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本发明涉及晶圆级封装技术领域，涉及一种晶圆级封装芯片及方法。通过基底进行减薄处理，TSV孔里的金属和硅基底的背金连接在一起，可实现小尺寸超薄芯片的晶圆级封装，同时满足散热要求；缩减接地线路的封装电阻，降低电感效应，提升芯片性能，减少接地焊垫...
该专利属于苏州科阳光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州科阳光电科技有限公司授权不得商用。

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