一种晶圆级封装芯片及方法技术

本发明专利技术涉及晶圆级封装技术领域，涉及一种晶圆级封装芯片及方法。通过基底进行减薄处理，TSV孔里的金属和硅基底的背金连接在一起，可实现小尺寸超薄芯片的晶圆级封装，同时满足散热要求；缩减接地线路的封装电阻，降低电感效应，提升芯片性能，减少接地焊垫的连线数量，减少贵金属的使用，减小封装面积，有效降低成本；采用在图形化的增粘层上制作种子层和金属背金层，可避免发生鼓泡分层等结合力不足问题，提升可靠性，同时解决了散热问题。

A wafer level packaging chip and method

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆级封装芯片及方法
本专利技术涉及晶圆级封装
，涉及一种晶圆级封装芯片及方法。
技术介绍
现有芯片封装时，芯片背面有塑封料层，不仅不利于芯片散热还会增加封装后的厚度，同时接地焊垫和信号焊垫都是通过打金线(wirebonding)的方法实现电气性能连接，一般接地焊接连线数量多，不仅需要消耗大量的贵金属，而且封装基板上面需要设置较大面积的接地焊垫，增大封装面积，导致成本高。同时背金材料多为为铜，容易发生氧化，对后续加工有时间限制和环境限制，一旦氧化，对产品可靠性有严重影响。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种可实现小尺寸超薄芯片的晶圆级封装减少接地焊垫的连线数量，有效降低成本，提升可靠性的晶圆级封装芯片及方法。为了解决上述技术问题，本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种晶圆级封装方法，具体步骤包括：S1：在硅基底上制作集成电路形成晶圆，将晶圆与玻璃临时键合在一起，对硅基底进行减薄处理；S2：在晶圆硅基底上设置图形化结构的增粘层，并裸露出部分晶圆表面；S本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，具体步骤包括：/nS1：在硅基底上制作集成电路形成晶圆，将晶圆与玻璃临时键合在一起，对硅基底进行减薄处理；/nS2：在晶圆硅基底上设置图形化结构的增粘层，并裸露出部分晶圆表面；/nS3：在硅基底上开设TSV孔，且使得TSV孔底部局部或者全部漏出集成电路上的接地焊垫；/nS4:晶圆背面以及TSV孔内壁制作一层种子层，在种子层上沉积一层金属背金层；/nS5:晶圆与玻璃拆除键合得到封装晶圆，并将获得的封装晶圆切割成单颗芯片。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，具体步骤包括：
S1：在硅基底上制作集成电路形成晶圆，将晶圆与玻璃临时键合在一起，对硅基底进行减薄处理；
S2：在晶圆硅基底上设置图形化结构的增粘层，并裸露出部分晶圆表面；
S3：在硅基底上开设TSV孔，且使得TSV孔底部局部或者全部漏出集成电路上的接地焊垫；
S4:晶圆背面以及TSV孔内壁制作一层种子层，在种子层上沉积一层金属背金层；
S5:晶圆与玻璃拆除键合得到封装晶圆，并将获得的封装晶圆切割成单颗芯片。


2.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，步骤S1中，晶圆与玻璃通过临时键合材料进行临时键合。


3.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，步骤S1中，采用机械研磨方式、机械化学研磨抛光方式、等离子体干法蚀刻方式或者湿法腐蚀方式中的一种或者多种方式将晶圆减薄至厚度为50-200μm。


4.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，步骤S2中，增粘层为有机材料或者二氧化硅材料中的任意一种，对设置在晶圆上的增粘层形成形状为方形、圆形或不规则多边形用以裸露出部分晶圆表面。


5.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，步骤S3包括：
S31：去除接地焊垫上方的晶圆以形成TSV孔，TSV孔呈现梯形状，TSV孔的上开口宽度大于下开口...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨佩佩，金科，李永智，赖芳奇，吕军，
申请(专利权)人：苏州科阳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32