一种微机电系统的圆片级真空封装工艺技术方案

一种微机电系统的圆片级真空封装工艺，属于微机电系统的封装方法，解决现有基于薄膜淀积真空封装工艺所存在的淀积薄膜较薄、腔体小，容易损坏，以及封装器件存在真空泄露、使用寿命降低的问题。本发明专利技术顺序包括：淀积吸气剂步骤；淀积薄牺牲层步骤；淀积缓冲腔牺牲层步骤；淀积厚牺牲层步骤；制作封装盖步骤；刻蚀释放孔步骤；去除牺牲层步骤和密封步骤。本发明专利技术解决了现有封装方法存在的真空保持时间短，密封质量低，封装尺寸大，工艺与标准ＩＣ工艺不兼容，成本高的问题，从而保证最里面的腔体气压；同时成本少于基于圆片键合工艺的真空封装，可以在常规的ＩＣ生产厂实现生产，极大的推动圆片级ＭＥＭＳ真空封装技术的发展和推广。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种微机电系统的圆片级真空封装工艺，顺序包括：　淀积吸气剂步骤：在硅基片上淀积吸气剂薄膜，淀积的吸气剂薄膜厚度为５０～２００ｎｍ，其形状为环绕ＭＥＭＳ器件的两个共中心条状图形；　淀积薄牺牲层步骤：在硅基片上淀积薄牺牲层，淀积的薄 牺牲层厚度为２００～５００ｎｍ，薄牺牲层图案制作在内外两圈吸气剂薄膜图形之间的空白区域；　淀积缓冲腔牺牲层步骤：淀积缓冲腔牺牲层，淀积的缓冲腔牺牲层厚度为３００ｎｍ～１．５ｕｍ，其图案制作在薄牺牲层边缘并覆盖外圈吸气剂薄膜；　淀 积厚牺牲层步骤：淀积厚牺牲层，淀积的厚牺牲层制作在薄牺牲层中的空白区域，与薄牺牲层相连并覆盖ＭＥＭＳ器件，厚度为５００ｎｍ～２ｕｍ；　制作封装盖步骤：采用低压化学气相沉积工艺、电镀工艺或溅射工艺中的一种在薄牺牲层、缓冲腔牺牲层和厚牺牲 层上制作封装盖，所述封装盖厚度为０．５ｕｍ～２ｕｍ；　刻蚀释放孔步骤：采用化学同相刻蚀、异向刻蚀或者光刻刻蚀工艺中的一种或几种，在薄牺牲层的封装盖上刻蚀出释放孔，释放孔面积为５０ｕｍ↑［２］～１００ｕｍ↑［２］；　去除牺牲层步骤 ：用高密度等离子体干法刻蚀工艺去除薄牺牲层、缓冲腔牺牲层和厚牺牲层；　密封步骤：采用等离子增强化学气相沉积工艺在封装盖上淀积封装材料，对刻蚀腔通道进行密封，所述封装材料厚度为１ｕｍ～３ｕｍ。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪学方，黎藜，张卓，刘川，甘志银，张鸿海，刘胜，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]