半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本公开的一些实施例提供一种半导体装置的制造方法，其包含形成多个发光元件于第一基板上。上述方法亦包含形成第一图案阵列于第二基板上。上述方法更包含将发光元件从第一基板转移至第二基板。此外，上述方法更包含形成第一图案阵列于第三基板上。上述方法更包含将发光元件从第二基板转移至第三基板。上述方法更包含形成第二图案阵列于第四基板上。上述方法亦包含将发光元件从第三基板转移至第四基板，其中该第一基板上的该多个发光元件之间的一间距与该第一图案阵列之间的一间距不同。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本公开是有关于半导体装置的形成方法，且特别是有关于一种包含发光二极管的半导体装置的形成方法。
技术介绍
随着数字科技的发展，半导体装置已被广泛地应用在日常生活的各个层面中，例如其已广泛应用于电视、笔记本、电脑、行动电话、智慧型手机等现代化信息设备，且此半导体装置不断朝着轻、薄、短小及时尚化方向发展。而此半导体装置包括发光二极管半导体装置。在现今微发光二极管半导体装置产业皆朝大量生产的趋势迈进的情况下，任何微发光二极管半导体装置的生产成本的减少皆可带来巨大的经济效益。然而，目前的半导体装置并非各方面皆令人满意。因此，业界仍须一种可更进一步提升显示品质或降低制造成本的半导体装置。
技术实现思路
本公开的一些实施例提供一种半导体装置的制造方法，包含形成多个发光元件于第一基板上。上述方法亦包含形成第一图案阵列于第二基板上。上述方法更包含将发光元件从第一基板转移至第二基板。此外，上述方法更包含形成第一图案阵列于第三基板上。上述方法更包含将发光元件从第二基板转移至第三基板。上述方法更包含形成第二图案阵列于第四基板上。上述方法亦包含将发光元件从第三基板转移至第四基板，其中第一基板上的这些发光元件之间的一间距与第一图案阵列之间的一间距不同。本公开的一些实施例提供一种半导体装置的制造方法，包含形成多个发光元件于第一基板上。上述方法亦包含提供第二基板。上述方法更包含将发光元件从第一基板转移至第二基板。此外，上述方法包含形成粘着层于第三基板上。上述方法亦包含将发光元件从第二基板转移至第三基板。上述方法更包含提供第四基板，降低一部分的粘着层的粘着力，并将发光元件从第三基板转移至第四基板。附图说明为让本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本专利技术的具体实施方式作详细说明，其中：图1为根据本公开的一些实施例的发光单元与基板的上视图；图2为根据本公开的一些实施例的发光单元的剖面示意图；图3A-3F为根据本公开的一些实施例的形成半导体装置的制程各阶段的剖面示意图；图4为根据本公开的一些实施例的基板的上视图；图5为根据本公开的一些实施例的半导体装置的基板的上视图；图6A-6D为根据本公开的一些实施例的形成半导体装置的制程各阶段的剖面示意图；图7A-7B为根据本公开的一些实施例的形成半导体装置的制程的各阶段的剖面示意图；图8A-8G为根据本公开的一些实施例，选择性地将发光单元从一基板转移至另一基板的制程的剖面示意图；图9A-9B为根据本公开的一些实施例，选择性地将发光单元从一基板转移至另一基板的制程的剖面示意图。符号说明：100A～半导体装置100B～半导体装置100C～半导体装置102～半导体基板104～发光单元106～半导体层108～发光层110～半导体层112～导电垫114～导电垫116～保护层118～基板120～图案阵列122～间隔层124～开口126～粘着层128～发光单元130～导电凸块132～基板134～图案阵列136～间隔层138～开口140～导电层142～对准记号144～对准记号146～子像素148～蓝色子像素150～绿色子像素152～红色子像素160～半导体基板162～发光单元164～导电凸块166～基板168～粘着层170～基板172～基板174～粘着层174’～粘着层176～加热或照光制程178～基板182～基板184～发光单元184’～发光单元186～导电凸块188～基板190～电路层192～绝缘层194～导通孔196～转移头198～功率源A-D～区域P1-P3～间距具体实施方式以下针对本公开一些实施例的元件基板、半导体装置及半导体装置的制造方法作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本公开一些实施例的不同样态。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单清楚描述本公开一些实施例。当然，这些仅用以举例而非本公开的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本公开一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。此外，实施例中可能使用相对性的用语，例如“较低”或“底部”及“较高”或“顶部”，以描述图式的一个元件对于另一元件的相对关系。