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本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法。该制造方法包括：形成初始半导体结构，所述初始半导体结构包括基底及设置在所述基底表面的多个彼此独立的位线结构，所述位线结构侧壁覆盖有第一绝缘层，所述第一绝缘层表面覆盖有第二绝缘层，所述第一绝缘层材料...
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