存储器读取操作方法、存储器控制器及存储系统操作方法技术方案

一种存储器读取操作方法、存储器控制器及存储系统操作方法，所述方法包含：通过使用读取电压水平确定信息和读取环境信息从多个防御代码中选择至少第一选择防御代码，所述读取环境信息包含分别对应于多个因素的值；基于所述第一选择防御代码确定用于执行读取操作的读取电压的水平；以及通过使用具有所述确定的水平的读取电压执行读取操作。通过执行选择防御代码，可确定读取电压的最佳水平或期望水平。

Memory read operation method, memory controller and storage system operation method

A memory reading operation method, a memory controller and an operation method of a storage system. The method includes: selecting at least a first selected defense code from a plurality of defense codes by using the reading voltage level to determine information and reading environment information, the read environment information contains values corresponding to a plurality of factors, respectively; The level of the read voltage used to perform read operations is determined based on the first selected defense code; and the read operation is performed by using the read voltage of the specified level. By selecting the defense code, the optimal level or desired level of the read voltage can be determined.

【技术实现步骤摘要】
存储器读取操作方法、存储器控制器及存储系统操作方法相关申请的交叉引用本申请要求2016年12月19日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0173623号韩国专利申请的权益，所述申请的公开全部以引用的方式并入本文中。
本专利技术概念的至少一些示例性实施例涉及一种非易失性存储器的读取操作方法，并且更具体地说涉及一种包含非易失性存储器的存储系统和一种存储系统的操作方法。
技术介绍
防御代码用于在非易失性存储器的读取操作期间，根据非易失性存储器单元的阈值电压分布的变化，确定读取电压的最佳水平或(替代地)期望水平。然而，由于通过使用给定顺序的所有多个防御代码来确定读取电压的最佳水平或(替代地)期望水平，所以会花费很长时间，并且会降低包含非易失性存储器的存储系统的性能。
技术实现思路
根据本专利技术概念的至少一些示例性实施例，一种非易失性存储器的读取操作方法包含：通过使用读取电压水平确定信息和读取环境信息，从多个防御代码中选择至少第一选择防御代码，所述读取环境信息包含分别对应于多个因素的值；基于第一选择防御代码，确定用于执行读取操作的读取电压的水平；以及通过使用具有确定的水平的读取电压，执行读取操作。根据本专利技术概念的至少一些示例性实施例，一种包括存储器装置和用于控制存储器装置的存储器控制器的存储系统的操作方法包含：响应于从存储器控制器外部接收的读取请求，由存储器控制器从存储器装置收集包括分别对应于多个因素的值的读取环境信息；由存储器控制器通过使用读取电压水平确定信息和读取环境信息，从多个防御代码中选择至少一个选择防御代码；由所述存储器控制器通过基于至少一个选择防御代码，控制存储器装置而确定读取电压水平；以及由存储器控制器基于读取电压水平确定操作的结果，控制存储器装置上的读取操作，其中所述控制是由存储器控制器执行的。根据本专利技术概念的至少一些示例性实施例，一种用于控制存储器装置上的存储操作的存储器控制器包含：存储器，其被配置成存储与防御代码选择有关的程序和读取电压水平确定信息；以及处理器，其连接到所述存储器并且配置成响应于从处理器外部接收的读取请求，执行存储于存储器中的程序，以便通过使用读取电压水平确定信息和从存储器装置收集的包括分别对应于多个因素的值的读取环境信息，从多个防御代码中选择至少一个选择防御代码。根据本专利技术概念的至少一些示例性实施例，一种操作存储器控制器的方法包含：在存储器控制器处，基于与存储器装置相关联的一个或多个因素，从多个防御代码中选择一个防御代码以作为所选择的防御代码，所述多个防御代码分别对应于多个读取电压水平确定操作；通过执行对应于所选择的防御代码的读取电压水平确定操作来确定读取电压水平；以及使用具有确定的读取电压水平的读取电压，在存储器装置的多个存储器单元上执行读取操作。