Flash读取电路和读取方法技术

技术编号:18085548 阅读:43 留言:0更新日期:2018-05-31 14:04
本发明专利技术公开了一种Flash读取电路和读取方法,属于集成电路技术领域。所述Flash读取电路包括:AHB主模块、Flash接口单元、锁存单元;所述AHB主模块与所述Flash接口单元电性连接;所述Flash接口单元与所述锁存单元电性连接,所述锁存单元与所述AHB主模块连接;所述Flash接口单元用于将从Flash中读取到的数据锁存至所述锁存单元,并将所述锁存单元中的数据输出至所述AHB主模块;解决了现有技术中Flash数据读取效率低的问题,达到了可以提高Flash读取效率的效果。

【技术实现步骤摘要】
Flash读取电路和读取方法
本专利技术涉及集成电路
,特别涉及一种Flash读取电路和读取方法。
技术介绍
随着智能可穿戴设备、智能硬件的普及以及物联网的兴起,MCU(MicrocontrollerUnit,微控制单元)在消费电子、工业控制、医疗设备以及人工智能等领域得到了广泛应用。为了减少外围分立器件,增加通用性,MCU通常采用内嵌非易失性存储器保存程序和少量数据,而Flash(固态存储器与动画编辑器)作为典型的NVM(Non-volatilememory,非易失存储器),具有体积小、成本低、高灵活性、多次擦除编程等特点,可以满足高速访问和系统安全性等不同需求,逐渐成为MCU存储器的首选。然而,与处理器较高的运行频率相比,嵌入式Flash属于低速存储设备,自20世纪80年代起,处理器性能以每年60%的速率提升,而存储器访问时间的改善速率每年大约为7%。相对于处理器可以通过指令集并行、超标量设计和大量使用寄存器提高自身性能,Flash性能的提升只能依赖于工艺改良等方法。因此Flash读取速度远不能满足MCU处理速度的要求。
技术实现思路
为了解决现有技术中Flash读取速度不能满足需求的问题,本专利技术实施例提供了一种Flash读取电路和读取方法。所述技术方案如下:第一方面,提供了一种Flash读取电路,所述Flash读取电路包括:AHB主模块、Flash接口单元、锁存单元;所述AHB主模块与所述Flash接口单元电性连接;所述Flash接口单元与所述锁存单元电性连接,所述锁存单元与所述AHB主模块连接;所述Flash接口单元用于将从Flash中读取到的数据锁存至所述锁存单元,并将所述锁存单元中的数据输出至所述AHB主模块。可选地,所述锁存单元包括至少一个锁存器。第二方面,提供了一种Flash读取方法,用于第一方面所述的Flash读取电路中,所述方法包括:通过AHB主模块发出数据读取请求;在Flash接口单元从Flash中读取到数据之后,存储所述数据至锁存单元;所述Flash接口单元根据读取地址读取所述锁存单元中的数据至所述AHB主模块。可选地,所述在Flash接口单元从Flash中读取到数据之后,存储所述数据至锁存单元,包括:在所述Flash接口单元读取到所述数据之后,所述Flash接口单元在地址使能信号AE的高电平时存储所述数据至所述锁存单元。可选地,所述方法还包括:所述Flash接口单元在时钟周期的第一个时钟下降沿时,根据仲裁结果生成所述AE信号。可选地,所述Flash接口单元在地址使能信号AE的高电平时存储所述数据至所述锁存单元,包括:在生成所述AE信号之后,在所述AE信号的上升沿达到预设时间之后,所述Flash接口单元在所述AE信号的高电平时存储所述数据至所述锁存单元,所述预设时间为所述AE信号到达所述Flash接口单元的延迟的总和,以及,数据读取时间的和。可选地,所述Flash接口单元根据读取地址读取所述锁存单元中的数据至所述AHB主模块,包括:所述Flash接口单元输出所述数据至总线控制单元;所述AHB主模块对所述数据进行处理,得到处理后的所述数据。可选地,所述AHB主模块在时钟周期的第三个时钟的上升沿处得到处理后的所述数据。可选地,所述Flash接口单元根据读取地址读取所述锁存单元中的数据至所述AHB主模块之前,所述方法还包括:所述Flash接口单元根据AHB总线地址以及所述数据读取请求,经过预取地址仲裁后,生成所述Flash的读取地址。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是:通过将从Flash中读取到的数据锁存至锁存单元中,也即通过锁存单元来替换现有技术中存储数据的触发器,解决了现有技术中Flash数据读取效率低的问题,达到了可以提高Flash读取效率的效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术一个实施例中提供的Flash读取电路的示意图;图2是本专利技术一个实施例提供的Flash读取方法的流程图;图3是本专利技术一个实施例提供的Flash读取方法所涉及的时序图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。文中所讲的“电子设备”可以包括智能手机、平板电脑、智能电视、电子书阅读器、MP3播放器(MovingPictureExpertsGroupAudioLayerIII,动态影像专家压缩标准音频层面3)、MP4(MovingPictureExpertsGroupAudioLayerIV,动态影像专家压缩标准音频层面4)播放器、膝上型便携计算机和台式计算机等等。为了便于理解,首先对下述各个实施例所涉及的术语做简单介绍。tAS(Addresssetuptime,输入地址建立时间),要求大于0ns。tAH(Addressholdtime,地址保持时间),要求大于5ns。tAAD(AEtoAEdelayduringread,AE的周期),要求大于40ns。tAC(Readaccesstime,数据读取时间),最大为40ns。tAE(AEpulsewidth,AE脉冲宽度),要求大于10ns。tAEL(AElowpulsewidth,AE低电平宽度),要求大于10ns。tCLK_cycle:AHB总线时钟周期。tDelay_Addr:AHB总线在第一个时钟周期从AHBmaster触发器输出,经过总线仲裁和Flash端口读写等仲裁的总的延时。tDelay:Fls_ae信号到达flash接口的延迟总和,包括触发器输出的延迟、经过多级选择器的延迟以及线延迟。tDff_Setup:触发器的输入数据建立时间。tDff_Delay:触发器输出延时。tLatch_Setup:锁存器的输入数据建立时间。tLatch_Delay:锁存器输出延时。tSetup:总线时钟在第三个时钟沿采集到AHB总线数据的数据建立时间。tHold:总线在第三个时钟沿采集到AHB总线数据的数据保持时间。如图1所示,本实施例提供了一种Flash读取电路,该电路包括AHB(AdvancedHighPerformanceBus,高级高性能总线)主模块110、Flash接口单元120和锁存单元130;可选地,锁存单元130可以是Flash接口单元120中的部分,且图1以此为例。所述AHB主模块110与所述Flash接口单元120电性连接;所述Flash接口单元120与所述锁存单元130电性连接,所述锁存单元与所述AHB主模块110连接;所述Flash接口单元120用于将从Flash中读取到的数据锁存至所述锁存单元130,并将所述锁存单元中的数据输出至所述AHB主模块。如图1所示,AHB主模块110可以包括触发器组,该触发器组为AHB主模块110产生AHB总线访问地址和请求的最后一级触发器,也是AHB接收总线数据的第一级触发器;另外,AHB主模块110中可以设置有组合逻辑1和组合逻辑3,该组合逻辑1为多个AHB主模块110仲裁后需要的master矩阵;组合逻辑3为本文档来自技高网...
Flash读取电路和读取方法

