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本发明提供一种金属氧化物半导体MOS器件及其制作方法，解决现有通过减少接触孔的面积来减小芯片面积的方法，会对高频或高精度集成电路造成很大的不良影响的问题。本发明的MOS器件包括：半导体衬底层，半导体衬底层内形成有源极注入区，源极注入区包括N...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。