【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种半导体封装方法及封装结构。
技术介绍
1、半导体集成电路(integrated circuit；ic)工业经历了快速发展。ic制造中的技术进步已产生了几代ic，并且每一代制造出比上一代更小且更复杂的半导体芯片。半导体芯片需要进行封装形成半导体封装结构，以实现对于半导体芯片的保护以及进一步实现其功能。随着半导体芯片结构的发展与进步，本领域技术人员同样需要发展半导体芯片的封装技术，以提高半导体封装结构的质量或者丰富半导体封装工艺。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体封装方法及封装结构，以提高半导体封装结构的质量或者丰富半导体封装工艺。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种半导体封装方法，所述半导体封装方法包括：
3、提供载板，通过键合工艺在所述载板上形成第一间隔层；
4、在所述第一间隔层上形成第一线路层；
5、在所述第一线路层上贴合第一器件；以及，
6、形成第一封装层，所述第一封装层覆盖所述第一器件。
7、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述半导体封装方法还包括：
8、在所述第一封装层上形成第二线路层，所述第二线路层和所述第一器件电性连接；
9、在所述第二线路层上贴合第二器件；以及，
10、形成第二封装层，所述第二封装层覆盖所述第二器件。
11、可选的，在所述的半导体封装方法中，在所述第一线路层上贴合至少一个
12、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述第一器件和所述第二器件为无源器件或者有源器件。
13、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述第一器件和所述第二器件为裸芯或者经过封装工艺的芯片。
14、可选的，在所述的半导体封装方法中，通过热键合工艺在所述载板上形成所述第一间隔层。
15、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述第一间隔层为半固化片或者树脂片。
16、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述载板为玻璃载板。
17、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述半导体封装方法还包括：
18、通过解键合工艺分离所述第一间隔层和所述载板，暴露出所述第一间隔层；
19、在所述第一间隔层中形成开口，所述开口暴露出部分所述第一线路层；以及，
20、在所述开口中形成引脚。
21、可选的，在所述的半导体封装方法中，通过镭射工艺在所述第一间隔层中形成多个所述开口。
22、本专利技术还提供一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：
23、第一间隔层；
24、形成于所述第一间隔层上的第一线路层；
25、贴合于所述第一线路层上的第一器件；以及，
26、覆盖所述第一器件的第一封装层。
27、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述半导体封装结构还包括：
28、形成于所述第一封装层上的第二线路层，所述第二线路层和所述第一器件电性连接；
29、贴合于所述第二线路层上的第二器件；以及，
30、覆盖所述第二器件的第二封装层。
31、在本专利技术提供的半导体封装方法及封装结构中，第一间隔层通过键合工艺形成于载板上，由此，既能够保证所述第一间隔层和所述载板之间的可靠连接，以使所述载板为所述第一间隔层提供稳定的支撑力，同时还能便于后续两者之间的分离，保证分离后的所述第一间隔层和所述载板具备高质量与高可靠性；进一步的，由此所形成的半导体封装结构也能够具备高质量与高可靠性。
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1.一种半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法还包括：
3.如权利要求2所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述第一线路层上贴合至少一个所述第一器件，在所述第二线路层上贴合至少一个所述第二器件，至少一个所述第二器件通过所述第二线路层和至少一个所述第一器件电性连接。
4.如权利要求3所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件为无源器件或者有源器件。
5.如权利要求3所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件为裸芯或者经过封装工艺的芯片。
6.如权利要求1或2所述的半导体封装方法，其特征在于，通过热键合工艺在所述载板上形成所述第一间隔层。
7.如权利要求6所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第一间隔层为半固化片或者树脂片；所述载板为玻璃载板。
8.如权利要求1或2所述的半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法还包括：
9.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体
10.如权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法还包括：
3.如权利要求2所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述第一线路层上贴合至少一个所述第一器件，在所述第二线路层上贴合至少一个所述第二器件，至少一个所述第二器件通过所述第二线路层和至少一个所述第一器件电性连接。
4.如权利要求3所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件为无源器件或者有源器件。
5.如权利要求3所述的半导体封装方法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：涂旭峰，霍炎，
申请(专利权)人：矽磐微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：
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