Articles comprising a conductive metal substrate and a protective coating on the metal substrate are provided. The protective coating is composed of alkane oxides and quaternary compounds including silicon and quaternary compounds
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于形成电化学沉积到金属基底上的保护性涂层的电沉积介质相关申请的引用本申请要求于2014年9月23日提交的名称为“ELECTRODEPOSITIONMEDIUMSFORFORMATIONOFPROTECTIVECOATINGSELECTROCHEMICALLYDEPOSITEDONMETALSUBSTRATES”的美国临时申请序列No.62/054,223的优先权,并且在此通过引用将该申请以其整体并入本文。
本公开内容总体上涉及由被电化学沉积到金属基底上的电沉积介质形成的保护性涂层及其方法。
技术介绍
未处理的金属基底可遭受限制其在某些应用中使用的多种不期望的属性。例如,未处理的金属基底可具有对于来自周围环境的氧化和腐蚀损害敏感的软的、可容易损害的表面。尽管使用阳极化工艺来提供保护层是已知的,但是通过阳极化工艺形成的保护层相对薄,不能提供某些期望的属性,并且对于化学腐蚀、热开裂和物理不可弯曲性可为敏感的。结果,将期望提供这样的电化学沉积工艺:其向金属基底提供赋予包括热稳定性、物理挠性和优异的传热性的期望优点的有效的保护性涂层。
技术实现思路
根据一个实例,制品包括导电 ...
【技术保护点】
制品,其包括:导电性金属基底和保护性涂层,该保护性涂层电化学沉积自包含如下的电沉积介质:硅的烷氧化物;一种或多种季铵化合物或季
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.23 US 62/054,2231.制品,其包括:导电性金属基底和保护性涂层,该保护性涂层电化学沉积自包含如下的电沉积介质:硅的烷氧化物;一种或多种季铵化合物或季化合物;和水。2.权利要求1的制品,其中所述硅的烷氧化物包括正硅酸四乙酯。3.权利要求1的制品,其中所述一种或多种季铵化合物或季化合物选自四丁基氢氧化铵、苄基三乙基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四甲基氢氧化铵、苄基三甲基氢氧化铵、三甲基羟乙基氢氧化铵、四丁基氢氧化苄基三乙基氢氧化四乙基氢氧化四甲基氢氧化苄基三甲基氢氧化和三甲基羟乙基氢氧化4.权利要求1的制品,其中所述硅的烷氧化物对所述一种或多种季铵化合物或季化合物的摩尔比为约1:约2到约1:约7的摩尔比。5.权利要求1的制品,其中所述电沉积介质具有约8-约12的pH。6.权利要求1的制品,其中由所述电沉积介质在所述导电性金属基底上电化学沉积所述保护性涂层的约5%或更大。7.权利要求1的制品,其通过本文所述的心轴弯曲测试。8.权利要求1的制品,当工作温度测得为约100℃或更高时,其具有与具有相同的导电性金属基底且不具有保护性涂层的对比性导电线的工作温度相比约5℃或更低的工作温度。9.权利要求1的制品,其中所述保护性涂层具有约5微米-约60微米的厚度。10.权利要求1的...
【专利技术属性】
技术研发人员:VC马尔什,SS贾达夫,VA萨万特,SK兰加纳坦,CR戴维斯,S西里普拉普,V梅塔尔,RM安德森,
申请(专利权)人:通用线缆技术公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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