率。

Junction termination structure preparation method, junction terminal extension structure and VDMOS power device

The present invention provides a method for preparing a junction termination extension structure of a junction termination extension structure and a VDMOS power device, wherein, the structure comprises preparation method of terminal expansion structure: a mask layer is formed on the first epitaxial layer structure on the substrate; forming a photoresist layer on said mask layer. The photoresist layer includes a first trench with a predetermined width; according to the first groove on the mask layer and the first epitaxial layer is etched to form second grooves, and the first epitaxial layer contact; filling second epitaxial layer on the second groove, for forming a junction termination extension structure. The technical scheme of the invention can effectively avoid the uneven distribution of impurity concentration at the end of the junction structure due to the injection and high temperature driving process, thereby improving the stability of the production process and the withstand voltage performance of the power device, so as to improve the yield of the product.

【技术实现步骤摘要】
结终端扩展结构制备方法及结终端扩展结构、VDMOS功率器件
本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种结终端扩展结构的制备方法、一种结终端扩展结构和一种VDMOS功率器件。
技术介绍
半导体功率器件是电力电子系统进行能量控制和转换的基本电子元器件，电力电子技术的不断发展为半导体功率期器件开拓了广泛的应用领域，而半导体功率器件的可控制特性决定了电力电子系统的效率、体积和重量，第一只工业用普通晶闸管是1957年由美国通用电气公司(GE，GeneralElectricCompany)研制的，它标志着现代电力电子技术的诞生，从此以功率变换器为核心的电力电子变换装置几乎应用于现代工业的各个领域。自从垂直导电双扩散新结构诞生以来，电子电力技术得到了迅速发展，由于其独特的高输入阻抗，低驱动功率，高开关速度，优越的频率特性以及很好的热稳定性等特点，广泛地应用于开关电源、汽车电子、马达驱动以及高频振荡器等各个领域。对于VDMOS(VerticalDouble-DiffusedMetalOxideSemiconductor，垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管)器件来说，最重要的一个参数即为B本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结终端扩展结构的制备方法，其特征在于，包括：在衬底结构的第一外延层上形成掩膜层；在所述掩膜层上形成光刻层，所述光刻层包括具有预设宽度的第一沟槽；根据所述第一沟槽对所述掩膜层和所述第一外延层进行刻蚀处理，以形成与所述第一外延层接触的第二沟槽；在所述第二沟槽中填充第二外延层，以用于形成结终端扩展结构。

【技术特征摘要】
1.一种结终端扩展结构的制备方法，其特征在于，包括：在衬底结构的第一外延层上形成掩膜层；在所述掩膜层上形成光刻层，所述光刻层包括具有预设宽度的第一沟槽；根据所述第一沟槽对所述掩膜层和所述第一外延层进行刻蚀处理，以形成与所述第一外延层接触的第二沟槽；在所述第二沟槽中填充第二外延层，以用于形成结终端扩展结构。2.根据权利要求1所述的结终端扩展结构的制备方法，其特征在于，根据所述第一沟槽对所述掩膜层和所述第一外延层进行刻蚀处理，以形成与所述第一外延层接触的所述第二沟槽，具体包括：根据所述第一沟槽对所述掩膜层进行刻蚀处理，并去除所述光刻层；对所述第一外延层刻蚀预设深度，以形成所述第二沟槽。3.根据权利要求2所述的结终端扩展结构的制备方法，其特征在于，所述在所述第二沟槽中填充第二外延层，以用于形成结终端扩展结构，具体包括：对所述第二外延层进行回刻处理，以形成所述结终端扩展结构。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：赵圣哲，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11