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本发明公开了一种非易失性存储器件及其制造方法，所述方法包括以下步骤：在限定单元区和外围区并且具有源极区的衬底之上形成层叠结构，所述层叠结构包括层间电介质层和牺牲层；穿过单元区的层叠结构而形成与衬底连接的沟道层；在单元区的层叠结构中形成第一缝...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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