【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子设备，特别涉及霍尔离子源、复合工件及其制备方法和电子设备。
技术介绍
1、霍尔离子源作为低能大束流离子源，目前主要应用在对基材的表面清洁以及在镀膜时提供辅助作用。使用霍尔离子源对基材进行表面清洁可去除杂质。利用霍尔离子源在镀膜时提供辅助作用可提高膜层的致密度，进而提高膜层性能。
2、长久以来，基于常规的霍尔离子源的工作原理，对霍尔离子源的结构进行改造的方向一直未能突破已知的工作原理。
技术实现思路
1、基于此，本专利技术提供一种霍尔离子源、复合工件及其制备方法和电子设备。
2、本专利技术第一方面提供一种霍尔离子源。其技术方案如下：
3、一种霍尔离子源，包括中空壳体、位于所述中空壳体上的阴极以及设置于所述中空壳体内部的阳极、气体分流器和磁性体；
4、所述中空壳体的顶部设置有开口，所述开口与所述阴极对应，所述阴极与所述阳极相对设置，用于提供电场，所述阳极设有与所述开口对应的通气孔；
5、所述气体分流器用于分流工作气体...
【技术保护点】
1.一种霍尔离子源，其特征在于，包括中空壳体、位于所述中空壳体上的阴极以及设置于所述中空壳体内部的阳极、气体分流器和磁性体；
2.根据权利要求1所述的霍尔离子源，其特征在于，所述碳材料选自石墨。
3.根据权利要求1或2所述的霍尔离子源，其特征在于，沿靠近所述开口的方向，所述通气孔的孔径逐渐变大。
4.根据权利要求1或2所述的霍尔离子源，其特征在于，包括以下一项或多项特征：
5.一种复合工件，其特征在于，包括有机物基体、表面改性层和附着层；
6.根据权利要求5所述的复合工件，其特征在于，所述有机物层为固化胶层。
7.根...
【技术特征摘要】
1.一种霍尔离子源，其特征在于，包括中空壳体、位于所述中空壳体上的阴极以及设置于所述中空壳体内部的阳极、气体分流器和磁性体；
2.根据权利要求1所述的霍尔离子源，其特征在于，所述碳材料选自石墨。
3.根据权利要求1或2所述的霍尔离子源，其特征在于，沿靠近所述开口的方向，所述通气孔的孔径逐渐变大。
4.根据权利要求1或2所述的霍尔离子源，其特征在于，包括以下一项或多项特征：
5.一种复合工件，其特征在于，包括有机物基体、表面改性层和附着层；
6.根据权利要求5所述的复合工件，其特征在于，所述有机物层为固化胶层。
7.根据权利要求5或6所述的复合工件，其特征在于，所述附着层包括有机附着层和/或无机附着层。
8.一种复合工件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
9.根据权利要求8所述的复合工件的制备方...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭钰，陈智顺，
申请(专利权)人：深圳市锐尔觅移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：
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