【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种半导体封装方法及封装结构。
技术介绍
1、目前板级扇出型封装中较大的技术难点之一就是半导体芯片从贴片到形成封装层的过程中的芯片偏移。在完成半导体芯片在载板上再排布时，受贴片设备等因素的影响，半导体芯片存在一个和理论贴片位置的偏移，通常情况下这个偏移在可接受范围内。但在形成封装层后，受工艺的影响，例如，封装材料本身的涨缩、形成封装层时产生的各向压力对半导体芯片位置的冲击等因素，会造成半导体芯片的实际位置与理论贴片位置的偏移超过最大可接受范围，造成在后续再布线工艺中产生再布线层与半导体芯片的焊盘无法连通或错误连通等问题。
2、第二个难点在于目前板级封装通常是单面增层，在制作双面互联产品时想要形成正反两面的互联通道只能通过预置导电体或者采用镭射开孔等方法进行双面互联，工艺难度较大，产品生产周期长，良率提升困难。
3、因此，如何提供一种更佳的半导体封装方法及封装结构，是本领域技术人员一直以来的追求。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体封装方法及封装结构，以优化半导体封装工艺。
2、为此，本专利技术提供一种半导体封装方法，所述半导体封装方法包括：
3、提供半导体芯片，所述半导体芯片的正面形成有开口；
4、提供封装基体，所述封装基体包括导电柱；
5、将所述半导体芯片转移到所述封装基体上，其中，所述开口对准所述导电柱；以及，
6、形成封装层，所述封装层覆盖所述半
7、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述半导体芯片的正面形成有至少两个所述开口，包括第一开口和第二开口；所述封装基体包括至少一组所述导电柱，每组所述导电柱包括与所述开口对应的第一导电柱和第二导电柱，将所述半导体芯片转移到所述封装基体上时，所述第一开口对准所述第一导电柱，所述第二开口对准所述第二导电柱。
8、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述开口和所述导电柱的横截面形状相同，并且所述开口和所述导电柱的横截面呈多边形、椭圆形或者不规则形状。
9、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述开口包括贯穿所述半导体芯片的正面和背面的通孔。
10、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述开口中形成有与所述半导体芯片的背面电性连接的连接层，所述封装基体还包括第一再布线层，所述导电柱形成于所述第一再布线层上；将所述半导体芯片转移到所述封装基体上，包括：所述第一再布线层与所述连接层电性连接。
11、可选的，在所述的半导体封装方法中，至少提供两个所述半导体芯片，所述封装基体包括至少两组所述导电柱，将所述半导体芯片转移到所述封装基体上时，各所述半导体芯片的所述开口对准对应的各所述导电柱。
12、可选的，在所述的半导体封装方法中，在形成封装层，所述封装层覆盖所述半导体芯片之后，所述半导体封装方法还包括：
13、在所述半导体芯片的正面形成连接所述第一再布线层的第二再布线层；以及，
14、在所述第二再布线层上形成外引脚。
15、可选的，在所述的半导体封装方法中，至少一个所述半导体芯片的正面通过所述第二再布线层、所述第一再布线层以及所述连接层与至少一个所述半导体芯片的背面电性连接。
16、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述封装基体还包括封装基板，所述导电柱形成于所述封装基板上。
17、本专利技术还提供一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：
18、半导体芯片，所述半导体芯片的正面形成有开口；
19、封装基体，所述封装基体包括导电柱，所述导电柱对准伸入所述开口中；以及，
20、封装层，所述封装层覆盖所述半导体芯片。
21、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述半导体芯片的正面形成有至少两个所述开口，包括第一开口和第二开口；所述封装基体包括至少一组所述导电柱，每组所述导电柱包括与所述开口对应的第一导电柱和第二导电柱，所述第一导电柱对准伸入所述第一开口中，所述第二导电柱对准伸入所述第二开口中。
22、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述开口和所述导电柱的横截面形状相同，并且所述开口和所述导电柱的横截面呈多边形、椭圆形或者不规则形状。
23、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述开口包括贯穿所述半导体芯片的正面和背面的通孔。
24、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述开口中形成有与所述半导体芯片的背面电性连接的连接层；所述封装基体还包括第一再布线层，所述导电柱形成于所述第一再布线层上，所述第一再布线层与所述连接层电性连接。
25、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述半导体封装结构包括至少两个所述半导体芯片，所述封装基体包括至少两组所述导电柱，各组所述导电柱对准伸入对应的各所述半导体芯片的所述开口中。
26、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述半导体封装结构还包括位于所述半导体芯片的正面的第二再布线层以及位于所述第二再布线层上的外引脚，所述第二再布线层与所述第一再布线层连接，至少一个所述半导体芯片的正面通过所述第二再布线层、所述第一再布线层以及所述连接层与至少一个所述半导体芯片的背面电性连接。
27、在本专利技术提供的半导体封装方法及封装结构中，提供的半导体芯片的正面形成有开口，提供的封装基体包括导电柱，将所述半导体芯片转移到所述封装基体上时，所述开口对准所述导电柱，即所述导电柱作为导引及限位结构，由此，在进行半导体芯片的封装过程中能够降低甚至避免半导体芯片的实际位置与理论贴片位置的偏移，提高半导体封装结构的质量与可靠性。
28、优选的，所述半导体芯片的正面形成有至少两个所述开口，即，通过多个开口的导引与限位，能够更好地降低半导体芯片的实际位置与理论贴片位置的偏移，从而进一步提高半导体封装结构的质量与可靠性。
29、优选的，所述开口和所述导电柱的横截面形状相同，并且所述开口和所述导电柱的横截面呈多边形、椭圆形或者不规则形状，即所述开口和所述导电柱具有旋转可变性，由此还可以很好地降低半导体芯片的实际位置与理论贴片位置的旋转偏移，从而进一步提高半导体封装结构的质量与可靠性。