附图说明通过参看附图详细地描述本专利技术概念的示例性实施例，本专利技术概念的示例性实施例的以上和其它特征和优势将变得更显而易见。随附图式意在描绘本专利技术概念的示例性实施例，且不应将其解释为限制权利要求书的所希望的范围。不应将随附图式视为按比例绘制，除非明确地提到。图1是根据本专利技术概念的至少一个示例性实施例的存储系统的框图；图2是根据本专利技术概念的至少一个示例性实施例的存储器控制器的框图；图3是根据本专利技术概念的至少一个示例性实施例的存储器装置的框图；图4是根据本专利技术概念的至少一个示例性实施例的存储器装置中包含的存储器单元阵列的框图；图5A至图5C是示出根据本专利技术概念的至少一个示例性实施例的信息存储区域的框图；图6A是示出了当图3的存储器单元阵列中包含的存储器单元是3位多级单元时的存储器单元的阈值电压分布的图；图6B是示出了图6A的图中的存储器单元的阈值电压改变的情况的图；图7是根据本专利技术概念的至少一个示例性实施例的存储器控制器的框图；图8A至图8C是用于解释根据本专利技术概念的至少一个示例性实施例的通过使用防御代码确定读取电压的水平的各种方法的图；图9是根据本专利技术概念的至少一个示例性实施例的生成读取电压水平确定信息的方法的流程图；图10A至图10C是用于解释根据本专利技术概念的至少一个示例性实施例的从多个防御代码中选择至少一个防御代码作为选择防御代码的方法的图；图11是根据本专利技术概念的至少一个示例性实施例的信息存储区域的框图；图12A和图12B是用于解释根据本专利技术概念的至少一个示例性实施例的图2的存储器控制器的操作方法的流程图；图13是用于解释根据本专利技术概念的至少一个示例性实施例的确定错误校正所需要的读取电压的水平的操作的图；图14是用于解释根据本专利技术概念的至少一个示例性实施例的存储器控制器的操作的框图；图15A和图15B是用于解释根据本专利技术概念的至少一个示例性实施例的在执行不同防御代码时确定读取电压的水平的操作的图；图16是用于解释根据本专利技术概念的至少一个示例性实施例的由防御代码运算器执行的通过使用多个选择防御代码确定读取电压的水平的操作的框图；图17是用于解释根据本专利技术概念的至少一个示例性实施例的由存储器控制器执行的更新读取电压水平确定信息的操作的框图；图18是用于解释根据本专利技术概念的至少一个示例性实施例的由存储器控制器执行的更新读取电压水平确定信息的操作的流程图；以及图19是包含根据实施例的存储系统的计算系统的框图。[附图标号说明]1、100：存储系统；10、300、500：存储器控制器；20、200：存储器装置；12、152、310、510、610：RVLD单元；12a：防御代码选择器；21：存储器单元阵列；21a：信息存储区域；110：主机接口；120：RAM；140：存储接口；150：处理器；160：错误校正电路；170：总线；21、210：存储器单元阵列；215：信息存储区域；220：行选择电路；230：页缓冲电路；240：列选择电路；250：控制逻辑；260：电压生成器；312、512：防御代码选择器；314、514：防御代码运算器；320、520、620：防御代码存储区域；516：起始电压水平和偏移水平存储区域；415：信息存储区域；616：信息修改器；630：读取电压水平确定信息存储区域；1000：计算系统；1100：处理器；1200：RAM；1300：输入/输出装置；1400：电源装置；1500：总线；ADDR：地址；BL0至BLn-1：位线；CMD：命令；CTRL：控制信号；Info.：信息；PAG0至PAGb-1：页；SEC0至SECc-1：扇区；Vpass：传递电压；Vpgm：编程电压；Vr2至Vr7：读取电压；Vread：读取电压。具体实施方式按照本专利技术概念领域的惯例，关于功能块、单元和/或模块说明实施例并在图中示出实施例。所属领域的技术人员将理解，这些块、单元和/或模块通过诸如逻辑电路之类的电子(或光学)电路、分立组件、微处理器、硬连线电路、存储器元件、接线连接等等物理上实施，这些元件可以使用基于半导体的制造技术或其它制造技术形成。在所述块、单元和/或模块是通过微处理器或类似元件实施的情况下，可以使用软件(例如微码)对这些元件进行编程以执行本文中论述的各种功能，并且这些元件可以任选地通过固件和/或软件受到驱动。替代地，每个块、单元和/或模块可以通过专用硬件实施，或者作为专用硬件的组合实施以执行一些功能，并且作为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非易失性存储器的读取操作方法，所述读取操作方法包括：通过使用读取电压水平确定信息和读取环境信息，从多个防御代码中选择至少一个第一选择防御代码，所述读取环境信息包含分别对应于多个因素的值；基于所述第一选择防御代码，确定用于执行读取操作的读取电压水平；以及通过使用具有所述确定的水平的读取电压，执行所述读取操作。

