一种快恢复二极管的制造方法及快恢复二极管技术

本发明专利技术提供一种快恢复二极管的制造方法及快恢复二极管，其中快恢复二极管的制造方法包括：提供一衬底，在衬底的表面上形成N型区域层，在N型区域层上形成P型区域层，在P型区域层上形成铂结构，在衬底的底面形成用于吸收铂的硼磷硅玻璃，对P型区域层上形成的铂结构进行加热处理，去除P型区域层上残留的铂以及衬底的底面形成的硼磷硅玻璃，在去除残留的铂后的P型区域层上形成第一电极，并在去除硼磷硅玻璃后的衬底的底面形成第二电极。本发明专利技术快恢复二极管的制造方法，在扩铂的同时使用硼磷硅玻璃对铂进行吸收，能在保证N型区域内铂浓度不变的情况下，减少衬底区的铂浓度，进而减少器件反向恢复时间，降低器件正向压降。

【技术实现步骤摘要】
一种快恢复二极管的制造方法及快恢复二极管
本专利技术涉及半导体芯片制造工艺
，尤其涉及一种快恢复二极管的制造方法及快恢复二极管。
技术介绍
现代电力电子电路中的主回路不论是采用换流关断的晶闸管，还是采用有自关断能力的新型电力电子器件，如GTO(GateTurn-OffThyristor，可关断晶闸管)、MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金氧半场效晶体管)以及IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)等，都需要一个与之并联的功率快恢复二极管，以通过负载中的无功电流，减小主开关器件电容的充电时间，同时抑制因负载电流瞬时反向时由寄生电感感应产生的高电压。近几年来，随着功率半导体器件制造技术的不断进步，电力电子电路中的主开关器件垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管、IGBT等新型功率半导体器件的设计与制造取得了巨大的进步，频率性能不断提高，这对与之配套使用的功率快恢复二极管提出了更高的要求。所以，该二极管必须具有短的反向恢复时间和极佳的综合性能。具有P-i-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快恢复二极管的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底的表面上形成N型区域层；在所述N型区域层上形成P型区域层；在所述P型区域层上形成铂结构；在所述衬底的底面形成用于吸收铂的硼磷硅玻璃；对所述P型区域层上形成的铂结构进行加热处理；去除所述P型区域层上残留的铂以及所述衬底的底面形成的硼磷硅玻璃；在去除残留的铂后的所述P型区域层上形成第一电极，并在去除硼磷硅玻璃后的所述衬底的底面形成第二电极。

【技术特征摘要】
1.一种快恢复二极管的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底的表面上形成N型区域层；在所述N型区域层上形成P型区域层；在所述P型区域层上形成铂结构；在所述衬底的底面形成用于吸收铂的硼磷硅玻璃；对所述P型区域层上形成的铂结构进行加热处理；去除所述P型区域层上残留的铂以及所述衬底的底面形成的硼磷硅玻璃；在去除残留的铂后的所述P型区域层上形成第一电极，并在去除硼磷硅玻璃后的所述衬底的底面形成第二电极。2.根据权利要求1所述的快恢复二极管的制造方法，其特征在于，在所述P型区域层上形成的铂结构的厚度范围为1nm～100nm。3.根据权利要求1所述的快恢复二极管的制造方法，其特征在于，在所述衬底的底面形成的硼磷硅玻璃的厚度大于或者等于10um。4.根据权利要求1所述的快恢复二极管的制造方法，其特征在于，去除所述P型区域层上残留的铂的步骤包括：对所述P型区域层上残...

【专利技术属性】
技术研发人员：李理，马万里，赵圣哲，姜春亮，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11