【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及半导体存储器件及制造该半导体存储器件的方法。
技术介绍
1、随着半导体器件变得日益高度集成，各个电路图案正变得越来越精细，以在相同面积中实现更多的半导体器件。也就是说，随着半导体器件的期望集成度的提高，用于半导体器件的部件的制造设计规则已经减少了。
2、在大规模半导体器件中，形成多条布线和介于布线之间的多个掩埋接触(bc)的工艺已经变得日益复杂和困难。
技术实现思路
1、本公开的一个目的是为了提供一种可以改进可靠性和性能的半导体存储器件。
2、本公开的另一目的是为了提供一种用于制造可以改进可靠性和性能的半导体存储器件的方法。
3、本公开的目的不限于上面提及的目的，并且本领域的技术人员将从本公开的以下描述中清楚地理解在本文中未提及的本公开的额外目的。
4、根据本公开的一些实施例，提供了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：衬底，所述衬底包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；沟槽，所述沟槽设置在所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间并且形成在所述衬底中；单元栅极绝缘层，所述单元栅极绝缘层位于所述沟槽的侧壁和底表面的至少一部分上；单元栅电极，所述单元栅电极位于所述单元栅极绝缘层的至少一部分上；功函数控制图案，所述功函数控制图案位于所述单元栅电极上，并且包括n型杂质；以及单元栅极覆盖图案，所述单元栅极覆盖图案位于所述功函数控制图案上，其中，所述功函数控制图案包括半导体材料，所述功函数控制图案包括第一区域和位于所
5、根据本公开的一些实施例，提供了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：衬底，所述衬底包括由元件隔离层限定的有源区；位线，所述位线在所述衬底上沿第一方向延伸；信息存储元件(即，存储结构)，所述信息存储元件设置在所述位线的两侧并且连接到所述有源区；以及单元栅极结构，所述单元栅极结构在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸并且形成在所述衬底中，其中，所述单元栅极结构包括：沟槽，所述沟槽形成在所述衬底中；单元栅极绝缘层，所述单元栅极绝缘层位于所述沟槽的侧壁和底表面的至少一部分上；单元栅电极，所述单元栅电极位于所述单元栅极绝缘层的至少一部分上；阻挡层，所述阻挡层位于所述单元栅电极的至少一部分上；以及功函数控制图案，所述功函数控制图案位于所述阻挡层上，所述功函数控制图案包括半导体材料，并且所述功函数控制图案包括第一区域和第二区域，所述第一区域包括n型杂质，所述第二区域设置在所述第一区域与所述单元栅电极之间。
6、根据本公开的一些实施例，提供了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：衬底，所述衬底包括由元件隔离层限定并且在第一方向上延伸的有源区，所述有源区包括第一部分和在所述第一部分的两侧的第二部分；单元栅极结构，所述单元栅极结构跨所述有源区的所述第一部分与所述有源区的所述第二部分之间在所述衬底和所述元件隔离层中沿第二方向延伸；位线，所述位线在所述衬底和所述元件隔离层上沿第三方向延伸并且连接到所述有源区的所述第一部分；存储接触，所述存储接触设置在所述位线的两侧并且连接到所述有源区的所述第二部分；存储焊盘，所述存储焊盘连接到所述存储接触并且设置在所述存储接触上；以及电容器，所述电容器连接到所述存储焊盘并且设置在所述存储焊盘上，其中，所述单元栅极结构包括：沟槽，所述沟槽形成在所述衬底中；单元栅极绝缘层，所述单元栅极绝缘层位于所述沟槽的侧壁和底表面的至少一部分上；单元栅电极，所述单元栅电极位于所述单元栅极绝缘层的至少一部分上；功函数控制图案，所述功函数控制图案位于所述单元栅电极的至少一部分上，所述功函数控制图案包括n型杂质；单元栅极覆盖图案，所述单元栅极覆盖图案位于所述功函数控制图案的至少一部分上，所述功函数控制图案包括半导体材料，所述功函数控制图案包括第一区域和位于所述第一区域与所述单元栅电极之间的第二区域，并且所述第一区域中的所述n型杂质的浓度大于所述第二区域中的所述n型杂质的浓度。
7、根据本公开的一些实施例，提供了一种用于制造半导体存储器件的方法，所述方法包括：提供包括由元件隔离层限定的有源区的衬底；在所述衬底和所述元件隔离层中形成在第一方向上延伸的沟槽；在所述沟槽的侧壁和底表面上形成单元栅极绝缘层；在所述单元栅极绝缘层上形成单元栅电极；在所述单元栅电极上形成包括半导体材料的预功函数控制图案；通过用n型杂质掺杂所述预功函数控制图案来形成功函数控制图案；以及在所述功函数控制图案上形成单元栅极覆盖层，其中，所述功函数控制图案包括第一区域和位于所述第一区域与所述单元栅电极之间的第二区域，并且所述第一区域中的所述n型杂质的浓度大于所述第二区域中的所述n型杂质的浓度。
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1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述功函数控制图案中的所述N型杂质的浓度随着所述功函数控制图案变得离所述单元栅极覆盖图案越来越远而降低。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一区域中的所述N型杂质的浓度随着所述第一区域变得离所述单元栅极覆盖图案越来越远而增大然后降低。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一区域中的所述N型杂质的浓度是1E20/cm3或更高。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述N型杂质包括磷。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第二区域还包括P型杂质。
7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述功函数控制图案还包括碳。
8.根据权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述第一区域中的碳浓度不同于所述第二区域中的碳浓度。
9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述单元栅电极包括TiN。
10.根据权利要求1所述的半导体存
11.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一区域的功函数小于所述第二区域的功函数，并且
12.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：
13.根据权利要求12所述的半导体存储器件，其中，所述第一区域中的所述N型杂质的浓度大于所述第二区域中的所述N型杂质的浓度。
14.根据权利要求12所述的半导体存储器件，其中，所述第二区域包括未掺杂的半导体材料。
15.根据权利要求12所述的半导体存储器件，其中，所述第二区域包括P型杂质。
16.根据权利要求12所述的半导体存储器件，其中，所述第二区域的功函数小于所述单元栅电极的功函数。
17.根据权利要求12所述的半导体存储器件，其中，所述功函数控制图案还包括碳，并且
18.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：
19.根据权利要求18所述的半导体存储器件，其中，所述功函数控制图案还包括碳，并且
20.根据权利要求18所述的半导体存储器件，其中，所述半导体材料包括多晶硅，并且
...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述功函数控制图案中的所述n型杂质的浓度随着所述功函数控制图案变得离所述单元栅极覆盖图案越来越远而降低。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一区域中的所述n型杂质的浓度随着所述第一区域变得离所述单元栅极覆盖图案越来越远而增大然后降低。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一区域中的所述n型杂质的浓度是1e20/cm3或更高。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述n型杂质包括磷。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第二区域还包括p型杂质。
7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述功函数控制图案还包括碳。
8.根据权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述第一区域中的碳浓度不同于所述第二区域中的碳浓度。
9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述单元栅电极包括tin。
10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括阻...
【专利技术属性】
技术研发人员：李进成，林兑旭，金志勋，蔡教锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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