【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种微机电系统的圆片级真空封装工艺,顺序包括: 淀积吸气剂步骤:在硅基片上淀积吸气剂薄膜,淀积的吸气剂薄膜厚度为50~200nm,其形状为环绕MEMS器件的两个共中心条状图形; 淀积薄牺牲层步骤:在硅基片上淀积薄牺牲层,淀积的薄 牺牲层厚度为200~500nm,薄牺牲层图案制作在内外两圈吸气剂薄膜图形之间的空白区域; 淀积缓冲腔牺牲层步骤:淀积缓冲腔牺牲层,淀积的缓冲腔牺牲层厚度为300nm~1.5um,其图案制作在薄牺牲层边缘并覆盖外圈吸气剂薄膜; 淀 积厚牺牲层步骤:淀积厚牺牲层,淀积的厚牺牲层制作在薄牺牲层中的空白区域,与薄牺牲层相连并覆盖MEMS器件,厚度为500nm~2um; 制作封装盖步骤:采用低压化学气相沉积工艺、电镀工艺或溅射工艺中的一种在薄牺牲层、缓冲腔牺牲层和厚牺牲 层上制作封装盖,所述封装盖厚度为0.5um~2um; 刻蚀释放孔步骤:采用化学同相刻蚀、异向刻蚀或者光刻刻蚀工艺中的一种或几种,在薄牺牲层的封装盖上刻蚀出释放孔,释放孔面积为50um↑[2]~100um↑[2]; 去除牺牲层步骤 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:汪学方,黎藜,张卓,刘川,甘志银,张鸿海,刘胜,
申请(专利权)人:华中科技大学,
类型:发明
国别省市:83[中国|武汉]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。