基板处理方法技术

本发明专利技术的基板处理方法对在表面形成有低介电常数覆膜的基板W进行处理。执行致密化工序，在该致密化工序中，通过使低介电常数覆膜的表层部致密化来转换成致密化层。然后，执行修复液供给工序，在该修复液供给工序中，在致密化层形成工序之后，向低介电常数覆膜的表面供给用于修复致密化层的修复液。

Substrate Processing Method

The substrate processing method of the present invention processes the substrate W formed on the surface with low dielectric constant coating. A densification process is performed in which the densification layer is converted into a densification layer by densifying the surface of the low dielectric constant film. Then, the repair fluid supply process is performed, in which the repair fluid is supplied to the surface of the low dielectric constant film after the densification layer formation process.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理方法
本专利技术涉及一种处理基板的基板处理方法。作为处理对象的基板例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(FieldEmissionDisplay：场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
技术介绍
近年来，在利用基板所制作的器件(例如，半导体器件)中，为了配线彼此的绝缘等而设置有层间绝缘膜。为了实现器件的高速化，要求层间绝缘膜的寄生电容降低。于是，为了降低寄生电容，提出了如下内容：将低介电常数覆膜用作层间绝缘膜，该低介电常数覆膜由介电常数比氧化硅(SiO2)低(例如，4.0以下)的材料即低介电常数(Low-k)材料构成。在对基板实施干蚀刻或化学研磨法(ChemicalMechanicalPolishing：CMP)时，有时低介电常数覆膜会受到损伤。在已受到损伤的低介电常数覆膜的表面附近系形成有损伤层，由此，低介电常数覆膜的介电常数会上升。因此，可能无法获得所期待的器件特性。因此，在专利文献1中公开了一种修复低介电常数覆膜所受到的损伤的方法。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2008-10610号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在专利文献1所记载的方法中，将损伤层暴露于损伤修复剂中，并且对损伤修复剂进行加压。由此，损伤修复剂容易浸透至损伤层的内部。但是，在专利文献1所记载的方法中，有时损伤修复剂会越过损伤层而浸透至未受到损伤的部分。即，损伤修复层可能过度地浸透至低介电常数覆膜。由于损伤修复剂浸透至低介电常数覆膜中并未受到损伤的部分，因此，低介电常数覆膜的介电常数可能会发生变化。而且，难以将暂时浸透至低介电常数覆膜中的损伤修复剂从低介常数覆膜排除。因此，本专利技术的一个目的在于，提供一种能够抑制液状的修复剂向低介电常数覆膜过度地浸透的基板处理方法。用于解决问题的手段本专利技术提供一种基板处理方法，对在表面形成有低介电常数覆膜的基板进行处理，其中，所述基板处理方法包括：致密化工序，通过使形成于所述低介电常数覆膜的表层部的损伤层致密化来转换成致密化层；以及修复液供给工序，在所述致密化工序之后，向所述低介电常数覆膜的表面供给用于修复所述致密化层的损伤的修复液。根据该方法，向形成于表层部的损伤层已被转换成致密化层的低介电常数覆膜的表面供给修复液。由此，液状的修复液浸透至致密化层，致密化层的损伤被修复。在使损伤层致密化时以致密化层的厚度变为所期望的厚度(例如1nm至5nm)的方式来调整致密化的程度，由此，在修复液供给工序中，能够抑制供给至低介电常数覆膜的表面的修复液越过致密化层而浸透至低介电常数覆膜。即，能够抑制修复液过度地浸透至低介电常数覆膜。在本专利技术的一实施方式中，所述致密化工序包括形成与所述损伤层相比所述修复液难以浸透的所述致密化层的工序。根据该方法，与损伤层相比，修复液难以浸透至致密化层。因此，就致密化层而言，与损伤层相比，因修复液的供给条件(供给量或供给时间)的变化所导致的修复液的浸透的程度(深度)的变化较小。因此，例如，即使在修复液的供给条件中发生了意想不到的变化的情况下，也能够抑制修复液的浸透程度的变化。因此，与不将损伤层转换成致密化层的基板处理相比，能够容易管理修复液浸透至低介电常数覆膜的表层部的程度。因此，能够进一步抑制修复液过度地浸透至低介电常数覆膜。