【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种半导体封装结构及封装方法。
技术介绍
1、目前板级扇出型封装中的技术难点之一就是半导体芯片转移到载板上时存在偏移，导致贴片精度比较低。贴片精度低可能会导致在后续再布线工艺中产生线路与半导体芯片焊盘无法连通或错误连通等问题。因此，如何提高贴片精度，是本领域技术人员亟待解决的一个问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体封装结构及封装方法，以解决现有技术中半导体芯片转移到载板上时存在偏移，导致贴片精度比较低的封装件。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种半导体封装方法，所述半导体封装方法包括：
3、提供载板以及半导体芯片，并且在所述载板上形成第一导引结构，在所述半导体芯片上形成第二导引结构；所述第一导引结构和所述第二导引结构中一者是磁性结构，另一者是能够被所述磁性结构吸引的铁磁性结构；
4、将所述半导体芯片粘贴至所述载板上，其中，所述第二导引结构朝向所述第一导引结构；以及，
5、对所述半导体芯片执行塑封工艺，以形成包封所述半导体芯片的塑封层。
6、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述磁性结构的形成方法包括：
7、经由第一印刷模具在器件上印刷磁性材料，其中，所述器件为所述半导体芯片或者所述载板；
8、移除所述第一印刷模具；
9、在磁场作用下，对所述磁性材料的磁性进行定向；以及，
10、在第一温度下，对经过磁性定向后的所述磁
11、或者，所述磁性结构的形成方法包括：
12、在器件上形成第一膜层，所述第一膜层中具有多个贯穿的孔洞，其中，所述器件为所述半导体芯片或者所述载板；
13、经由所述第一膜层在所述器件上印刷磁性材料；
14、在磁场作用下，对所述磁性材料的磁性进行定向；
15、在第一温度下，对经过磁性定向后的所述磁性材料执行烘烤工艺，以形成所述磁性结构；以及，
16、去除所述第一膜层。
17、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述磁性结构的形成方法还包括：
18、对所述磁性结构执行整平工艺；以及，
19、对经过整平工艺后的所述磁性结构的磁性进行定向。
20、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述磁性材料包括：第一固化剂、第二固化剂以及磁粉，其中，所述第二固化剂的固化温度高于所述第一固化剂的固化温度，所述第一温度为所述第一固化剂的固化温度。
21、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述铁磁性结构的形成方法包括：
22、经由第二印刷模具在器件上印刷铁磁性材料，其中，所述器件为所述半导体芯片或者所述载板；
23、移除所述第二印刷模具；以及，
24、在第二温度下，对所述铁磁性材料执行烘烤工艺，以形成所述铁磁性结构；
25、或者，所述铁磁性结构的形成方法包括：
26、在器件上形成第二膜层，所述第二膜层中具有多个贯穿的孔洞，其中，所述器件为所述半导体芯片或者所述载板；
27、经由所述第二膜层在所述器件上印刷铁磁性材料；
28、在第二温度下，对所述铁磁性材料执行烘烤工艺，以形成所述铁磁性结构；以及，
29、去除所述第二膜层。
30、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述铁磁性材料包括第三固化剂、第四固化剂以及具有铁磁性的金属，其中，所述第四固化剂的固化温度高于所述第三固化剂的固化温度，所述第二温度为所述第三固化剂的固化温度。
31、可选的，在所述的半导体封装方法中，将所述半导体芯片粘贴至所述载板上，其中，所述第二导引结构朝向所述第一导引结构之后，对所述半导体芯片执行塑封工艺，以形成包封所述半导体芯片的塑封层之前，所述半导体封装方法还包括：
32、在真空以及第三温度下，压合所述半导体芯片与所述载板。
33、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述第三温度为所述磁性结构和/或所述铁磁性结构能够发生固化反应的温度。
34、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述载板上依次形成有粘附层和第一种子层。
35、可选的，在所述的半导体封装方法中，对所述半导体芯片执行塑封工艺，以形成包封所述半导体芯片的塑封层之后，所述半导体封装方法还包括：
36、移除所述载板、所述第一导引结构以及所述第二导引结构，以在所述塑封层中形成多个暴露出部分所述半导体芯片的开口，所述开口包括连通的第一开口部以及位于所述第一开口部上的第二开口部，所述第一开口部的截面宽度大于所述第二开口部的截面宽度或者所述第一开口部的截面宽度小于所述第二开口部的截面宽度。