【技术保护点】
一种Flash读取电路,其特征在于,所述Flash读取电路包括:AHB主模块、Flash接口单元、锁存单元;所述AHB主模块与所述Flash接口单元电性连接;所述Flash接口单元与所述锁存单元电性连接,所述锁存单元与所述AHB主模块连接;所述Flash接口单元用于将从Flash中读取到的数据锁存至所述锁存单元,并将所述锁存单元中的数据输出至所述AHB主模块。

【技术特征摘要】
1.一种Flash读取电路,其特征在于,所述Flash读取电路包括:AHB主模块、Flash接口单元、锁存单元;所述AHB主模块与所述Flash接口单元电性连接;所述Flash接口单元与所述锁存单元电性连接,所述锁存单元与所述AHB主模块连接;所述Flash接口单元用于将从Flash中读取到的数据锁存至所述锁存单元,并将所述锁存单元中的数据输出至所述AHB主模块。2.根据权利要求1所述的Flash读取电路,其特征在于,所述锁存单元包括至少一个锁存器。3.一种Flash读取方法,其特征在于,用于如权利要求1或2所述的Flash读取电路中,所述方法包括:通过AHB主模块发出数据读取请求;在Flash接口单元从Flash中读取到数据之后,存储所述数据至锁存单元;所述Flash接口单元根据读取地址读取所述锁存单元中的数据至所述AHB主模块。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述在Flash接口单元从Flash中读取到数据之后,存储所述数据至锁存单元,包括:在所述Flash接口单元读取到所述数据之后,所述Flash接口单元在地址使能信号AE的高电平时存储所述数据至所述锁存单元。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述方法还包...

【专利技术属性】
技术研发人员:冯海英史兴强强小燕范学士
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十八研究所
类型:发明
国别省市:江苏,32

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