【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及SiC晶须领域,特别是涉及。
技术介绍
SiC晶须是一种高度取向性的短纤维单晶体,作为复合材料的补强增韧材料。SiC晶须的制备方法普遍采用碳热还原的方法,即硅源和碳源及催化剂,按一定比例混合,在非氧化性气氛,高温条件下反应,合成产物通过除碳和酸洗等工艺除去杂质。自从20世纪70年代中期美国犹他大学的Cutler教授专利技术稻壳生产SiC晶须以来,稻壳制SiC晶须得到了很大的发展,所生产的SiC中SiC晶须的含量由最初的仅占10%提高到2(Γ25%。日本东海碳素公司、美国罗斯阿拉莫斯公司等采用稻壳作为原料,并形成了较大的生产规模,目前SiC晶须生产过程中存在成本高,产率低,能耗大等问题,进一步研究SiC晶须的制备方法是很有必要的。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供,采用新型催化剂,解决SiC晶须生产中成本大,制备工艺复杂等问题,降低生产成本,提高生产效率和产品质量。为实现上述目的,本专利技术是通过以下技术方案实现的—种SiC晶须的制备方法,以埃肯娃微粉为娃源、石墨为碳源、Na3AlF6为催化剂,在石墨坩埚内,按摩尔比C/Si= (7. 5 8):1,Si/Al= (4 6):1的比例加入SiO2微粉和Na3AlF6,石墨坩埚的内壁即是SiC晶须生长的基底,在热压炉中,充入氩气作为SiC晶须生长的保护气体。将埃肯硅微粉和Na3AlF6混合后放入石墨坩埚内,用石墨盖盖好后,放入真空碳管炉内,抽真空至10 12Pa,充入氩气进行洗气再抽真空,最后充入氩气保持石墨坩埚内压力高于外界O. 02 O. 03Mpa,升温速率为10 12°C /分钟,在13 ...
【技术保护点】
一种SiC晶须的制备方法,其特征在于,以埃肯硅微粉为硅源、石墨为碳源、Na3AlF6为催化剂,在石墨坩埚内,按摩尔比C/Si=(7.5~8):1,Si/Al=(4~6):1的比例加入SiO2微粉和Na3AlF6,石墨坩埚的内壁即是SiC晶须生长的基底,在热压炉中,充入氩气作为SiC晶须生长的保护气体。
【技术特征摘要】
1.一种SiC晶须的制备方法,其特征在于,以埃肯娃微粉为娃源、石墨为碳源、Na3AlF6 为催化剂,在石墨坩埚内,按摩尔比C/Si= (7. 5 8) :1,Si/Al= (4 6):1的比例加入 SiO2微粉和Na3AlF6,石墨坩埚的内壁即是SiC晶须生长的基底,在热压炉中,充入氩气作为 SiC晶须生长的保护气体。2.根据权利要求I所述的一种SiC晶须的制备方法,其特征在于,将埃肯硅微...
【专利技术属性】
技术研发人员:崔曦文,柏杉,洪艳萍,闵庆峰,蒋明学,
申请(专利权)人:中冶焦耐工程技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。