【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构的制备方法以及半导体结构。
技术介绍
1、随着超大规模集成电路技术的迅速发展，半导体器件的尺寸在不断减小，但是半导体器件的持续减小导致nmos晶体管或pmos晶体管上产生更高的电场，沟道处产生热载流子效应导致ioff(off state current，闭态漏电流)验证，在低功耗dram器件中，为了满足待机电流标准，提高heip(hot electron induced punch through，热电子感应穿透)的抗干扰能力是必不可少的。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构的制备方法以及半导体结构。
2、根据本公开实施例的第一方面，提供了一种半导体结构的制备方法，所述方法包括：
3、提供衬底，所述衬底包括单元阵列区和外围电路区；所述外围电路区包括有源区和隔离区，所述隔离区包括第一介质层，所述第一介质层包裹所述有源区的侧壁；
4、刻蚀去除部分所述第一介质层；
5、对所述有源区进行...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，>
10.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包...
【专利技术属性】
技术研发人员：王同辉，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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