一种用化学沉积法制造圆片形高压瓷介电容器的贱金属全电极的工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种圆片形高压瓷介电容器制备电极及电容器的制造工艺，是用贱金属铜或镍用化学沉积法制备电极的工艺，该工艺包括瓷片制备、配制粗化液、敏化液、活化液、还原液、渡液，瓷片经活化、还原、镀铜或镀镍、摆片、粘片、磨片、散片、选片等过程，再经检验合格、包装入库。本发明专利技术的优点是采用铜或镍作为电极来替代银或其它贵重金属作电极，使成本大大降低，而且铜或镍电极需经磨边，即磨去陶瓷介质端面上的电极，无需留边即可制成全对称满电极，有效消除电致应变对瓷体边缘的破坏，避免了电极边缘电压击穿现象，最大限度地提高抗电强度，降低介质损耗，有效防止飞弧、电晕。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种圆片形高压瓷介电容器制备电极及电容器的制造工艺。
技术介绍
圆片形高压瓷介电容器因其体积小、温度系数系列化、介质损耗小以及成本低，使用方便等特点，在电子设备的制造过程中得到广泛应用。随着数字化技术的发展和移动通信时代的到来，各种电子元器件和设备都在向小型化、集成化发展，要求圆片形高压瓷介电容器实现小型化、高可靠、长寿命、安全、环保。传统的圆片形高压瓷介电容器是通过丝网印刷技术，将形成电极的银浆印刷在陶瓷介质的两面，将陶瓷介质和银电极在高温下共烧，达到烧银温度时保温30分钟后自然降温，随后进行焊接、清洗、包封、烘干、测试、打印、包装。传统的圆片形高压瓷介电容器陶瓷介质表面烧渗电极是在空气气氛中进行的，为了使电极不在高温共烧的过程中被氧化，多采用银及其它贵重金属作为电极，由于银及其它贵重金属价格不断走高，使得电容器成本居高不下。同时为了防止飞弧、电晕，印刷被银时不得不留边，银电极在焊接过程中也极易发生连银、熔银等弊端。如果以贱金属如铜或镍采用化学沉积法在陶瓷介质表面制备电极，则无需烧结。既可省去烧渗电极工序，降低成本，又可以从根本上解决银离子迁移问题和焊结过程中熔银本文档来自技高网...

【技术保护点】
圆片形高压瓷介电容器贱金属化学沉积法全电极制造工艺，其特征在于：其制备过程包括镀液配制和化学沉积过程，具体制造工艺步骤如下：（１）瓷片制备：制料、成型、烧结；检验合格，备用；（２）镀液配制：ａ、配制粗化液；用氢氟酸１ ００ｍｌ、纯水１０００ｍｌ的比例，在温度条件为２１℃－２５℃的条件下配制一定量的粗化液，备用；ｂ、配制敏化液；原料和配比为氯化亚锡１０－３０ｇ、盐酸３０－５０ｇ、锡条９０－１００ｇ、纯水ＩＬ，备用；ｃ、配制活化液；原料和配比 为氯化钯０．１－０．２ｇ、盐酸２．５ｍＬ、纯水ＩＬ，备用；ｄ、配制镀液；原料和配...

【技术特征摘要】
1.圆片形高压瓷介电容器贱金属化学沉积法全电极制造工艺，其特征在于其制备过程包括镀液配制和化学沉积过程，具体制造工艺步骤如下(1)瓷片制备；制料、成型、烧结；检验合格，备用；(2)镀液配制a、配制粗化液；用氢氟酸100ml、纯水1000ml的比例，在温度条件为21℃-25℃的条件下配制一定量的粗化液，备用；b、配制敏化液；原料和配比为氯化亚锡10-30g、盐酸30-50g、锡条90-100g、纯水IL，备用；c、配制活化液；原料和配比为氯化钯0.1-0.2g、盐酸2.5mL、纯水IL，备用；d、配制镀液；原料和配比为硫酸铜或硫酸镍22-24g、次亚磷酸钠12-15g、乙酸钠14-16g、纯水1L，温度条件65℃-70℃，时间30分钟；按上述量称取硫酸铜或硫酸镍、次亚磷酸钠、乙酸钠分别单独放在搪瓷盆中，用纯水完全溶解，加水量为刚刚将上述颗粒或粉料溶解为宜，按硫酸铜或硫酸镍、次亚磷酸钠、乙酸钠的排列次序先后倒入化学镀槽中，加入纯水1L，搅拌均匀，用1∶10的硫酸溶液调PH＝4.8，备用；(3)化学沉积过程a、粗化处理将瓷片放入有孔塑料筐中，再将筐放入粗化液中，使瓷片全部浸入粗化液中，并不断晃动塑料筐使瓷片与粗化液充分接触，粗化时间5-10分钟；b、敏化、活化处理将已粗化的瓷片放在有孔塑料筐中，先在敏化液中处理5分钟，用自来水洗4次，控净敏化液，然后放入活化液中处理5分钟，然后取出，活化液的温度为18-25℃；c、还原将上述活化的瓷片装入带孔的塑料筒中，在纯水镀槽中装入32L去离子水和100g次亚磷酸钠，将装有瓷片的带孔塑料筒放在纯水镀槽中转动2分钟即可取出准备镀铜或镀镍；d、镀铜或镀镍将上述处理过的瓷片装入带...

【专利技术属性】
技术研发人员：史宝林，赵艳萍，
申请(专利权)人：史宝林，
类型：发明
国别省市：21[中国|辽宁]