37、可选的，在所述的半导体封装方法中，在移除所述载板、所述第一导引结构以及所述第二导引结构，以在所述塑封层中形成多个暴露出部分所述半导体芯片的开口之后，所述半导体封装方法还包括：
38、在所述开口中形成第二种子层；
39、其中，所述第一开口部的截面宽度大于所述第二开口部的截面宽度时，采用化学镀的方式形成所述第二种子层；所述第一开口部的截面宽度小于所述第二开口部的截面宽度时，采用溅射或者化学镀的方式形成所述第二种子层。
40、本专利技术还提供一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：
41、半导体芯片；以及，
42、包封所述半导体芯片的塑封层，所述塑封层中形成有多个暴露出部分所述半导体芯片的开口，所述开口包括连通的第一开口部以及位于所述第一开口部上的第二开口部，所述第一开口部的截面宽度大于所述第二开口部的截面宽度或者所述第一开口部的截面宽度小于所述第二开口部的截面宽度。
43、在本专利技术提供的半导体封装结构及封装方法中，通过在载板上形成第一导引结构，在半导体芯片上形成第二导引结构，所述第一导引结构和所述第二导引结构中一者是磁性结构，另一者是能够被所述磁性结构吸引的铁磁性结构，由此，在将所述半导体芯片粘贴至所述载板上时，可以通过所述第一导引结构和所述第二导引结构之间的吸引力提高两者的对位精度，从而可以减少贴片时的偏移，提高贴片精度。相应所形成的半导体封装结构也能具有更好的电性导通性能。
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1.一种半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述磁性结构的形成方法包括：
3.如权利要求2所述的半导体封装方法，其特征在于，所述磁性结构的形成方法还包括：
4.如权利要求2所述的半导体封装方法，其特征在于，所述磁性材料包括：第一固化剂、第二固化剂以及磁粉，其中，所述第二固化剂的固化温度高于所述第一固化剂的固化温度，所述第一温度为所述第一固化剂的固化温度。
5.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述铁磁性结构的形成方法包括：
6.如权利要求5所述的半导体封装方法，其特征在于，所述铁磁性材料包括第三固化剂、第四固化剂以及具有铁磁性的金属，其中，所述第四固化剂的固化温度高于所述第三固化剂的固化温度，所述第二温度为所述第三固化剂的固化温度。
7.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，将所述半导体芯片粘贴至所述载板上，其中，所述第二导引结构朝向所述第一导引结构之后，对所述半导体芯片执行塑封工艺，以形成包封所述半导体芯片的塑封层之前，
8.如权利要求7所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第三温度为所述磁性结构和/或所述铁磁性结构能够发生固化反应的温度。
9.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述载板上依次形成有粘附层和第一种子层。
10.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，对所述半导体芯片执行塑封工艺，以形成包封所述半导体芯片的塑封层之后，所述半导体封装方法还包括：
11.如权利要求10所述的半导体封装方法，其特征在于，在移除所述载板、所述第一导引结构以及所述第二导引结构，以在所述塑封层中形成多个暴露出部分所述半导体芯片的开口之后，所述半导体封装方法还包括：
12.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述磁性结构的形成方法包括：
3.如权利要求2所述的半导体封装方法，其特征在于，所述磁性结构的形成方法还包括：
4.如权利要求2所述的半导体封装方法，其特征在于，所述磁性材料包括：第一固化剂、第二固化剂以及磁粉，其中，所述第二固化剂的固化温度高于所述第一固化剂的固化温度，所述第一温度为所述第一固化剂的固化温度。
5.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述铁磁性结构的形成方法包括：
6.如权利要求5所述的半导体封装方法，其特征在于，所述铁磁性材料包括第三固化剂、第四固化剂以及具有铁磁性的金属，其中，所述第四固化剂的固化温度高于所述第三固化剂的固化温度，所述第二温度为所述第三固化剂的固化温度。
7.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，将所述半...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨威源，
申请(专利权)人：矽磐微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：
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