【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路领域，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)是计算机电子设备中常用的半导体装置，其由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。所述晶体管的栅电极与字线电连接、源电极与位线电连接、漏电极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启和关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。
2、随着几何尺寸按照摩尔定律不断减小，晶体管线路之间电性耦合不断干预信号传输速。n-o-n(氮化物-氧化物-氮化物)复合结构在减少晶体管线路之间电性耦合中起到了关键作用。但是，在半导体制造过程中，n-o-n复合结构易被破坏，可能无法有效减少晶体管线路之间电性耦合，且易造成晶体管短路。
3、因此，如何避免复合结构被破坏，成为目前继续解决的技术问题。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法，其能够避免第一绝...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述初始半导体结构的步骤中，所述第一绝缘层还覆盖所述基底表面；去除部分所述第二绝缘层的步骤还包括：去除或者减薄覆盖所述基底表面的所述第一绝缘层。
3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述初始半导体结构的步骤中，所述位线结构延伸至所述基底内，并与所述基底内的有源区连接，在所述基底内，所述位线结构与所述基底之间具有第一隔离结构。
4.如权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述形成...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述初始半导体结构的步骤中，所述第一绝缘层还覆盖所述基底表面；去除部分所述第二绝缘层的步骤还包括：去除或者减薄覆盖所述基底表面的所述第一绝缘层。
3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述初始半导体结构的步骤中，所述位线结构延伸至所述基底内，并与所述基底内的有源区连接，在所述基底内，所述位线结构与所述基底之间具有第一隔离结构。
4.如权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述形成所述初始半导体结构的步骤包括：
5.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述第二牺牲层的步骤中形成的所述第二牺牲层的厚度小于所述第三绝缘层的厚度。
6.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在去除部分所述第二绝缘层的步骤中，所述第二绝缘层的顶部至所述位线结构顶部的距离大于或者等于40纳米。
7.如权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在去除部分所述第二绝缘层的步骤中，所述第二绝缘层的顶部至所述位线结构顶部的距离小于或者等于70纳米。
8.如权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成第三绝缘层的步骤中，所述第二绝缘层的顶部至所述第三绝缘层顶部的距离大于或者等于50...
【专利技术属性】
技术研发人员：鲍锡飞，吴从军，黄亚飞，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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