能理解的是，如果将图式的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“较低”侧的元件将会成为在“较高”侧的元件。在此，“约”、“大约”、“大抵”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，较佳是10％之内，且更佳是5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“大抵”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“大抵”的含义。能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种元件、组成成分、区域、层、及/或部分，这些元件、组成成分、区域、层、及/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的元件、组成成分、区域、层、及/或部分。因此，以下讨论的一第一元件、组成成分、区域、层、及/或部分可在不偏离本公开一些实施例的教示的情况下被称为一第二元件、组成成分、区域、层、及/或部分。除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与此篇公开所属的
的技术人员所通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有与相关技术及本公开的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本公开实施例有特别定义。本公开一些实施例可配合图式一并理解，本公开实施例的图式亦被视为本公开实施例说明的一部分。需了解的是，本公开实施例的图式并未以实际装置及元件的比例绘示。在图式中可能夸大实施例的形状与厚度以便清楚表现出本公开实施例的特征。此外，图式中的结构及装置是以示意的方式绘示，以便清楚表现出本公开实施例的特征。在本公开一些实施例中，相对性的用语例如“下”、“上”、“水平”、“垂直”、“之下”、“之上”、“顶部”、“底部”等等应被理解为该段以及相关图式中所绘示的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明之用，其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作。而关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。值得注意的是，在后文中“基板”一词可包括透明基板上已形成的元件与覆盖在基底上的各种膜层，其上方可以已形成任何所需的多个有源元件(晶体管元件)，不过此处为了简化图式，仅以平整的基板表示之。本公开的这些实施例所叙述的一结构的厚度，表示删除离群值(outlier)之后该结构的厚度平均值。离群值可以是边缘、明显微型凹槽或明显微型凸起区域的厚度。删除这些离群值后，该结构绝大部分的厚度值皆位于该厚度平均值正负三个标准差的范围之内。参阅图1，图1为根据本公开的一些实施例的半导体基板102本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：形成多个发光元件于一第一基板上；形成一第一图案阵列于一第二基板上；将该多个发光元件从该第一基板转移至该第二基板；形成该第一图案阵列于一第三基板上；将该多个发光元件从该第二基板转移至该第三基板；形成一第二图案阵列于一第四基板上；以及将该多个发光元件从该第三基板转移至该第四基板，其中该第一基板上的该多个发光元件之间的一间距与该第一图案阵列之间的一间距不同。

【技术特征摘要】
2017.08.01 US 62/539,5791.一种半导体装置的制造方法，包括：形成多个发光元件于一第一基板上；形成一第一图案阵列于一第二基板上；将该多个发光元件从该第一基板转移至该第二基板；形成该第一图案阵列于一第三基板上；将该多个发光元件从该第二基板转移至该第三基板；形成一第二图案阵列于一第四基板上；以及将该多个发光元件从该第三基板转移至该第四基板，其中该第一基板上的该多个发光元件之间的一间距与该第一图案阵列之间的一间距不同。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一图案阵列之间的该间距是该第二图案阵列之间的一间距的n倍，其中n为整数且大于0。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一图案阵列包括一粘着层。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，将该多个发光元件从该第二基板转移...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑凯，谢朝桦，林芳莹，刘同凯，王惠洁，林俊贤，柯瑞峰，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71