【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有以钛酸钡作为主成分的电介质层的。
技术介绍
层叠陶瓷电容器具有交替层叠电介质层与内电极层的结构。这种层叠陶瓷电容器广泛用作为小型、大电容量、高可靠性的电子元件。作为这样的电容器的电介质材料,要求相对介电常数高、介质损耗小、且温度特性好。作为满足这样要求的材料,提出采用这样的钛酸钡,即在X射线衍射图中,2θ(200)的峰值强度I(200)相对于(002)面产生的衍射线的峰值角度2θ(002)与(200)面产生的衍射线的峰值角度2θ(200)的中间点角度的衍射强度(Ib)的之比(I(200)/Ib)为4~16(参看特开2001-345230号公报)。然而,在上述的方法中,当用粒径偏差大的粒子形成电介质层时,所得到的层叠陶瓷电容器在加上直流电压时,电容量的下降(以下称作DC偏置特性)往往变大。将这样的层叠陶瓷电容器实装到电路中并加上直流电压时,产生的问题是电容量下降较大,不能发挥按设计那样的功能。因此,也考虑通过降低电介质层原料的相对介电常数来制造具有优良DC偏置特性的层叠陶瓷电容器。但这时不能增大层叠陶瓷电容器的电容量。
技术实现思路
本专利技术的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种层叠陶瓷电容器的制造方法,其特征在于,包含下述工序(a)交替层叠含有钛酸钡构成的陶瓷原料的陶瓷生片与内电极而形成层叠体的工序、(b)烧结所述层叠体而得到烧结体的工序、以及(c)在所述烧结体的端面形成外部电极而得到层叠陶瓷电容器的工序,所述钛酸钡在X射线衍射图中具有由(002)面产生的衍射线与由(200)面产生的衍射线,2θ(200)中的峰值强度I(200)相对于在(002)面产生的衍射线的峰值角度2θ(002)与(200)面产生的衍射线的峰值角度2θ(200)的中间点角度的衍射强度Ib之比I(200)/Ib为2~10,而且所述钛酸钡的平...
【专利技术属性】
技术研发人员:平田和希,冈谦次,小松和博,长井淳夫,
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社,
类型:发明
国别省市:
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