一种金属氧化物半导体MOS器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种金属氧化物半导体MOS器件及其制作方法，解决现有通过减少接触孔的面积来减小芯片面积的方法，会对高频或高精度集成电路造成很大的不良影响的问题。本发明专利技术的MOS器件包括：半导体衬底层，半导体衬底层内形成有源极注入区，源极注入区包括N+离子区域和P+离子区域；覆盖于N+离子区域和P+离子区域表面的金属硅化物层；形成于金属硅化物层表面的膜层间介质层，膜层间介质层上、对应于每个源极注入区开设有一个接触孔，且接触孔开通至金属硅化物层的表面。本发明专利技术通过将源极注入区中的N+离子区域和P+离子区域对应于同一个接触孔，减少了接触孔的个数，从而实现在不改变接触孔大小的前提下，大幅缩小芯片面积的目的。

A metal oxide semiconductor MOS device and its manufacturing method

The present invention provides a metal oxide semiconductor MOS device and a manufacturing method thereof to solve the problem of reducing the area of the chip by reducing the area of the contact hole, which can cause great adverse effects on the high frequency or high precision integrated circuit. The MOS device of the present invention includes: a semiconductor substrate layer, a semiconductor substrate layer formed in the active region is injected, the injection region including N+ ion source region and P+ region covered by N+ ion; ion region and metal silicide P+ ion region of the surface layer; a metal silicide layer formed on the surface layer between the dielectric layer and the corresponding film dielectric layer, in each source injection region is provided with a contact hole, the surface and the contact hole opened to the metal silicide layer. The invention reduces the number of contact holes by reducing the N+ ion region in the source injection region and the P+ ion region corresponding to the same contact hole, thus realizing the purpose of greatly reducing the chip area without changing the size of the contact hole.

【技术实现步骤摘要】
一种金属氧化物半导体MOS器件及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，特别是指一种金属氧化物半导体MOS器件及其制作方法。
技术介绍
伴随摩尔定律的发展，硅半导体器件已经进入深亚微米领域，因此用于器件互联的接触孔也越做越小，从1.0um到0.5um再到更小的0.18um。但由于孔接触面积减小会直接导致孔电阻变大，因此现有技术中通过减少接触孔的面积来减小芯片面积的方法，会对高频或高精度集成电路IC造成很大的不良影响。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种金属氧化物半导体MOS器件及其制作方法，用以解决现有技术中通过减少接触孔的面积来减小芯片面积的方法，会对高频或高精度集成电路IC造成很大的不良影响的问题。为了实现上述目的，本专利技术实施例提供了一种金属氧化物半导体MOS器件，包括：半导体衬底层，所述半导体衬底层内形成有源极注入区，所述源极注入区包括N+离子区域和P+离子区域；覆盖于所述N+离子区域和所述P+离子区域表面的金属硅化物层；形成于所述金属硅化物层表面的膜层间介质层，所述膜层间介质层上、对应于每个所述源极注入区开设有一个接触孔，且所述接触孔开通至所述金属硅化物层的表面。其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属氧化物半导体MOS器件，其特征在于，包括：半导体衬底层，所述半导体衬底层内形成有源极注入区，所述源极注入区包括N+离子区域和P+离子区域；覆盖于所述N+离子区域和所述P+离子区域表面的金属硅化物层；形成于所述金属硅化物层表面的膜层间介质层，所述膜层间介质层上、对应于每个所述源极注入区开设有一个接触孔，且所述接触孔开通至所述金属硅化物层的表面。

【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物半导体MOS器件，其特征在于，包括：半导体衬底层，所述半导体衬底层内形成有源极注入区，所述源极注入区包括N+离子区域和P+离子区域；覆盖于所述N+离子区域和所述P+离子区域表面的金属硅化物层；形成于所述金属硅化物层表面的膜层间介质层，所述膜层间介质层上、对应于每个所述源极注入区开设有一个接触孔，且所述接触孔开通至所述金属硅化物层的表面。2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体MOS器件，其特征在于，所述源极注入区包括两个N+离子区域和位于两个所述N+离子区域之间的P+离子区域。3.根据权利要求2所述的金属氧化物半导体MOS器件，其特征在于，所述接触孔位于所述P+离子区域的上方。4.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体MOS器件，其特征在于，还包括：形成于所述半导体衬底层内的漏极注入区，且所述漏极注入区的表面覆盖有所述金属硅化物层。5.根据权利要求4所述的金属氧化物半导体MOS器件，其特征在于，还包括：形成于所述膜层间介质层上、对应于每个所述漏极注入区的一个接触孔，且对应于每个所述漏极注入区的接触孔开通至所述金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜蕾，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11