晶圆承载盘制造技术

本实用新型专利技术提供一种晶圆承载盘，包括承载本体及第一接触部和第二接触部。承载本体具有相对的第一表面和第二表面。第一接触部和第二接触部均凸设于第一表面，第一接触部和第二接触部分别位于第一表面的周边。本实用新型专利技术的晶圆承载盘由第一接触部和第二接触部接触并支撑晶圆，在保证稳定支撑的基础上，尽可能减小晶圆承载盘与晶圆的接触面积，大幅降低晶圆被损坏的风险，从而可尽量避免由此导致的颗粒污染及相关联的金属线短路等难以修补的问题，从而提高芯片产品的良率。

Wafer bearing disc

The utility model provides a wafer bearing disc, which comprises a bearing body, a first contact part and a second contact part. The bearing body has a relative first surface and a second surface. The first contact part and the second contact part are convex on the first surface, and the first contact part and the second contact part are respectively located around the first surface. The wafer bearing disc of the utility model contacts and supports the wafer by the first contact part and the second contact part. On the basis of ensuring stable support, the contact area between the wafer bearing disc and the wafer is minimized as far as possible, and the risk of wafer damage is greatly reduced. Thus, the problems that are difficult to repair, such as particle pollution and related short circuit of metal wires, can be avoided as far as possible, so as to improve the chip. The yield of the product.

