一种MCU芯片中的低功耗ROM接口电路制造技术

本实用新型专利技术是一种MCU芯片中的低功耗ROM接口电路，包括MCU内核、ROM接口控制模块、ROM存储器、芯片配置控制模块和时钟模块，所述MCU内核分别连接ROM接口控制模块和时钟模块，ROM接口控制模块还分别连接存储器、芯片配置控制模块和时钟模块。本实用新型专利技术提出一种MCU芯片中的低功耗ROM接口电路方案，在芯片中的通过ROM接口管理模块对ROM存储器进行低功耗的读时序控制，能够节省ROM存储器的功耗，从而使MCU芯片适用于低功耗应用要求。本实用新型专利技术还可以通过改变MCU芯片中延时控制单元的延时控制信息，使方案能够适用于不同类型和不同性能的ROM的设计项目，具有适用性广的、实用性强的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种MCU芯片中的低功耗ROM接口电路
本技术涉及一种接口电路，具体是一种MCU芯片中的低功耗ROM接口电路。
技术介绍
MCU芯片具有很广泛的应用。很多MCU芯片内部的程序存储器都使用到低成本的ROM存储器。市场上对于MCU芯片的应用需要多种多样，针对于那些对于成本非常敏感，同时对MCU芯片功耗要求相对较高的应用场合来说，MCU芯片的设计者通过会在MCU芯片内部的ROM功耗控制上遇到困难。这是低功耗的应用场合，对于MCU芯片来说，访问内部ROM存储器的功耗可能会超过应用场合的允许的大小。本技术提出一种MCU芯片中的低功耗ROM接口电路方案，在芯片中的通过ROM接口管理模块对ROM存储器进行低功耗的读时序控制，能够节省ROM存储器的功耗，从而使MCU芯片适用于低功耗应用要求。本技术还可以通过改变MCU芯片中延时控制单元的延时控制信息，使方案能够适用于不同类型和不同性能的ROM的设计项目，具有适用性广的、实用性强的优点。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种MCU芯片中的低功耗ROM接口电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种MCU芯片中的低功耗ROM接口电路，包括MCU内核、ROM接口控制模块、ROM存储器、芯片配置控制模块和时钟模块，所述MCU内核分别连接ROM接口控制模块和时钟模块，ROM接口控制模块还分别连接存储器、芯片配置控制模块和时钟模块。作为本技术的进一步技术方案：所述ROM接口控制模块包括延时控制单元A、延时控制单元B和延时控制单元C，延时控制单元A的输入端连接延时控制信号clk_mcu，输出端连接与门Y1的输入端，延时控制单元B的输入端连接延时控制信号clk_mcu_d1，输出端连接非门F1，非门F1的输出端连接与门Y1的另一个输入端，延时控制单元C的输入端连接延时控制信号clk_mcu_d2，输出端连接非门F2，非门F2的输出端连接与门Y2的另一个输入端，与门Y2的另一个输入端连接延时控制信号clk_mcu。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术提出一种MCU芯片中的低功耗ROM接口电路方案，在芯片中的通过ROM接口管理模块对ROM存储器进行低功耗的读时序控制，能够节省ROM存储器的功耗，从而使MCU芯片适用于低功耗应用要求。本技术还可以通过改变MCU芯片中延时控制单元的延时控制信息，使方案能够适用于不同类型和不同性能的ROM的设计项目，具有适用性广的、实用性强的优点。附图说明图1是MCU的系统框图。图2是ROM接口控制模块框图。图3是ROM的时序模型示意图。具体实施方式下面将对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。参阅图1-3；本技术实施例中，一种MCU芯片中的低功耗ROM接口电路，包括MCU内核、ROM接口控制模块、ROM存储器、芯片配置控制模块和时钟模块，所述MCU内核分别连接ROM接口控制模块和时钟模块，ROM接口控制模块还分别连接存储器、芯片配置控制模块和时钟模块。ROM接口控制模块包括延时控制单元A、延时控制单元B和延时控制单元C，延时控制单元A的输入端连接延时控制信号clk_mcu，输出端连接与门Y1的输入端，延时控制单元B的输入端连接延时控制信号clk_mcu_d1，输出端连接非门F1，非门F1的输出端连接与门Y1的另一个输入端，延时控制单元C的输入端连接延时控制信号clk_mcu_d2，输出端连接非门F2，非门F2的输出端连接与门Y2的另一个输入端，与门Y2的另一个输入端连接延时控制信号clk_mcu。