【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种半导体封装方法及封装结构。
技术介绍
1、半导体集成电路(integrated circuit；ic)工业经历了快速发展。ic制造中的技术进步已产生了几代ic，并且每一代制造出比上一代更小且更复杂的半导体芯片。半导体芯片需要进行封装形成半导体封装结构，以实现对于半导体芯片的保护以及进一步实现其功能。随着半导体芯片结构的发展与进步，本领域技术人员同样需要发展半导体芯片的封装技术，以提高半导体封装结构的质量或者丰富半导体封装工艺。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体封装方法及封装结构，以提高半导体封装结构的质量或者丰富半导体封装工艺。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种半导体封装方法，所述半导体封装方法包括：
3、提供第一载板，在所述第一载板上粘贴半导体芯片以及导电框架，所述半导体芯片位于所述导电框架内；
4、形成塑封层，所述塑封层覆盖所述半导体芯片和所述导电框架并暴露出部分所述半导体芯片和所述导电框架；以及，
5、形成第一再布线层，所述第一再布线层电连接所述半导体芯片和所述导电框架。
6、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述导电框架包括呈环形的侧壁；所述在所述第一载板上粘贴半导体芯片以及导电框架包括：
7、在所述第一载板上粘贴半导体芯片；以及，
8、在所述半导体芯片外的所述第一载板上粘贴导电框架；
9、或者，在所述第一载板上粘贴
10、在所述导电框架内的所述第一载板上粘贴半导体芯片。
11、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述导电框架包括呈环形的侧壁以及与所述侧壁连接的顶壁；所述在所述第一载板上粘贴半导体芯片以及导电框架包括：
12、在所述第一载板上粘贴半导体芯片；
13、在所述半导体芯片外的所述第一载板上粘贴导电框架；以及，
14、研磨所述导电框架，以去除所述顶壁并暴露出所述半导体芯片。
15、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述侧壁的高度介于所述半导体芯片厚度的一倍至两倍之间。
16、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述侧壁的数量为四个，四个所述侧壁依次连接并呈正方形环，所述导电框架的内宽介于所述半导体芯片宽度的一倍至两倍之间。
17、可选的，在所述的半导体封装方法中，提供第一载板，在所述第一载板上粘贴半导体芯片以及导电框架之前，所述半导体封装方法还包括：
18、提供一导电板，对所述导电板执行刻蚀工艺以在所述导电板中形成多个开槽；以及，
19、切割所述导电板以形成多个所述导电框架，每个所述导电框架具有一个所述开槽。
20、可选的，在所述的半导体封装方法中，所述形成塑封层，所述塑封层覆盖所述半导体芯片和所述导电框架并暴露出部分所述半导体芯片和所述导电框架包括：
21、形成塑封层，所述塑封层覆盖所述半导体芯片和所述导电框架；
22、对所述塑封层执行研磨工艺，以使所述塑封层至预定厚度；以及，
23、对所述塑封层执行镭射钻孔工艺以暴露出所述导电框架的至少部分第一表面以及所述半导体芯片的至少部分正面。
24、可选的，在所述的半导体封装方法中，在形成第一再布线层，所述第一再布线层电连接所述半导体芯片和所述导电框架之后，所述半导体封装方法还包括：
25、在所述第一再布线层上形成外引脚结构；以及，
26、形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述外引脚结构以及所述第一再布线层并暴露出所述外引脚结构的表面。
27、可选的，在所述的半导体封装方法中，在形成第一介质层之后，所述半导体封装方法还包括：
28、提供第二载板，将所述第一介质层粘贴至所述第二载板上，并暴露出所述导电框架的第二表面以及所述半导体芯片的背面；
29、形成第二再布线层，所述第二再布线层电连接所述半导体芯片的背面和所述导电框架的第二表面；以及，
30、形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第二再布线层。
31、本专利技术还提供一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：
32、半导体芯片以及导电框架，所述半导体芯片位于所述导电框架内；
33、塑封层，所述塑封层覆盖所述半导体芯片和所述导电框架并暴露出部分所述半导体芯片和所述导电框架；以及，
34、第一再布线层，所述第一再布线层电连接所述半导体芯片和所述导电框架。
35、在本专利技术提供的半导体封装方法及封装结构中，在第一载板上粘贴半导体芯片以及导电框架，所述半导体芯片位于所述导电框架内，再形成电连接所述半导体芯片和所述导电框架第一再布线层，从而可以很方便的实现与半导体芯片的电性连接。同时，粘贴导电框架工艺简单并且导电框架结构稳定、可靠性高，从而使得所形成的半导体封装结构具有高质量与高可靠性。
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1.一种半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述导电框架包括呈环形的侧壁；所述在所述第一载板上粘贴半导体芯片以及导电框架包括：
3.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述导电框架包括呈环形的侧壁以及与所述侧壁连接的顶壁；所述在所述第一载板上粘贴半导体芯片以及导电框架包括：
4.如权利要求2或3所述的半导体封装方法，其特征在于，所述侧壁的高度介于所述半导体芯片厚度的一倍至两倍之间。
5.如权利要求2或3所述的半导体封装方法，其特征在于，所述侧壁的数量为四个，四个所述侧壁依次连接并呈正方形环，所述导电框架的内宽介于所述半导体芯片宽度的一倍至两倍之间。
6.如权利要求1～3中任一项所述的半导体封装方法，其特征在于，提供第一载板，在所述第一载板上粘贴半导体芯片以及导电框架之前，所述半导体封装方法还包括：
7.如权利要求2或3所述的半导体封装方法，其特征在于，所述形成塑封层，所述塑封层覆盖所述半导体芯片和所述导电框架并暴露出部分所述半导体芯
8.如权利要求7所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成第一再布线层，所述第一再布线层电连接所述半导体芯片和所述导电框架之后，所述半导体封装方法还包括：
9.如权利要求8所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成第一介质层之后，所述半导体封装方法还包括：
10.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述导电框架包括呈环形的侧壁；所述在所述第一载板上粘贴半导体芯片以及导电框架包括：
3.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述导电框架包括呈环形的侧壁以及与所述侧壁连接的顶壁；所述在所述第一载板上粘贴半导体芯片以及导电框架包括：
4.如权利要求2或3所述的半导体封装方法，其特征在于，所述侧壁的高度介于所述半导体芯片厚度的一倍至两倍之间。
5.如权利要求2或3所述的半导体封装方法，其特征在于，所述侧壁的数量为四个，四个所述侧壁依次连接并呈正方形环，所述导电框架的内宽介于所述半导体芯片宽度的一倍至两倍之间。
【专利技术属性】
技术研发人员：涂旭峰，王鑫璐，
申请(专利权)人：矽磐微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：
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