【技术实现步骤摘要】
晶圆承载盘
本技术涉及半导体制造领域，特别涉及用于承载晶圆的装置。
技术介绍
在半导体制造过程中，需要通过例如机械手臂将晶圆在不同处理工艺的反应腔之间转移。机械手臂通常是利用晶圆承载盘承载、转移晶圆。现有技术中，晶圆整体与晶圆承载盘的表面直接接触，受到晶圆承载盘的形状、材料等影响，晶圆极容易受到碰撞、损伤，并在碰撞过程中掉落颗粒于晶圆承载盘上，导致后续工艺受到污染，影响芯片产品的良率。因此，如何对现有的晶圆承载盘进行改进，以降低晶片受损的风险，提高产品良率。
技术实现思路
基于上述问题，本技术提供了一种晶圆承载盘，以降低晶片受损的风险，提高产品良率。为达成上述目的，本技术提供一种晶圆承载盘，包括承载本体及第一接触部和第二接触部。承载本体具有相对的第一表面和第二表面。第一接触部和第二接触部均凸设于第一表面，第一接触部和第二接触部分别位于第一表面的周边。根据一实施例，第一接触部的和第二接触部的数量共为2～4个，每一个第一接触部和第二接触部的高度大于1mm且小于5mm，与承载主体一体成型。根据一实施例，第一接触部和第二接触部的形状和尺寸相同，第一接触部的上表面的外周为圆滑过渡面，第二接触部的上表面的外周为圆滑过渡面。根据一实施例，晶圆承载盘还包括防撞部，其凸设于第一表面且位于第一接触部和第二接触部的外侧，防撞部的内周面为弧形，防撞部的数量至少为两个，防撞部的内周与第一表面之间具有圆滑过渡面，承载本体与防撞部为一体成型。根据一实施例，承载本体为长条形，第一接触部和第二接触部沿着承载本体的长度方向设置。根据一实施例，承载本体的一端的宽度相对于另一端的宽度较宽，第一接触部和第二接触部分别设置于承载本体的一端和另一端。根据一实施例，承载本体的其中一端的外周具有凹槽，或者，承载本体的两侧均存在凹入部，或者，承载本体的中部为圆形或多边形。根据一实施例，承载本体由主体材料与掺杂材料混合制成，主体材料的硬度大于掺杂材料的硬度，掺杂材料为导电性金属的合金，掺杂材料的原子比为0.5～10百分比。根据一实施例，承载本体由主体材料与包覆在主体材料外表面的包覆材料制成，主体材料的硬度大于包覆材料的硬度，包覆材料为导电性金属的合金，包覆材料的厚度为10～100μm。根据一实施例，晶圆承载盘还包括位置检测部，其设置于承载本体上，其能够检测晶圆是否居中的位于承载本体上，位置检测部设置于承载本体的中心处，位置检测部为位置传感器。本技术相较于现有技术的有益效果在于：本技术的晶圆承载盘由第一接触部和第二接触部接触并支撑晶圆，由于第一接触部和第二接触部分别位于第一表面的周边，晶圆居中放置于第一表面上时，晶圆能够得到稳定的支撑，且晶圆与晶圆承载盘的接触面积小。相比于现有技术中整个承载盘的表面接触晶圆，本实施例的晶圆承载盘在保证稳定支撑的基础上，尽可能减小晶圆承载盘与晶圆的接触面积，大幅降低晶圆被损坏的风险，从而可尽量避免由此导致的颗粒污染及相关联的金属线短路等难以修补的问题，从而提高芯片产品的良率。附图说明图1为现有的机械手臂的示意图。图2为现有的机械手臂的晶圆承载盘的示意图。图3为现有的晶圆承载盘与晶圆发生接触碰撞的示意图。图4为现有的晶圆承载盘受热变形的示意图。图5为现有的晶圆承载盘受热变形后与反应腔内部结构发生碰撞的示意图。图6至图8为现有的晶圆承载盘与晶圆之间的静电导致颗粒污染的原理示意图。图9a、图9b为颗粒污染导致芯片产品出现金属线短路的过程示意图。图10为本公开一实施例的晶圆承载盘的俯视示意图。图11为本公开一实施例的晶圆承载盘的截面示意图。图12为本公开另一实施例的晶圆承载盘的截面示意图。图13至图16为本公开又一实施例的晶圆承载盘的俯视示意图。图17为通过本公开一实施例的晶圆承载盘转移晶圆的示意图。图18为晶圆支撑于本公开一实施例的晶圆承载盘上的示意图。图19为未出现颗粒污染的晶圆的后续工艺的示意图。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本技术更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本技术的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本技术的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本技术的主要技术创意。图1示出了一种机械手臂的示意图，其包括本体1和晶圆承载盘2，晶圆承载盘2用于承载晶圆100，在本体的驱动作用下，转移晶圆。如图2、3所示，晶圆承载盘的承载面3为平面，晶圆100与承载面3的接触面积较大，晶圆的接触区域容易被磨损，例如对于较大体积的晶圆来说，晶圆的外周容易碰撞晶圆承载盘的边缘，不仅导致晶圆受损，并且晶圆表面由于被碰撞而掉落颗粒于晶圆承载盘上，导致后续工艺受到污染。另外，在后段制程中反应室的种类越来越多，因此晶圆承载盘的材料和形状可能会影响到制程。现有的部分晶圆承载盘由金属材料制成，例如铁、铝、钛、锌等。在一些制程中，晶圆承载盘往往会进入高温的反应腔200内，频繁经受高温将导致晶圆承载盘变形，如图4、5所示，晶圆承载盘2的表面出现凸起，导致晶圆100被刮伤而报废，或者，晶圆承载盘2的一端向下倾斜，接触并损坏反应腔内其他结构。为避免上述受热变形问题，现有的部分晶圆承载盘由非金属材料制成，非金属材料可包含：三氧化二铝、四氧化三铁、钛酸钡、陶瓷类等材料。由于非金属材料有较好的支撑力和较大的比热，因此，可很大程度上避免发生变形。然而，如图6、7、8所示，非金属材料的晶圆承载盘2无法将晶圆100和晶圆承载盘2产生的静电E导掉，所产生的静电E将吸引晶圆背部或者晶边的颗粒P，这些颗粒会附着在晶圆100、反应腔200、晶圆承载盘2的表面，使得制得的芯片产品存在颗粒，如图9a、9b所示，后续工艺中，将在这些晶圆上形成金属线300，这些颗粒将导致芯片产品出现金属线短路等难以修补的问题，从而造成良率减少。为解决上述至少一问题，本实施例提供一种晶圆承载盘，如图10所示，其包括承载本体10及第一接触部20和第二接触部30。承载本体10具有相对的第一表面S1和第二表面S2。第一接触部20和第二接触部30均凸设于第一表面S1，第一接触部20和第二接触部30分别位于第一表面S1的中心的周边。本实施例的晶圆承载盘可应用于机械手臂，适用于各种半导体生产的机台，可将晶圆在多个处理工艺的机台的反应腔之间转移，多个反应腔可包括室温到高温以及金属层或介电层制程腔体。使用过程中，晶圆承载盘承载晶圆100，由第一接触部20和第二接触部30接触并支撑晶圆100，由于第一接触部20和第二接触部30分别位于第一表面S1的中心的周边，晶圆100居中放置于第一表面S1上时，晶圆100能够得到稳定的支撑，且晶圆100仅与第一表面S1的凸出的部分接触，即，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆承载盘，其特征在于，包括：承载本体，具有相对的第一表面和第二表面；及第一接触部和第二接触部，均凸设于第一表面，第一接触部和第二接触部分别位于第一表面的周边。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆承载盘，其特征在于，包括：承载本体，具有相对的第一表面和第二表面；及第一接触部和第二接触部，均凸设于第一表面，第一接触部和第二接触部分别位于第一表面的周边。2.如权利要求1所述的晶圆承载盘，其特征在于，第一接触部的和第二接触部的数量共为2～4个，每一个第一接触部和第二接触部的高度大于1mm且小于5mm，与承载主体一体成型。3.如权利要求1所述的晶圆承载盘，其特征在于，第一接触部和第二接触部的形状和尺寸相同，第一接触部的上表面的外周为圆滑过渡面，第二接触部的上表面的外周为圆滑过渡面。4.如权利要求1所述的晶圆承载盘，其特征在于，晶圆承载盘还包括防撞部，其凸设于第一表面且位于第一接触部和第二接触部的外侧，防撞部的内周面为弧形，防撞部的数量至少为两个，防撞部的内周与第一表面之间具有圆滑过渡面，承载本体与防撞部为一体成型。5.如权利要求1所述的晶圆承载盘，其特征在于中，承载本体为长条形，第一接触部和第二接触部沿着承载本体的长度方向设置。6.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：何丹丹，王婷，刘洋，任兴润，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34