本技术的工作原理是：MCU芯片内部包括时钟模块（CLOCK）、ROM存储器、ROM接口控制模块（ROM_INTF）、芯片配置控制模块（CONFIG）、MCU内核（MCU_CORE）。时钟模块（CLOCK）负责产生芯片工作所需要的工作时钟。当MCU内核请求读取存储于ROM中某一地址对应的内容时，MCU内核（MCU_CORE）输出有效的读ROM请求信号（rom_rd），同时输出对应的读地址信号（rom_adr）。当ROM接口控制模块（ROM_INTF）检测到有效的读ROM请求信号（rom_rd）时，将产生ROM存储器所需的低功耗接口时序，从ROM中把相应地址单元的值读回，并且将读回的值（rom_din）输送到MCU内核（MCU_CORE）。芯片配置控制模块（CONFIG）负责对芯片全局性配置进行控制。在本设计中，这些全局性配置控制信息包括用于控制芯片中ROM接口模块中的各延时控制单元的延时控制信息（cfg_dly1、cfg_dly2、cfg_dly3）。ROM接口控制模块（ROM_INTF）负责管制管理读ROM存储器所需的接口时序。ROM接口控制模块读ROM的时序模型如图3所示。rom_cs为ROM存储器的选通信号；rom_rd为ROM读请求脉冲信号；rom_adr为ROM读请求地址信号；rom_dout为ROM读返回数据信号。读ROM时，接口时序必须要满足ROM存储器的选通信号(rom_cs)相对于ROM读请求脉冲信号(rom_rd)的建立时间的要求，同时还要满足ROM存储器的选通信号(rom_cs)相对于ROM读请求脉冲信号(rom_rd)的保持时间的时序要求。读ROM存储器操作涉及到ROM存储的三种功耗模式。当ROM存储器的选通信号为低电平状态(rom_cs=0)时，ROM存储器处于standby模式。当ROM存储器的选通信号为高有效状态(rom_cs=1)且ROM读请求脉冲信号为低电平状态（rom_rd=1）时，ROM存储器处于read模式。当ROM存储器的选通信号为高有效状态(rom_cs=1)且ROM读请求脉冲信号为低电平状态（rom_rd=0）时，ROM存储器处于static模式。不同的IP提供商提供的ROM存储器的在功耗、性能上有差别。ROM处于standby模式时，功耗最少。static模式的功耗要比standby模式大，比read模式功耗小。在MCU芯片设计中，为了有利于芯片中数字逻辑的设计，MCU内核工作时钟（clk_mcu）的占空比一般为50%。在一般的MCU芯片的设计中，当MCU处于运行状态时，会将ROM存储器的选通信号一直保持为高有效状态，同时使用MCU内核工作时钟（clk_mcu）作为ROM读请求脉冲信号（rom_rd）。在这种设计方案里，当MCU处于运行状态时，ROM存储器交替处于功耗较高的read模式与static模式。本技术提出一种MCU芯片的低功耗管理方案，在MCU芯片设计中，通过MCU芯片内部的ROM接口管理模块，可以对ROM存储器进行智能的功耗模式管理。读取ROM存储器时，在满足应用要求的MCU运算处理速度，并且满足ROM存储器所要求的接口时序约束的前提下，通过使ROM存储器在尽量短的时间里面处于功耗较高的read模式，在尽量长的时间里面处于功耗较低的standby模式，从而使MCU芯片的总功耗更低，使MCU芯片可以应用于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MCU芯片中的低功耗ROM接口电路，包括MCU内核、ROM接口控制模块、ROM存储器、芯片配置控制模块和时钟模块，其特征在于，所述MCU内核分别连接ROM接口控制模块和时钟模块，ROM接口控制模块还分别连接存储器、芯片配置控制模块和时钟模块。

【技术特征摘要】
1.一种MCU芯片中的低功耗ROM接口电路，包括MCU内核、ROM接口控制模块、ROM存储器、芯片配置控制模块和时钟模块，其特征在于，所述MCU内核分别连接ROM接口控制模块和时钟模块，ROM接口控制模块还分别连接存储器、芯片配置控制模块和时钟模块。2.根据权利要求1所述的一种MCU芯片中的低功耗ROM接口电路，其特征在于，所述ROM接口控制模块包括延时控制单元(A)、延时控制单元(B)和延时控制单元(C），延时控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：万上宏，叶媲舟，涂柏生，
申请(专利权)人：深圳市博巨兴实业发展有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44