在本专利技术的一实施方式中，所述致密化工序包括将所述低介电常数覆膜的表层部中与所述损伤层相邻的部分转换成所述致密化层的工序。根据该方法，除了损伤层以外，低介电常数覆膜的表层部中与损伤层相邻的部分也被置换成致密化层。因此，与仅将损伤层转换成致密化层的情况相比，能够使致密化层变厚。因此，即使在损伤层比较薄的情况下，也能够抑制供给至低介电常数覆膜的表面的修复液立即越过致密化层而浸透至低介电常数覆膜的内部。由此，能够抑制修复液过度地浸透至低介电常数覆膜。在本专利技术的一实施方式中，在所述损伤层形成有多个空孔。另外，所述致密化工序包括通过压缩所述损伤层而使所述多个空孔缩小，将所述损伤层转换成所述致密化层的工序。根据该方法，损伤层被压缩而多个空孔被缩小，由此，损伤层被转换成致密化层。因此，通过将损伤层转换成致密化层，能抑制修复液通过空孔而浸透至低介电常数覆膜的内部。在本专利技术的一实施方式中，所述致密化工序包括致密化药剂供给工序，在致密化药剂供给工序中，向所述低介电常数覆膜的表面供给用于将所述低介电常数覆膜的表层部转换成所述致密化层的致密化药剂。根据该方法，通过将致密化药剂向低介电常数覆膜的表面供给，来形成致密化层。因此，能够通过调整致密化药剂的供给量或供给时间等，来调整致密化药剂相对于低介电常数覆膜的表层部的浸透程度。因此，能够将致密化层的厚度高精度地调整为所期望的厚度。在本专利技术的一实施方式中，所述基板处理方法还包括：清洗工序，在所述致密化药剂供给工序之前，向所述低介电常数覆膜的表面供给清洗液，从而清洗所述低介电常数覆膜的表面。根据该方法，在致密化药剂供给工序之前，通过清洗液来冲洗低介电常数覆膜的表面。由此，对附着于损伤层的表面的污垢等进行冲洗。因此，能够抑制因损伤层的表面的污垢所引起的致密化药剂的浸透程度(深度)的变化。因此，能够将致密化层的厚度更加高精度地調整为所期望的厚度。本专利技术的上述的或者其他目的、特征及效果参照附图并通过下述实施方式的说明而更加清楚。附图说明图1是用于说明本专利技术的一实施方式的基板处理装置的内部的布局的图解性的俯视图。图2是用于说明所述基板处理装置所具有的处理单元的一结构例的图解性的纵向剖视图。图3是用于说明所述基板处理装置的主要部分的电气结构的框图。图4是用于说明由所述基板处理装置所进行的基板处理的一例的流程图。图5A是用于说明由基板处理所导致的基板的表面的结构变化的剖视图。图5B是用于说明由基板处理所导致的基板的表面的结构变化的剖视图。图5C是用于说明由基板处理所导致的基板的表面的结构变化的剖视图。图5D是用于说明由基板处理所导致的基板的表面的结构变化的剖视图。图6是用于说明由所述基板处理所导致的低介电常数覆膜的表层部的化学结构变化的示意性的剖视图。图7是用于说明由所述基板处理所导致的低介电常数覆膜的表层部的化学结构变化的示意性的剖视图。图8是在氧化处理(图4的S3)中已在损伤层的一部分形成致密化层的情况的基板的低介电常数覆膜周围的示意性的剖视图。图9是用于说明第一实施方式的处理单元的其他结构例的图解性的纵向剖视图。图10是用于说明第二实施方式的基板处理装置的处理单元的结构例的图解性的纵向剖视图。具体实施方式(第一实施方式)图1是用于说明本专利技术的一实施方式的基板处理装置1的内部的布局的图解性的俯视图。基板处理装置1是一张一张地处理硅晶片等基板W的单片式的装置。在本实施方式中，基板W为圆形状的基板。基板处理装置1包括：多个处理单元2，用于处理基板W；多个装载埠(loadport)LP，分别保持用于容纳由处理单元2处理的多张基板W的承载器(carrier)C；搬运机械手IR及CR，在装载埠LP与处理单元2之间搬运基板W；以及控制器3，用于控制基板处理装置1。搬运机械手IR在承载器C与搬运机械手CR之间搬运基板W。搬运机械手CR在搬运机械本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理方法，对在表面形成有低介电常数覆膜的基板进行处理，其中，所述基板处理方法包括：致密化工序，通过使形成于所述低介电常数覆膜的表层部的损伤层致密化来转换成致密化层；以及修复液供给工序，在所述致密化工序之后，向所述低介电常数覆膜的表面供给用于修复所述致密化层的损伤的修复液。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.26 JP 2016-1872501.一种基板处理方法，对在表面形成有低介电常数覆膜的基板进行处理，其中，所述基板处理方法包括：致密化工序，通过使形成于所述低介电常数覆膜的表层部的损伤层致密化来转换成致密化层；以及修复液供给工序，在所述致密化工序之后，向所述低介电常数覆膜的表面供给用于修复所述致密化层的损伤的修复液。2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述致密化工序包括形成与所述损伤层相比所述修复液难以浸透的所述致密化层的工序。3.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，所述致密化工序包括将所述低介电常数覆膜的表层部中与所述损伤...

【专利技术属性】
技术研发人员：樋口鲇美，岩崎晃久，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本,JP