晶圆级芯片的封装方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种晶圆级芯片的封装方法，包括：晶圆级芯片的封装产品包括基板以及依次形成在基板上的第一绝缘层、有机粘合层和晶圆，晶圆设置非焊盘区；在非焊盘区，在晶圆的第一表面形成抵达有机粘合层的第一通孔，露出第二表面上的绝缘薄膜；在非焊盘区，在第一通孔的表面形成第二绝缘层；以第一通孔作为第一切割道，去除第一切割道内的绝缘薄膜以及第二绝缘层，并减薄第一切割道内的有机粘合层，沿第一切割道，切割至基板远离第一绝缘层的一面。本发明专利技术实施例提供的技术方案，在将多个芯片单元切割成一个一个的分立的部分之前，减薄了有机粘合层，消除了现有技术中晶圆表面的绝缘层的鼓包，改善了产品的电学性能，提高了产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆级芯片的封装方法
本专利技术实施例涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆级芯片的封装方法。
技术介绍
现有的晶圆级封装技术对芯片进行封装时，晶圆内多个芯片单元，每个芯片单元均设置焊盘区和非焊盘区，通过对焊盘区和非焊盘区进行切割，将多个芯片单元切割成一个一个的分立的部分，每部分包括一个芯片单元。尤其是在非焊盘区，将多个芯片单元切割成一个一个的分立的部分的过程中，晶圆表面的绝缘层很容易出现鼓包的现象，影响了产品的电学性能，且降低了产品的良率。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种充晶圆级芯片的封装方法，以解决现有技术中晶圆表面的绝缘层很容易出现鼓包的现象，影响了产品的电学性能，且降低了产品的良率的技术问题。本专利技术实施例提供了一种晶圆级芯片的封装方法，包括：步骤110、提供晶圆级芯片的封装产品，所述晶圆级芯片的封装产品包括基板，形成在所述基板上的第一绝缘层，形成在所述第一绝缘层上的有机粘合层，形成在所述有机粘合层上的晶圆，所述晶圆具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，所述晶圆的第二表面设置有绝缘薄膜；所述晶圆内含多个芯片单元，每个所述芯片单元在所述第二表面的一侧设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，包括：步骤110、提供晶圆级芯片的封装产品，所述晶圆级芯片的封装产品包括基板，形成在所述基板上的第一绝缘层，形成在所述第一绝缘层上的有机粘合层，形成在所述有机粘合层上的晶圆，所述晶圆具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，所述晶圆的第二表面设置有绝缘薄膜；所述晶圆内含多个芯片单元，每个所述芯片单元在所述第二表面的一侧设置非焊盘区；在所述非焊盘区，在所述第二表面上的绝缘薄膜与所述有机粘合层直接接触，所述有机粘合层用于粘合所述晶圆和所述第一绝缘层；步骤120、在所述非焊盘区，在所述晶圆的第一表面形成抵达所述绝缘薄膜的第一通孔，露出所述绝缘薄膜；步骤130...

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，包括：步骤110、提供晶圆级芯片的封装产品，所述晶圆级芯片的封装产品包括基板，形成在所述基板上的第一绝缘层，形成在所述第一绝缘层上的有机粘合层，形成在所述有机粘合层上的晶圆，所述晶圆具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，所述晶圆的第二表面设置有绝缘薄膜；所述晶圆内含多个芯片单元，每个所述芯片单元在所述第二表面的一侧设置非焊盘区；在所述非焊盘区，在所述第二表面上的绝缘薄膜与所述有机粘合层直接接触，所述有机粘合层用于粘合所述晶圆和所述第一绝缘层；步骤120、在所述非焊盘区，在所述晶圆的第一表面形成抵达所述绝缘薄膜的第一通孔，露出所述绝缘薄膜；步骤130、在所述非焊盘区，在所述第一通孔的表面形成第二绝缘层，覆盖所述第一通孔、所述绝缘薄膜和所述第一表面；步骤140、在所述非焊盘区，以所述第一通孔作为第一切割道，去除所述第一切割道内的绝缘薄膜以及第二绝缘层，并减薄所述第一切割道内的有机粘合层；步骤150、在所述非焊盘区，沿所述第一切割道，切割至所述基板远离所述第一绝缘层的一面。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤140还包括减薄所述第一切割道内的第一绝缘层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤110中所述第一绝缘层包括第一沟槽，所述第一沟槽在所述基板上的投影位于所述第一切割道在所述基板上的投影内；所述有机粘合层填充所述第一沟槽；所述步骤140具体包括如下步骤：在所述非焊盘区，减薄所述第一沟槽内的所述有机粘合层。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，减薄所述第一切割道内的第一绝缘层之后，所述第一切割道内的第一绝缘层的高度大于或等于15微米，且小于或等于20微米。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玉，许红权，吴震，张强，
申请(专利权)人：苏州科阳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32