30、优选的，所述开口包括贯穿所述半导体芯片的正面和背面的通孔，由此可以降低对所述导电柱的制造工艺的要求，从而简化工艺，提高所形成的半导体封装结构的质量与可靠性。
31、进一步的，所述开口中形成有与所述半导体芯片的背面电性连接的连接层，所述封装基体还包括第一再布线层，所述第一再布线层与所述连接层电性连接，由此，便可实现半导体封装结构的双面互连。更优的，通过第二再布线层可以实现一个所述半导体芯片的正面与另一个所述半导体芯片的背面电性连接，由此，封装过程中便无需通过镭射打深孔，同时也可以减少一道转板工序，从而简化了封装过程，提高了封装效率与质量。
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1.一种半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述半导体芯片的正面形成有至少两个所述开口，包括第一开口和第二开口；所述封装基体包括至少一组所述导电柱，每组所述导电柱包括与所述开口对应的第一导电柱和第二导电柱，将所述半导体芯片转移到所述封装基体上时，所述第一开口对准所述第一导电柱，所述第二开口对准所述第二导电柱。
3.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述开口和所述导电柱的横截面形状相同，并且所述开口和所述导电柱的横截面呈多边形、椭圆形或者不规则形状。
4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体封装方法，其特征在于，所述开口包括贯穿所述半导体芯片的正面和背面的通孔。
5.如权利要求4所述的半导体封装方法，其特征在于，所述开口中形成有与所述半导体芯片的背面电性连接的连接层，所述封装基体还包括第一再布线层，所述导电柱形成于所述第一再布线层上；将所述半导体芯片转移到所述封装基体上，包括：所述第一再布线层与所述连接层电性连接。
6.如权利要求5所述的半导体
7.如权利要求6所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成封装层，所述封装层覆盖所述半导体芯片之后，所述半导体封装方法还包括：
8.如权利要求7所述的半导体封装方法，其特征在于，至少一个所述半导体芯片的正面通过所述第二再布线层、所述第一再布线层以及所述连接层与至少一个所述半导体芯片的背面电性连接。
9.如权利要求1～3中任一项所述的半导体封装方法，其特征在于，所述封装基体还包括封装基板，所述导电柱形成于所述封装基板上。
10.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：
11.如权利要求10所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体芯片的正面形成有至少两个所述开口，包括第一开口和第二开口；所述封装基体包括至少一组所述导电柱，每组所述导电柱包括与所述开口对应的第一导电柱和第二导电柱，所述第一导电柱对准伸入所述第一开口中，所述第二导电柱对准伸入所述第二开口中。
12.如权利要求10所述的半导体封装结构，其特征在于，所述开口和所述导电柱的横截面形状相同，并且所述开口和所述导电柱的横截面呈多边形、椭圆形或者不规则形状。
13.如权利要求10～12中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述开口包括贯穿所述半导体芯片的正面和背面的通孔。
14.如权利要求13所述的半导体封装结构，其特征在于，所述开口中形成有与所述半导体芯片的背面电性连接的连接层；所述封装基体还包括第一再布线层，所述导电柱形成于所述第一再布线层上，所述第一再布线层与所述连接层电性连接。
15.如权利要求14所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括至少两个所述半导体芯片，所述封装基体包括至少两组所述导电柱，各组所述导电柱对准伸入对应的各所述半导体芯片的所述开口中。
16.如权利要求15所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括位于所述半导体芯片的正面的第二再布线层以及位于所述第二再布线层上的外引脚，所述第二再布线层与所述第一再布线层连接，至少一个所述半导体芯片的正面通过所述第二再布线层、所述第一再布线层以及所述连接层与至少一个所述半导体芯片的背面电性连接。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述半导体芯片的正面形成有至少两个所述开口，包括第一开口和第二开口；所述封装基体包括至少一组所述导电柱，每组所述导电柱包括与所述开口对应的第一导电柱和第二导电柱，将所述半导体芯片转移到所述封装基体上时，所述第一开口对准所述第一导电柱，所述第二开口对准所述第二导电柱。
3.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述开口和所述导电柱的横截面形状相同，并且所述开口和所述导电柱的横截面呈多边形、椭圆形或者不规则形状。
4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体封装方法，其特征在于，所述开口包括贯穿所述半导体芯片的正面和背面的通孔。
5.如权利要求4所述的半导体封装方法，其特征在于，所述开口中形成有与所述半导体芯片的背面电性连接的连接层，所述封装基体还包括第一再布线层，所述导电柱形成于所述第一再布线层上；将所述半导体芯片转移到所述封装基体上，包括：所述第一再布线层与所述连接层电性连接。
6.如权利要求5所述的半导体封装方法，其特征在于，至少提供两个所述半导体芯片，所述封装基体包括至少两组所述导电柱，将所述半导体芯片转移到所述封装基体上时，各所述半导体芯片的所述开口对准对应的各所述导电柱。
7.如权利要求6所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成封装层，所述封装层覆盖所述半导体芯片之后，所述半导体封装方法还包括：
8.如权利要求7所述的半导体封装方法，其特征在于，至少一个所述半导体芯片的正面通过所述第二再布线层、所述第一再布线层以及所述连接层与至少一个所述半导体芯片的背面电性连接。
9.如权利要求1～3中任一项所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：王鑫璐，
申请(专利权)人：矽磐微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：
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