【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2012年8月2日提交的申请号为10-2012-0084755的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的示例性实施例涉及一种,更具体而言,涉及一种包括从衬底大体垂直层叠的多个存储器单元的。
技术介绍
非易失性存储器件即使在电源切断的情况下也保留储存在其中的数据。目前,广泛地使用诸如NAND快闪存储器等的各种非易失性存储器件。近来,由于包括在硅衬底之上被形成为单层的存储器单元的2D非易失性存储器件的集成度的改善达到极限,已经提出了包括从硅衬底垂直层叠的多个存储器单元的3D非易失性存储器件。图1A至图1C是说明现有的3D非易失性存储器件的图。图1A是平面图,图1B是沿着图1A的线Y4-Y4’截取的截面图。图1C是沿着图1A的线Y5-Y5’和Y6-Y6’截取的截面图。参见图1A至图1C,以下将简要地描述用于制造现有的非易失性存储器件的方法。首先,在衬底100之上形成交替地层叠多个层间电介质层120和牺牲层130的结构(在下文中,被称作层叠结构),所述衬底100限定单元区B和在单元区B两侧的外围区A,并且衬底100中提供源极区110。以阶梯形状来刻蚀外围区A的层叠结构。选择性地刻蚀单元区B的层叠结构以形成穿过层叠结构而暴露出衬底100的多个沟道孔CH,然后在沟道孔CH中形成存储器层140和沟道层150。选择性地刻蚀单元区B的层叠结构以形成第一缝隙SA。此外,选择性地刻蚀单元区B和外围区A的层叠结构以形成第二缝隙SB。此时,第二缝隙SB不但延伸到单元区B而且延伸到外围区A,因为外围区A的牺牲层130要被部分 ...
【技术保护点】
一种制造非易失性存储器件的方法,所述方法包括以下步骤:在限定单元区和外围区并且具有源极区的衬底之上形成层叠结构,所述层叠结构包括交替层叠的多个层间电介质层和多个牺牲层;穿过所述单元区的层叠结构而形成与所述衬底连接的多个沟道层;在所述单元区的层叠结构中形成第一缝隙,使得所述第一缝隙具有足够的深度以至少穿通最下面的牺牲层;在所述层叠结构中形成第二缝隙,所述第二缝隙包括:具有足够的深度以暴露出所述单元区中的源极区的第一部分,以及具有比所述第一部分更小的宽度的在所述外围区中的第二部分;去除经由所述第一缝隙和所述第二缝隙而暴露出的所述牺牲层;形成多个导电层以填充去除了所述牺牲层的空间;在所述第二缝隙中形成绝缘层;以及通过将导电材料掩埋在形成有所述绝缘层的第二缝隙的第一部分中来形成源极接触。
【技术特征摘要】
2012.08.02 KR 10-2012-00847551.一种制造非易失性存储器件的方法,所述方法包括以下步骤: 在限定单元区和外围区并且具有源极区的衬底之上形成层叠结构,所述层叠结构包括交替层叠的多个层间电介质层和多个牺牲层; 穿过所述单元区的层叠结构而形成与所述衬底连接的多个沟道层; 在所述单元区的层叠结构中形成第一缝隙,使得所述第一缝隙具有足够的深度以至少穿通最下面的牺牲层; 在所述层叠结构中形成第二缝隙,所述第二缝隙包括:具有足够的深度以暴露出所述单元区中的源极区的第一部分,以及具有比所述第一部分更小的宽度的在所述外围区中的第二部分; 去除经由所述第一缝隙和所述第二缝隙而暴露出的所述牺牲层; 形成多个导电层以填充去除了所述牺牲层的空间; 在所述第二缝隙中形成绝缘层;以及 通过将导电材料掩埋在形成有所述绝缘层的第二缝隙的第一部分中来形成源极接触。2.如权利要求1所述的方法,其中,所述第一部分具有比所述第二部分更大的斜率。3.如权利要求1所述的方法,其中,在形成所述绝缘层的步骤中,用所述绝缘层来填充所述第一缝隙。4.如权利要求1所述的方法,还包括以下步骤:在形成所述层叠结构之后,刻蚀所述外围区的层叠结构,使得所述外围区中的牺牲层中的一个牺牲层比刚好位于所述牺牲层上方的另一个牺牲层突出得更多。5.如权利要求4所述的方法,其中,所述外围区中的导电层中的一个导电层比刚好位于所述导电层上方的另一个导电层具有突出得更多的端部,以及 所述方法还包括以下步骤:在形成所述导电层之后,在所述突出的端部之上形成字线接触。6.如权利要求1所述的方法,其中,所述第一部分具有比所述第一缝隙更大的宽度。7.如权利要求1所述的方法,其中,所述外围区包括分别存在于所述单元区两侧的第一外围区和第二外围区, 所述第一缝隙和所述第二缝隙沿同一方向, 所述第一缝隙跨所述单元区,以及 所述第二缝隙跨所述单元区、所述第一外围区以及所述第二外围区。8.如权利要求1所述的方法,其中,将一个或更多个第一缝隙和一个第二缝隙交替地设置在所述沟道层之间。9.如权利要求1所述的方法,其中,用所述绝缘层完全地填充所述第二部分,以及 所述源极接触仅位于所述单元区中。10.如权利要求1所述的方法,其中,将包括电荷阻挡层、电荷存储层以及隧道绝缘层的存储器层插入在所述导电层与所述沟道层之间。11.一种非易失性存储器件,包括: 衬底, 所述衬底限定单元区和外围区并且具有源极区; 第一层叠结构,所述第一层叠结构形成在所述衬底之上,并且包括交替层叠的多个层间电介质层和多个导电层;多个沟道层,所述多个沟道层穿过所述单元区的第一层叠结构与所述衬底连接; 第一缝隙,所述第一缝隙形成在所述单元区的第一层叠结构中,并且具有足够的深度以至少穿通最下面的导电层;...
【专利技术属性】
技术研发人员:卢侑炫,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:
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