【技术特征摘要】
2016.12.19 KR 10-2016-01736231.一种非易失性存储器的读取操作方法，所述读取操作方法包括：通过使用读取电压水平确定信息和读取环境信息，从多个防御代码中选择至少一个第一选择防御代码，所述读取环境信息包含分别对应于多个因素的值；基于所述第一选择防御代码，确定用于执行读取操作的读取电压水平；以及通过使用具有所述确定的水平的读取电压，执行所述读取操作。2.根据权利要求1所述的读取操作方法，其进一步包括：通过执行训练操作，生成所述读取电压水平确定信息。3.根据权利要求2所述的读取操作方法，其中，所述训练操作包含多个循环操作，并且所述多个循环操作中的每个操作包括：调节分别对应于所述多个因素的值；基于分别对应于所述多个因素的所述经过调节的值，从所述多个防御代码中选择至少一个防御代码；基于所述至少一个防御代码，确定所述读取电压的第一水平；通过使用具有所述确定的第一水平的读取电压，执行所述读取操作并且判断所述读取操作是否成功；以及通过使用所述判断所述读取操作是否成功的结果，积累所述读取电压水平确定信息。4.根据权利要求1所述的读取操作方法，其中，所述读取电压水平确定信息包含防御代码选择规则，并且所述从所述多个防御代码中选择所述第一选择防御代码包括：基于所述防御代码选择规则，向分别对应于所述多个因素的所述值分配权重；以及基于所述权重的分配结果，从所述多个防御代码中选择所述第一选择防御代码。5.根据权利要求1所述的读取操作方法，其中，所述读取电压水平确定信息包含防御代码映射信息，所述防御代码映射信息指示根据分别对应于所述多个因素的所述值映射到多个读取条件中的每个读取条件的至少一个防御代码，并且所述从所述多个防御代码中选择所述第一选择防御代码包括：从所述多个读取条件中检测对应于所述读取环境信息的读取条件；以及选择被映射到所述检测到的读取条件的所述至少一个防御代码以作为所述第一选择防御代码。6.根据权利要求5所述的读取操作方法，其中所述多个读取条件中的每个读取条件包含所述多个因素中的超出对应于所述多个因素中每个因素的阈值的至少一个因素，以及关于超出所述阈值的所述至少一个因素的数量的信息。7.根据权利要求1所述的读取操作方法，其中所述多个因素包含存储器装置的温度、被编程到所述存储器装置的数据的保留时间、所述存储器装置的编程/擦除循环、根据所述存储器装置的操作的时戳、以及根据所述存储器装置上的读取操作的断开单元数目中的至少一个因素。8.根据权利要求1所述的读取操作方法，其进一步包括：通过使用确定所述读取电压的水平的操作的结果，更新所述读取电压水平确定信息。9.根据权利要求8所述的读取操作方法，其进一步包括：当所述确定所述读取电压的水平的操作失败时，通过使用所述读取环境信息和所述读取电压水平确定信息，从所述多个防御代码中选择新的第一选择防御代码；以及基于所述新的第一选择防御代码，重新确定所述读取电压的水平。10.根据权利要求9所述的读取操作方法，其中，当所述重新确定所述读取电压的水平的操作成功时，所述通过使用所述确定所述读取电压的水平的操作的结果，更新所述读取电压水平确定信息包含通过使用所述确定所述读取电压的水平的操作的失败记录信息和所述重新确定所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩一洙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR